半导体二氧化钛还原电位取决于什么

半导体二氧化钛还原电位取决于什么,第1张

半导体氧化钛还原电位取决于导代与价带的氧化还原电位。半导体的光催化活性主要取决于导带与价带的氧化还原电位。而半导体二氧化钛因化学性质稳定、氧化还原性强、抗腐蚀等特点是目前最广泛使用的半导体光催化剂,那么半导体二氧化钛花园电位就是光催化活性的过程,是取决于导带与价带的氧化还原电位。所以半导体二氧化钛还原电位取决于导带与价带的氧化还原电位。

半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。很多人一直有疑问,半导体材料有哪些? 半导体材料有哪些实际运用?今天小编精心搜集整理了相关资料,来专门解答大家关于半导体材料的疑问,下面一起来看一下吧!

一、半导体材料有哪些?

常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等,以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族(如砷化镓、磷化镓、磷化铟等)、Ⅱ-Ⅵ族(如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等)、Ⅳ-Ⅵ族(如硫化铅、硒化铅等)、Ⅳ-Ⅳ族(如碳化硅)化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体,如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等,还处于研究阶段。

此外,还有非晶态和液态半导体材料,这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

  二、半导体材料主要种类

半导体材料可按化学组成来分,再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

1、元素半导体:在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素,下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。

2、无机化合物半导体:分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括:①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。

  3、有机化合物半导体:已知的有机半导体有几十种,熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,它们作为半导体尚未得到应用。

  4、非晶态与液态半导体:这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。

  三、半导体材料实际运用

制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯,要求的纯度在6个“9”以上,最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类,一类是不改变材料的化学组成进行提纯,称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯,再将提纯后的化合物还原成元素,称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等,使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等,使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性,因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广,80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触,用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶,而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。

以上就是小编今天给大家分享的半导体材料的有关信息,主要分析了半导体材料的种类和应用等问题,希望大家看后会有帮助!想要了解更多相关信息的话,大家就请继续关注土巴兔学装修吧!

常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料,叫做半导体(semiconductor).

什么是光催化?

光触媒[PHOTOCATALYSIS]是光 [Photo=Light] + 触媒(催化剂)[catalyst]的合成词。光触媒是一种在光的照射下,自身不起变化,却可以促进化学反应的物质,光触媒是利用自然界存在的光能转换成为化学反应所需的能量,来产生催化作用,使周围之氧气及水分子激发成极具氧化力的自由负离子。几乎可分解所有对人体和环境有害的有机物质及部分无机物质,不仅能加速反应,亦能运用自然界的定侓,不造成资源浪费与附加污染形成。最具代表性的例子为植物的"光合作用",吸收对动物有毒之二氧化碳,利用光能转化为氧气及水。

半导体光催化氧化的原理

目前,研究最多的半导体材料有TiO2、Zno、CdS、WO3、SnO2等。由于TiO2的化学稳定性高、耐光腐蚀,并且具有较深的价带能级,催化活性好,可以使一些吸热的化学反应在光辐射的TiO2表面得到实现和加速,加之TiO2对人体无毒无害,并且通常成本较低,所以尤以纳米二氧化钛的光催化研究最为活跃。

我们知道当入射光的能量大于半导体本身的带隙能量(Bandgap)时,在光的照射下半导体价带(Valence band)上的电子吸收光能而被激发到导带(Conduction)上,即在导带上产生带有很强负电性的高活性电子,同时在价带上产生带正电的空穴(h+),从而产生具有很强活性的电子--空穴对,形成氧化还原体系。这些电子--空穴对迁移到催化剂表面后,与溶解氧及H2O发生作用,最终产生具有高度化学氧化活性的羟基自由基(.OH),利用这种高度活性的羟基自由基便可参与加速氧化还原反应的进行,可以氧化包括生物氧化法难以降解的各类有机污染物并使之完全无机化,以TiO2为便说明有机物在光催化体系中的反应属于自由基反应。

 TiO2光催化反应机理包括以下几个过程:

(1)光激发过程:

 TiO2的带隙能Eg=3.2eV,可利用波长λ<=387.5nm的光子激发。在溶液中TiO2吸入λ<=387.5nm的光子后,即产生e- --h+(电子空穴)对。

 TiO2 + hv----->e- + h+

(2)吸附过程:

 TiO2在溶液中会发生如下的吸附反应:

 Ol2-+Ti(IV) <----->OlH-+Ti(IV) --- OH-

 Ti(IV)+H2O <----->Ti(IV) --- H2O

(3)复合过程:

 e- + h+ <----->heat

(4)捕集过程:

当TiO2粒子于水接触时,表面被羟基化,即h+可将吸附在TiO2表面的OH-离子和H2O分子氧化为.OH自由基,并仍吸附在TiO2表面。顺磁共振研究证明,在TiO2表面的确存在大量.OH自由基:

Ti(IV) -- OH- +h+ ----->Ti(IV) -- OH.

