功率半导体行业背景：
功率器件原理：
功率器件特指转换并控制电力的功率半导体器件。电力转换包括转换一个或多个电压、电流或频 率；功率控制指控制输入和输出的功率大小。（电力转换 核心 目标是提高能量转换率、减少功率损耗。关断时没有漏电，导通时没有电压损失， 在开关切换时没有功率损耗。电力控制 核心 是使用最小的输入控制功率保证输出功率的大小和时延。）
半导体器件分类：
功率半导体应用范围
功率半导体下游应用广泛，基本上涉及到电力系统的地方都会使用功率器件。下游应用领域主要可分为几大部分： 消费电子、新能源 汽车 、可再生能源发电及电网、轨道交通、白色家电、工业控制，市场规模呈现稳健增长态势。
功率半导体发展
功率半导体分类及特点
功率器件性能对比
功率半导体市场规模
功率半导体用于所有电力电子领域，市场成熟稳定且增速缓慢。行业发展主要依靠新兴领域如新 能源 汽车 、可再生能源发电、变频家电等带来的巨大需求缺口。成熟市场规模：根据IHS Markit 数据显示2018年全球功率器件市场规模为391亿美元， 中国功率市场规模为138亿美元 ，全球占比 35%。
纯增量市场规模：我们主要测算了国内新能源 汽车 、充电桩、光伏和风电四个领域中应用功率半导体市场空间。
①新能源 汽车 领域市场需求到2025年约160亿元，2030年约275亿元。
②公共直流充电桩领域2020-2025年累计市场需求约140亿元，2025-2030年累计需求约400亿元。
③光伏领域2020-2025年累计市场需求约50亿元，随政策调整有望进一步增长。
④风电领域2020-2024 年累计市场需求约30亿元。整体看，国内功率半导体市场2025年四个领域提供纯增量规模预计达 200亿元。
根据Omdia数据显示，2018年全球排名前十功率半导体企业来自于美国、欧洲和日本，合计市占率达60%。国内功率半导体市场自给率偏低，中高端功率MOSFET和IGBT自给率不足10%，国产替代空间巨大。
行业发展趋势一：不需要追赶摩尔定律，倚重制程工艺、封装设计和新材料迭代，整体趋向集成 化、模块化
功率半导体整体进步靠制程工艺、封装设计和新材料迭代。设计环节：功率半导体电路结构简单， 不需要像数字逻辑芯片在架构、IP、指令集、设计流程、软件工具等投入大量资本。 制造 环节： 因不需要追赶摩尔定律，产线对先进设备依赖度不高，整体资本支出较小。封装环节：可分为分 立器件封装和模块封装，由于功率器件对可靠性要求非常高，需采用特殊设计和材料，后道加工价值量占比达35%以上，远高于普通数字逻辑芯片的10%。
行业发展趋势二：新能源与5G通信推动第三代半导体兴起
新能源、5G等新兴应用加速第三代半导体材料产业化需求，我国市场空间巨大且有望在该领域快 速缩短和海外龙头差距。①天时：第三代材料在高功率、高频率应用场景具有取代硅材潜力，行业整体处于产业化起步阶段。②地利：受下游新能源车、5G、快充等新兴市场需求以及潜在的硅材替换市场驱动，目前深入研究和产业化方向以SiC和GaN为主，国内市场空间巨大。③人和：第三代半导体核心难点在材料制备，其他环节可实现国产化程度非常高，加持国家在政策和资金方 面大力支持。我们认为该行业技术追赶速度更快、门槛准入较低、国产化程度更高，中长期给国内功率半导体企业、衬底材料供应商带来更多发展空间确定性更强。
行业发展趋势三：IDM模式更适合功率半导体行业，代工可以提供产能、工艺技术补充
海外功率半导体龙头企业都采用IDM模式，国内功率半导体行业商业模式以IDM为主，设计+代工为辅。
国内上市公司
国内功率半导体发展分析
企业简介：
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片，公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。公司总部位于浙江嘉兴，在上海和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。
自2005年成立以来，公司一直致力于IGBT芯片和快恢复二极管芯片的设计和工艺及IGBT模块的设计、制造和测试，公司的主营业务及主要产品均未发生过变化。2019年，IGBT模块的销售收入占公司销售收入总额的95%以上，是公司的主要产品。
股权结构：
斯达的创始人，深耕 IGBT 领域十五年：
董事长兼创始人沈华（1963 年），于1995 年获得美国麻省理工学院（MIT）材料学博士学位，1995年7月至1999年7月任西门子半导体部门（英飞凌前身，1999 年成为英飞凌公司）高级研发工程师，1999 年 8 月至 2005 年任赛灵思公司高级项目经 理。
胡畏（1964 年），副总经理，1994年获美国斯坦福大学工程经济系统硕士学位。 1987年至1990年任北京市计算中心助理研究员，1994年至1995年任美国汉密尔顿证券商业分析师，1995 年至2001年任美国 ProvidianFinancial 公司市场总监，执行高级副总裁助理，公司战略策划部经理。2005 年回国创办公司。
从前十大流通股东来看，多只公募基金二季度新进前十大股东。2季度均价150。
财务介绍：
