SGT工艺场效应MOS管是什么原理？

中文全称：屏蔽栅沟槽。英文全称：Shield Gate Trench。 海飞乐技术屏蔽栅/分立栅MOSFET技术(Shield Gate Trench MOSFET)，MOS器件第一个深沟槽(Deep Trench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻(RSP)和栅极电荷(Qg)。第二个源极沟槽(Source Trench)作为有源区接触电极，该设计能减小原胞尺寸(Pitch Size)和改善器件比导通电阻，有利于提高器件高温、大电流能力及EAS能力。第三个栅极沟槽(Gate Trench)作为有栅极接触电极，该设计能优化器件MOS工艺流程，降低产品生产成本，同时提高产品良率。

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60V的现在是芯片技术是SGT工艺：60V9A，11A，14A，17A，60V21A，22A，33A，35A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。