晶体缺陷种类与半导体电的影响? 会答了 给高分。

半导体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷。按其延展的尺度可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，这4类缺陷都属于结构缺陷。根据缺陷产生的原因可分为原生缺陷和二次缺陷。从化学的观点看，晶体中的杂质也是缺陷，杂质还可与上述结构缺陷相互作用形成复杂的缺陷。一般情况下，晶体缺陷是指结构缺陷。

点缺陷(零维缺陷) 主要是空位、间隙原子、反位缺陷和点缺陷复合缺陷。

线缺陷(一维缺陷) 半导体晶体中的线缺陷主要是位错。

面缺陷(二维缺陷) 包括小角晶界、堆垛层错、孪晶。

体缺陷(三维缺陷) 包括空洞和微沉淀，是指宏观上与基质晶体具有不同结构、不同密度或不同化学成分的区域。

微缺陷 除上述四类结构缺陷外，还有一类以择优化学腐蚀后表面出现的以高密度浅底小坑或小丘为其腐蚀特征的一类缺陷，称为微缺陷，目前已发现的微缺陷有三类：(1)生长微缺陷；(2)热诱生微缺陷；(3)雾缺陷。

晶体缺陷会使晶体存在缺陷电阻，对半导体晶体能阶也有影响，对载流子数目存在影响

晶体缺陷在半导体材料方面的应用：如ZnO , Fe3O4 , 掺杂半导体 , BaTiO3半导瓷等

答的不全， 仅作为参考

半导体封装工艺中，晶粒打线这道工序常常有线弯不良，分析和解决方法如下：

1. 线材质量不良，铝和铜线较多不良，金线质量比较好。解决方法加强线材收货质管，并每天抽检六次，遇到不良即时反馈供应商。

2. 打线机调整有偏差，方法是加强现场人员技术能力。

3. *** 作员有失误，一般来说 *** 作员影响不大，解决方法是加强技术员和 *** 作员水平。

4. 每个型号产品的打线规范不同，解决方法应有统一流程再补充细节。

5. 厂房设施如水电，气体供应稳定度，都会影响打线稳定度导致线弯，应有设施专人维持稳定度。

在理想完整晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上.但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域.这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷,它破坏了晶体的对称性.

晶体中存在的缺陷种类很多,根据几何形状和涉及的范围常可分为点缺陷、面缺陷、线缺陷几种主要类型.

点缺陷：是指三维尺寸都很小,不超过几个原子直径的缺陷.主要有空位和间隙原子

空位是指未被原子所占有的晶格结点.间隙原子是处在晶格间隙中的多余原子.点缺陷的出现,使周围的原子发生靠拢或撑开,造成晶格畸变.使材料的强度、硬度和电阻率增加.所以金属中,点缺陷越多,它的强度、硬度越高.

线缺陷：是指三维空间中在二维方向上尺寸较小,在另一维方面上尺寸较大的缺陷.属于这类缺陷主要是位错.什么是位错呢?

位错是晶体中的某处有一列或若干列原子发生了某种有规律的错排现象.

面缺陷：是指二维尺寸很大而第三维尺寸很小的缺陷.通常是指晶界和亚晶界.

缺陷对物理性能的影响很大,可以极大的影响材料的导热,电阻,光学,和机械性能,极大地影响材料的各种性能指标,比如强度,塑性等.

化学性能影响主要集中在材料表面性能上,比如杂质原子的缺陷会在大气环境下形成原电池模型,极大地加速材料的腐蚀,另外表面能量也会受到缺陷的极大影响,表面化学活性,化学能等等.

总之影响非常大,但是如果合理的利用缺陷,可以提高材料某一方面的性能,比如人工在半导体材料中进行掺杂,形成空穴,可以极大地提高半导体材料的性能.

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