如何实验确定半导体是n型还是P型

1、用霍尔效应：两端通电，在内部会形成稳定电流，但在半导体的上下表面是没有电位差的；然后在半导体的两个对面的侧，加一个面磁场，这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差（因为内部的载流子在磁场作用下发生了偏转），因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。2、如果条件允许，你找一个掺杂已知的半导体，然后把他们粘到一起，组成个整体结，分别测两端电流导通情况，如果出现不能导通情况，则说明未知的和已知的相反，如果都导通，则相同。

根据加磁场后形成的电场方向判断半导体的类型。由于空穴和电子带电性不同，给一块未知类型的半导体施加恒定的电流，半导体内的空穴运动方向与电流方向相同，电子运动方向与电流方向相反。再给这块半导体施加一个垂直于电流方向的磁场，这是电子和空穴会向电流方向的两侧发生偏转，直到形成的电场力与磁场对载流子的洛伦兹力大小相同方向相反时，电子和空穴不会继续向两侧偏转。而此时，通过电流方向两侧形成的电场方向就可以判断半导体的类型。由于两种载流子运动方向相反，所以二者所受的洛伦兹力大小相同方向相同。然而，n型半导体的电子浓度要高于p型半导体，所以载流子偏转一侧是电子聚集，而p型半导体则正好相反。

N型与P型半导体什么是N型半导体，什么是P型半导体？N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。n型半导体就是在单晶硅中掺入5族元素杂质，多子为电子，p型半导体是掺入3族杂质，多子为空穴。更深入的理解是通过改变费米能级使得自由电子或空穴的。

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