Ti(IV) -- H2O + h+ ----->Ti(IV) -- OH. + H+

与此同时,Ti(IV)吸收e-还原为Ti(III)若体系中有O2(溶解氧)存在,O2作为电子受体,生成过氧化物离子自由基:

Ti(IV) + e- <----->Ti(III)

Ti(III) + O2 <----->Ti(IV) -- O2-

(5) 其它自由基反应

Ti(IV) —— O2- .近一步还原生成H2O2:

 Ti(IV) -- O2- + 2h+ <----->Ti(IV) --H2O2-

 Ti(IV) -- O2- + h+ <----->Ti(IV) --H2O.

在溶液中,.OH、HO2.和H2O2之间可互相转化:

 H2O2 + .OH <----->H2O + HO2.

 这样光能就可在短时间内以化学能的形式贮藏起来,实现光能与化学能之间的转化。

(6)羟基自由基氧化有机物:

大量事实表明,半导体光催化氧化并不是通过空穴直接进行,而是通过其中的.OH自由基发生作用。

Ti(IV) -- OH- + R1.ads ----->Ti(IV) --R2.ads

.OH + R1.ads ----->R2.ads

Ti(IV) -- OH- + R1 ----->R2

.OH + R1 ----->R2

 .OH基是强氧化剂(E0=+3.07V),可将脂肪族碳链氧化为醇、醛、酸,最后脱羧生成CO2。对于芳香族化合物,OH.首先将苯环羟基化,然后与O2作用生成苯环上的过氧化自由基,进而开环生成脂肪族化合物,并随着氧化程度的加深,碳链逐步断裂,最终产物为CO2。 四、光催化氧化的潜在优势及其应用前景

由于光催化氧化法对于水中的烃、卤代有机物(包括卤代脂肪烃、卤代羧酸、卤代芳香烃)、羧酸、表面活性剂、除草剂、染料、含氮有机物、有机磷杀虫剂等有机物,以及氰离子、金属离子等无机物均有很好的去除效果,一般经过持续反应可达到完全无机化。所以半导体光催化氧化技术作为一种高级氧化技术,与生物法和其它高级化学氧化法相比,具有以下的显著优势: 1.以太阳光为最终要求的辐射能源,把太阳能转化为化学能加以利用。由于太阳光,对于人类来说取之不尽、用之  不竭,因此大大降低了处理成本,是一种节能技术。

2.光激发空穴产生的.OH是强氧化自由基,可以在较短的时间内成功的分解水中包括难降解有机物在内的大多数有 机物,它还具有将水中微量有机物分解的作用,因此是一种具有普遍实用性的高效处理技术。

3.半导体光催化剂具有高稳定性、耐光腐蚀、无毒的特点,并且在处理过程中不产生二次污染,从物质循环的角度 看,有机污染物能被彻底的无机化,因此是一种洁净的处理技术。

4.对环境要求低,对PH值,温度等没有特别要求。

5.处理负荷没有限制,即可以处理高浓度废水,也可以处理微污染水源水。

可见,半导体光催化技术既可以在处理废水时单独使用,也可作为对生物处理法的补充和完善,两种方法结合起来使用。

中国国土面积约为600多万平方公里,太阳能年辐射总量每平方厘米超过60万焦,开发利用前景十分广阔。在注重将太阳能转化为电能和热能应用的同时,也应注重将太阳能转化为化学能加以利用。

同时,根据我国目前净化水市场的发展情况看,半导体光催化易于在宾馆、办公室、家庭用净化器上首先取得成功。

总之,半导体光催化技术为彻底解决水污染提供了新的思路和新的方法,具有良好的应用前景。 五、光催化氧化染料废水的可生化研究进展

最理想的废水处理组合工艺是当今社会面临的一大挑战。一方面许多不同种类废水组成的问世,另一方面又要面对处理当中各种各样的问题。根据水的质量、最终需求和经济方面的要求,只用单一的处理技术是不可能完全达到要求或者是不经济的。例如,固体物质、油类和脂类的物理分离以及生物处理方法已经显示出在大多数情况下的经济性和可行性(市政废水、食品及农业加工废水等等),然而,也有一些情况下一友谊赛方法的处理效率并不理想。由此通常利用化学方法处理废水,其中大多数的原理是氧化--还原反应,而且已经转化为应用技术。台氯化、臭氧化和紫外照射过程,电化学处理以及利用.OH自由基氧化的方法,通过研究发现是一种去除有毒可溶性物质有效的方法。上述处理方法中的大多数已经被证实在该领域是十分有价值的,在去除污染物方面得到很好的结果。但是化学处理方法中也存在很多缺点,如需要大量氧化剂、能量及耗时等问题,与物理和生物方法相比仍显得价格较高。

使用如臭氧或.OH自由基这类的氧化剂进行对有机化合物的氧化,通常会产生新的氧化产物,在大多数情况下新生成的氧化产物比前者更容易被生物降解。

所以,考虑将化学氧化过程和生物氧化相结合。一方面,化学氧化过程可以有效的去除污染物的毒性,降低COD和色度等,有利于生物氧化过程的进行;另一方面,在投资和运行费用上,生物过程比化学过程便宜的多。生物过程的投资费用比采用如臭氧或过氧化物的化学过程要少五到十倍。与此同时,运行费用将少三到十倍。而且生物处理技术已经日臻成熟,已广泛的应用于水处理中。将光催化氧化技术与生物技术相结合必将是以后水处理的一个发展方向。


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