摸鱼打分73分，ROE8.21%，2020年上半年，公司实现营业收入41,647.84万元，较2019年上半年同期增长13.65%，实现归属于上市公司股东的净利润8,067.11万元，较2019年上半年同期增长25.30%，扣除非经常性损益的净利润6,903.77万元，较2019年上半年同期增长31.00%。同时，公司主营业务收入在各细分行业均实现稳步增长： （1）公司工业控制和电源行业的营业收入为32,924.94万元，较上年同期增长15.86%；（2）公司新能源行业营业收入为6,981.03万元，较上年同期增长6.03%；（3）公司变频白色家电及其他行业的营业收入为1,649.38万元，较上年同期增长12.35%。
PE200倍，处于 历史 66%位置，PB28.72倍， 历史 66%的位置。
公司看点：
公司采用以市场为导向，以技术为支撑，通过不断的研发创新，开发出满足客户需求的具有市场竞争力的功率半导体器件，为客户提供优质的产品和技术服务。
公司产品生产环节主要分为 芯片和模块设计、芯片外协制造、模块生产 三个阶段。
阶段一：芯片和模块设计。公司产品设计包含IGBT芯片、快恢复二极管芯片的设计和IGBT模块的设计。本阶段公司根据客户对IGBT关键参数的需求，设计出符合客户性能要求的芯片；根据客户对电路拓扑及模块结构的要求，结合IGBT模块的电性能以及可靠性标准，设计出满足各行业性能要求的IGBT模块。
阶段二：芯片外协制造。公司根据阶段 一 完成的芯片设计方案委托第三方晶圆代工厂如上海华虹、上海先进等外协厂商外协制造自主研发的芯片，公司在外协制造过程中提供芯片设计图纸和工艺制作流程，不承担芯片制造环节。
阶段三：模块生产。模块生产是应用模块原理，将单个或多个如IGBT芯片、快恢复二极管等功率芯片用先进的封装技术封装在一个绝缘外壳内的过程。由于模块外形尺寸和安装尺寸的标准化及芯片间的连接已在模块内部完成，因此和同容量的器件相比，具有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好等优点。公司主要产品IGBT模块集成度高，内部拓扑结构复杂，又需要在高电压、大电流、高温、高湿等恶劣环境中运行，对公司设计能力和生产工艺控制水平要求高。本阶段公司根据不同产品需要采购相应的芯片、DBC、散热基板等原材料，通过芯片贴片、回流焊接、铝线键合、测试等生产环节，最终生产出符合公司标准的IGBT模块。
公司销售主要采取直销的方式进行销售，根据下游客户的分布情况，除嘉兴总部外在全国建立了六个销售联络处，并于瑞士设立了控股子公司斯达欧洲，负责国际市场业务开拓和发展。
下游应用：
中国工控 IGBT 市场按照总体 150 亿 RMB 工控占比 29%计算大约在 44 亿 RMB。 按照国内复合增速 5%，则 2025 年国内工控的市场空间约为 60 亿元；这一块是斯达半导的基本盘，行业需求分散稳定且波动相对较小。英威腾和汇川技术等工控领域国内 领军公司一直都是斯达半导排名第一第二的大客户。
疫情加速了国内下游工控行业的国产替代进程，疫情同时阻碍了英飞凌等 IGBT 产品进入国内。斯达工控 IGBT 可能处于下游本 土需求增加+加速替代国外龙头提升份额的有利局面，预计在后疫情时代工控 IGBT 领 域持续提升市占率的过程也将持续。
IGBT 占新能源车成本近 8%，且是纯增量产品。 IGBT 模块在新能源 汽车 领域中发挥着至关重要的作用，被广泛应用于电机控制器、车载空调、充电桩等设备。IGBT 模块的作用是交流电和直流电的转换，同时IGBT模块还承担电压的高低转换的功能。新能源 汽车 外接充电时候是交流电，需要通过 IGBT模块转变成直流电然后给电池，同时要把交流电压转换成适当的电压以上才能给电池组充电。
在电动车领域主要应用分三类： 1）电驱动系统：IGBT 模块将直流变交流后驱动 汽车 电机（电控模块）； 2）车载空调变频与制热：小功率直流/交流逆变，这个模块工作电压不高，单价相对也低一些； 3）充电桩中 IGBT模块被用作开关使用：直流充电桩中 IGBT模块的成本占比接 近 20%；
电池成本占比最大，一般来说可以占到约电动车总成本 40%以上；2）成本占比第二大的是电机驱动系统,可以达到电动车总成本的 15%~20%,而 IGBT则占到电机驱动系统成本 40%-50%，等价于 IGBT 占新能源车总成本接近 8%的比例。
并且，对于IGBT来说，新能源 汽车 对 IGBT 需求是纯增量，因为传统燃油车功率半导体器件电压低，只需要Si基的 MOSFET，而新能源 汽车 在 600V以上MOSFET无法达到要求，必须要换成 IGBT；因此 IGBT 是仅次于电池以外第二大受益的零部件。
斯达在家电 IPM 和光伏风电等都有相关布局，但是营收占比还相对较小，19 年占比在 4%左右，可能和市场空间相对较小，公司选择先攻克工控和新能源 汽车 的战略有关，在供应链安全因为外部环境受到威胁的大背景下，斯达未来在这一块不断增长的利基市场还是有比较大的替代潜力，是斯达的潜在期权增量领域。
行业地位：
由于IGBT对设计及工艺要求较高，而国内缺乏IGBT相关技术人才，工艺基础薄弱且企业产业化起步较晚，因此IGBT市场长期被大型国外跨国企业垄断，国内市场产品供应较不稳定；随着国内市场需求量逐步增大，供需矛盾愈发突显。我国政府于《中国制造2025》中明确提出核心元器件国产化的要求，“进口替代”已是刻不容缓。公司具备自主研发设计国际主流IGBT芯片和快恢复二极管芯片的能力和先进的模块设计及制造工艺水平，全面实现了IGBT和快恢复二极管芯片及模块的国产化，是国内IGBT行业的领军企业。
