半导体材料专家梁骏吾院士逝世，他都取得过哪些成就？

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

是。

黄令仪是当时我国为数不多的半导体专业的领军女科学家。

1936年生于广西南宁的黄令仪，于1958年从华中科技大学毕业，而她研修的主要课题是关于半导体器件，后来她还参与过“两d一星”相关项目芯片研发。

黄令仪的科研之路始终都在和各种各样的电子管打交道，从二极管到简陋的三极管，到大规模的集成电路，再到由中国自主研发设计的第一枚芯片，每一步都有她的身影。

1960年黄令仪在母校留校任教，并创建半导体专业，率领着年轻的教职工和学生们成立研究半导体二极管的实验室。

黄令仪就是在这样艰苦的环境下带领着年轻的学生们进行实践探索，遇山开山，遇水淌水，居然真的凭借一己之力研究出半导体二极管，得到各界的赞誉，当时的科学院长郭沫若都对他们的成果表示由衷的鼓励。

又在82岁时成功研制新一代的“龙芯3号”，打破美国严密防护多年的技术，挽回我国的亿万市场，如今中国国内芯片行业的蓬勃发展，可以说离不开黄令仪院士的辛勤奉献。

---