★最大整流电流IF:指二极管长期工作,允许通过的最大直流电流。
★最高反向工作电压UR:指二极管正常使用允许加的最高反向电压。
稳压管:稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。 ★稳定电压UZ:UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。
★稳定电流IZ: IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。只要不超过稳压管的额定功率,电流愈大,稳压效果愈好。
★额定功耗PZM:PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积。稳压管超过此值时,会因结温升高而损坏。
★动态电阻rZ:rZ为稳压管工作在稳压区时,稳压管电压的变化量与电流变化量之比,即 。rZ愈小,电流变化时UZ的变化愈小,稳压性能愈好。
★温度系数 : 表示温度每变化1°C稳压值的变化量,即 = 。
限流电阻:稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流,从而保证稳压管正常工作,故称这个电阻为限流电阻。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌(或尖峰电流)流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后,只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后,还必须计算传导损耗。 在实际情况下,MOS晶体管不是理想的器件,因为在传导过程中会损失电能,这称为传导损耗。
扩展资料MOS晶体管“导通”时,就像可变电阻一样,由器件的RDS(ON)决定,并随温度而显着变化。 器件的功耗可通过Iload2×RDS(ON)计算得出。
由于导通电阻随温度变化,因此功耗也会成比例地变化。 施加到MOS晶体管的电压VGS越高,RDS(ON)越小; 否则RDS(ON)越高。 请注意,RDS(ON)电阻会随着电流而略有上升。
参考资料来源:百度百科-mos管
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