根据全球著名市场研究机构IHS在2019年发布的最新报告，2018年度公司在全球IGBT模块市场排名第八，市场占有率2.2%，是唯一进入前十的中国企业。
未来看点：
短期看工控IGBT ：20年疫情背景加速了下游如汇川技术等客户变频器/伺服等产品的国产替代（汇川中报业绩预告高速增长），同时斯达竞争对手英飞凌等产能受限物流受阻，斯达工控IGBT目前处于客户高增长和竞争对手暂时受阻碍的有利局面，二三季度边际向好确定，未来2年工控IGBT是斯达的基本盘；
中期看车载IGBT ：车载IGBT行业增速快于工控，且认证慢，安全性和产品性能要求高；斯达前期车载IGBT产品持续研发布局，累计给20家车企客户进行小批量配套供货，预计接下来将迎来收获期，且恰逢IPO扩产增加车载IGBT产能，预计车载IGBT将较快起量，是公司20-25年增长最快的细分领域；新能源 汽车 业务进展顺利，新增多个项目定点。上半年新能源乘用车销量大幅下滑的背景下，公司新能源领域营收仍小幅增长，估计公司已成为低功率电动车细分领域最大的IGBT模块供应商，同时斩获了多个国内外知名车型平台定点，将在2022年开始SOP。另外，48V功率器件开始大批量装车应用，出货量有望继续上升。
长期看SIC布局 ：斯达对SIC持续投入研发，并和宇通等联合开发基于SIC的电机控制系统，预计2024年左右国内会迎来SIC器件渗透率拐点，测算不同SIC渗透率和斯达在IGBT/SIC器件不同市占率下斯达2025年的收入，显示2025年斯达收入在42亿-64亿之间，净利率20%左右。
于连成 现为中国电子进出口总公司副总。张 飙 现为中国科技日报社总编辑。
徐汉京 1973年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）英语专业，获学士学位。现为中国冶金进出口总公司总经理。
闫铁昌 现为中国电子科技集团第十二所所长。
李胜年 现为电子科技集团公司十二研究所党委书记兼副所长。
贾同金 1974年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通信专业，获学士学位。现为国家统计局人口司司长。
唐刚斗 1966年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算装置专业，获学士学位。现为航天二院长峰集团总经理。
谢良贵 1992年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电磁场与微波技术专业，获博士学位。现为航天部二院院长。
宇仁录 现为民航总局人事教育司司长。
郭福华 1966年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通讯设备专业，获学士学位。现为信息产业部政策法规司副司长。
智文广 现为广联集团（中国）总裁。
杨义先 现为北京邮电大学信息工程学院教授。
李云山 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）激光技术专业，获学士学位。现为朗迅科技（中国）有限公司副总裁，朗讯全球服务中国区光网络。
杨国安 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）半导体器件专业，获学士学位。现为四川省科技厅厅长、省委委员。
郝康理 1988年毕业于我校电子工程专业（硕士），现任成都市委常委、成都市宣传部部长，同时担任中国雷达协会理事、中国电子学会四川学会副理事长、成都市青年名誉主席。
陈 伟 现为中华人民共和国信息产业部经济体制改革与经济运行司副司长。
朱志宏 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电真空器件专业，获学士学位，现为成都市人民政府副市长。
陈润生 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。现为信息产业部电子第29所所长。
陈 浩 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）磁性材料与器件专业，获学士学位。现为信息产业部电子第9研究所所长。
曾 利 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。现为信息产业部电子第十研究所所长。
彭泽忠 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）半导体专业，获学士学位。现为美国凯路技术股份有限公司董事长。
徐世六 现为信息产业部电子第24所所长。
王俊波 1996年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）光学专业，获博士学位。现为西南科技大学党委书记。
吴旭峰 1968年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位。原中国电子科技集团公司第26所所长。
蓝 戈 现为中国兵器工业209所所长。
曾贤麟 1961年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）四零一专业，获学士学位。现为成都中鹏房地产开发有限公司董事长。
