氢氧化钾跟半导体,氢能的关系

氢氧化钾属于半导体，能分解出氢能。

1、氢氧化钾可用于半导体行业，作为半导体、面板与太阳能电池蚀刻中耗量最多的碱性化学品之一。

2、在充满氢氧化钾或氢氧化钠的电解槽中导入直流电，可以使水分子分解为氢气和氧气能源。

现在人们已经发现了109种元素，按照这些元素的原子结构和性质，把它们分为金属和非金属两大类。金属与非金属的不同点主要表现在以下几方面：

（l）从原子结构来看，金属元素的原子最外层电子数较少，一般小于4；而非金属元素的原子最外层电子数较多，一般大于4。

（2）从化学性质来看，在化学反应中金属元素的原子易失电子，表现出还原性，常做还原剂。非金属元素的原子在化学反应中易得电子，表现出氧化性，常做氧化剂。

（3）从物理性质来看，金属与非金属有着较多的差别，主要是：

①一般说来金属单质具有金属光泽，大多数金属为银白色；非金属单质一般不具有金属光泽，颜色也是多种多样。

②金属除汞在常温时为液态外，其他金属单质常温时都呈固态；非金属单质在常温时多为气态，也有的呈液态或固态。

③一般说来，金属的密度较大，熔点较高；而非金属的密度较小，熔点较低。

④金属大都具有延展性，能够传热、导电；而非金属没有延展性，不能够传热、导电。

必须明确上述各点不同，都是“一般情况”或“大多数情况”，而不是绝对的。实际上金属与非金属之间没有绝对的界限，它们的性质也不是截然分开的。有些非金属具有一些金属的性质，如石墨是非金属，但具有灰黑色的金属光泽，是电的良导体，在化学反应中可做还原剂；又如硅是非金属，但也具有金属光泽，硅既不是导体也不是绝缘体，而是半导体。也有某些金属具有一些非金属的性质，如锑虽然是金属，但它的性质非常脆，灰锑的熔点低、易挥发等，这些都属于非金属的性质。

类金属是一个用来分类化学元素的化学名词。基于它们的物理和化学特性，几乎所有元素周期表上的化学元素都可被分类为金属或非金属；但也有一些特性介于金属与非金属之间的元素，称为类金属。硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、锑(Sb)和碲(Te)这6种元素通常被视为类金属，钋(Po)和砹(At)有时也被认为是类金属，而硒，铝以及碳在极少数的情况下也被认为属于类金属。“类金属”一词并没有明确的定义，但类金属一般被认为拥有以下特性：

1.

类金属通常产生两性的氧化物；

2.

类金属通常是半导体（例如硼、硅和锗）至半金属（例如锑）。

坑试验怎么做？附详解！在半导体封装工艺中，d坑试验是用来评估键合参数以及键合可靠性的。键合工艺使用的材料一般是金线，铜线或铝线，其中铝线一般是在大功率的产品中使用，铜线在解决了可靠性的问题之后应用也越来越多。d坑试验数据能够指导工艺工程等部门进行工艺设计改进，优化。FA 在进行这种分析时，针对不同的产品类型，一般采用什么样的方法呢？本文介绍几种常见的方法。

1. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：分离金球（bond ball）与bond pad，用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH溶液 温度：室温 腐蚀时间：约5分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是利用铝的两性，通过碱性溶剂把金球和bond pad之间的铝层溶掉，最终把bond pad和金线分离出来，用于检查分析。在腐蚀铝层时，金线不会被腐蚀掉。溶液浓度可根据产品特点进行调整，也有用氢氧化钾的，但不宜用高浓度的碱进行腐蚀，需要控制好时间，否则会对芯片造成损伤。

2. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：检查bond pad，不关注bond ball 试剂：碘化钾，单质碘，纯水， KI : I2 : DI =115g : 65g : 100g 温度：室温 腐蚀时间：10分钟~15分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是直接把金溶掉，最终把bond pad暴露出来进行检查分析，在腐蚀金的同时，bond pad上面的铝层也会被腐蚀掉。 特点是对金的腐蚀速率较快，缺点是腐蚀不掉的残留物有时较难去除干净。当然去除金的方法还有多种，比如王水，汞等，但王水的氧化性太强，对很多材料都有腐蚀性或者负面影响，汞属于毒性很强的物质一般也不常用，在冶金上面会用于提取金。

3. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：分离铜球（bond ball）与bond pad，用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH 温度：室温 腐蚀时间：约5分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用氢氧化钠溶解铝层，但氢氧化钠不会腐蚀铜线，最终可以把bond pad和铜线分离出来，可以检查bond pad和IMC，与金线IMC检查的方法一样。

4. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：溶解铜线，用于检查分析 bond pad，不需要保证铜线的完整性 试剂：发烟硝酸 温度：室温 腐蚀时间：30秒~ 1分钟 （取决于样品） 这时可以进行bond pad的检查，此时铝层还在pad上，如果需要进一步把铝层去除，可以接着做下面一步： 试剂：HCL （37% ） 温度：50 °C 腐蚀时间：1分钟~ 3分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用发烟硝酸直接溶解铜线，但由于铝具有钝化作用而得以保留，该方法分两步分别把铜线和铝层溶解掉，可以检查bond pad的铝层形貌以及去掉铝层后的芯片pad。

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