硅 半导体 一直在真空下温度300度50度来回退火 该半导体的耐性 电子 特性 会 渐进影响吗

以上情况务必根据制程和产品规范要求执行 *** 作，如无相关规范或规范未必细述必要向工程部门提出ECN 工程修改通知。

假设硅原材长期（超过720小时）真空下温度300度50度来回退火则特性肯定重大影响。

硅片退火处理，是工艺的一个环节。是按一定的程序对硅片进行升温、降温......的过程；

为什么要进行退火？原因之一是，硅片中含有氧，氧有吸取杂质的作用。退火时可以将硅片表面附近的氧，从其表面挥发脱除，使表面附近的杂质数量减少。有利于器件的制造；

退火对电阻率和少子寿命有一定的影响：使其升高。

供参考。

另：如果事实同“问题补充”的一样，可以理解为：氧从表面脱除后，表面附近的杂质数量减少，缺陷也减少，使载流子的平均自由程增加，迁移率也增加，这样导致了电阻率的下降。

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