罗 荣 1983年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）应用数学专业，获学士学位。现为成都宏明电子股份有限公司总经理。
欧阳茂 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）微波技术专业，获学士学位。现为成都锦江电子系统工程有限公司总经理。
朱晋蜀 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机专业，获学士学位。现为成都电子机械高等专科学校校长。
邬 江 现为四川长虹电器股份有限公司董事，执行副总裁。
张华生 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。现为四川广元081总厂厂长。
王 凌 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通信专业，获学士学位。现为中物院九院院长助理。
蒋世杰 现为成都国光电气总公司总经理。
何一平 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获博士学位。现为广东省广晟资产经营有限公司副总经理。
宋 帆 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）真空电子技术专业，获学士学位。现为广东福地股份有限公司副总经理。
胡志宏 1995年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电路与系统专业，获博士学位。现为艾默生网络能源有限公司副总裁。
周春林 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。现为电子科技集团公司第13研究所党委书记兼副所长。
张冬辰 现为电子科技集团公司第五十四研究所所长/研究员。
宋绍华 现为山西省政协副主席。
胡先发 1968年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）微电子专业，获学士学位。现为信息产业部电子第58研究所所长。
赵建坤 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）固体器件专业，获学士学位。现为无锡华晶微电子股份有限公司总经理。
李正茂 1985年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信与电子系统专业，获硕士学位。现为中国联合通信有限公司副总裁。
曹国民 现为贵州省信息产业厅党组副书记、副厅长。
陈营官 1965年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）长途通信专业，获学士学位。现为福建省省委常委、统战部部长。
唐 俊 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）信号、电路与系统专业，获博士学位。现为宏智科技股份有限公司副总裁。
水从容 现为电子部38所副所长
陈亚平 1985年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机专业，获硕士学位．现为四川鼎天（集团）有限公司总裁．
谭宜成 1984年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子材料与元件专业，获硕士学位．现为四川天一科技股份有限公司副总经理．
杨钢 现为前锋电子股份有限公司总经理．
郑超 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获硕士学位．现为成都旭光电子股份有限公司董事长 党委书记．
郭爱平 1983年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机工程专业，获学士学位．现为TCL科技股份有限公司CEO。
黄章勇 1968年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电（真空）专业，获学士学位．现为深圳飞通光电股份有限公司董事总裁．
李平 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）工业管理工程专业，获硕士学位。现为深圳市科技局副局长．
林永平 现为广州世纪华软科技有限公司（广州）董事长
李山林 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。 现为广东湛江中国人民解放军91388部队总工程师．
刘建新 1991年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电路与信号系统专业，获硕士学位,现为深圳市天昊科技有限公司总经理．
肖庆 1993年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机通信专业，获学士学位．现为深圳世强电讯有限公司总经理．
张英儒 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子材料与元器件专业，获学士学位．现为环球电子导报主编．
申志强 现为中国振华电子集团公司副总裁，董事局成员．
高德铭 1969年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位。现为中国航天科工集团0六一基地党委书记，常务副主任。
陆剑侠 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）固体器件专业，获学士学位。 现为东北微电子研究所副所长 高工．
陈永俊 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。 现为信息产业部电子第53研究所所长．
孙涛 1970年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位.现为陕西凌云电器总公司(国营第七六五厂) 党委书记．
沈长河 1966年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位．现为西安飞机设计所党委书记．
周建波 现为天津光电通信技术有限公司副总工程师．
陈荣水 1969年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位。现为福州海关党组成员，副关长
邹自立 1991年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获硕士学位．现为信息产业部第34研究所副所长．
陈倜嵘 现为亚康科技（深圳）有限公司总经理，教授．
曾黄麟 1991年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电路系统专业，获博士学位，四川轻化工学院院长。
李晋德 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）微波技术专业，获学士学位。现为四川省广播电视有限责任公司董事长
王柏华 王柏华：1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）自动控制专业，获学士学位。 现为优网通联合资讯有限公司中国区业务副总
王庆宗 1983年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电真空技术专业，获学士学位．现为北京总装计划部预研局局长。
葛卫平 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）光电子技术专业，获学士学位．现为南京华日液晶显示技术有限公司总经理。
陈晓林 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）光电子技术专业，获学士学位．现为成都旭光电子股份有限公司总经理。
周子学 现为信息产业部经济体制改革与经济运行司司长。
张占勇 现为中信资产管理有限公司总经理。
邓长儒 现为总装备部电子信息部总经理。
高福安 现为北京广播学院副院长。
葛程远 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获硕士学位．现为信息产业部机关第二服务局局长。
刘新华 现为国家计委外经贸司副司长。
林仲闽 1985年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电磁场与微波技术专业，获硕士学位．现为福州卫通联电子技术有限公司总经理。
贺中春 1996年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子精密机械专业，获学士学位．现为厦门爱声音响有限公司（厦新电子集团）董事长、总经理。
梁敏强 现为深圳市中房房地产服务有限公司总经理。
刘 飞 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信与电子系统专业，获硕士学位．现为TCL阿尔卡特有限公司CEO。
尹子琴 现为昆明爱迪科技有限公司总经理。
余江 1996年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信与电子系统专业，获硕士学位．现为云南大学信息学院院长。
杨永 现为昆明浩州集团有限公司董事长、总裁。
漆联邦 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通讯专业，获学士学位．现为北京三九佳和信息科技发展有限公司总经理。
田长江 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通讯专业，获学士学位．现为北京拜迪克斯科技有限公司董事长。
王吉来 现为国家计量局副局长。
梁鸣 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通讯专业，获学士学位．现为中国电子科技集团公司第七研究所所长
万永乐 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位．现为信息产业部电子七所副所长、广州市弘宇科技有限公司总经理。
樊均洪 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获硕士学位．现为珠海邦兴电子科技有限公司总经理。
刘东宏 现为深圳市创远实业有限公司总经理。
谢红星 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）真空电子技术专业，获学士学位．现为深圳市世纪大吉网络通讯有限公司集团总裁。
田进 1977年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）短波与超短波专业，获学士学位．现为深圳京华电子股份有限公司总经理。
张进 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电真空器件专业，获学士学位．现为深圳合力顺电子有限公司董事长兼总经理。
伍荣生 1966年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电测量专业，获学士学位．现为深圳开发科技股份有限公司副总裁、董事。
瞿洪桂 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）工业管理工程专业，获硕士学位．现为北京中电兴发科技有限公司董事长兼总裁。
刘济东 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机科学与技术专业，获学士学位．现为中国电子科技集团公司第二研究所副所长。
干益民 1988年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电技术专业，获学士学位．现为上海天成宏业科技股份有限公司副董事长，总经理。
戴克勤 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）秘书专业，获学士学位．现为江苏宏图高科技股份有限公司总裁办主任、总裁助理。
周万幸 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达侦察与干扰专业，获学士学位．现为中电科技集团14所副所长。
邱培曦 1967年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）长途通讯设备专业，获学士学位．现为南京富士通通信设备有限公司副总经理
王芬平 现为深圳市钻石商业广场总经理。
李晓白 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）半导体器件专业，获学士学位．现为深圳集成微电子有限公司董事长、Integroth Canada Co.,Ltd.CEO、加拿大中国商会常务理事兼IT分会会长。
彭正能 原桂林电子工业学院党委书记。
王远辉 现为四川省德阳市副市长。
杨伟 现为成都市教育局局长。
蒲含友 1970年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位．现为中国兵器工业第58研究所党委书记。
罗天文 1984年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信与电子系统专业，获硕士学位．现为信息产业部电子第三十研究所董事长、研究员。
何健 1993年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信工程专业，获学士学位．现为中国共产党乐山市委员会常委、乐山市人民政府常务副市长。
补建 现为成都三泰电子实业有限公司董事长、总经理。
邵立肃 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）哲学专业，获学士学位．现为中央人民广播电台、中国国际广播电台四川记者站站长。
张安弟 1972年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）半导体器件与材料专业，获学士学位．现为四川电视台副台长。
姚军 1977年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）短波与超短波专业，获学士学位．现为中国工程物理研究院电子工程研究所所长。
王彬 1988年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电磁场与微波技术专业，获学士学位．现为北京新雷能有限责任公司董事长、总经理。
孙伟 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机专业，获学士学位．现为威盛电子股份有限公司董事长。
赵 剑 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院），获学士学位．现为深圳市金证科技股份公司总裁。
李结义 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机软件与理论专业，获硕士学位．现为深圳市金证科技股份公司副总裁。
马晓健 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）机械制造专业，获硕士学位．现为宁波波导股份有限公司副总经理。
金光涛 现为宁波波导股份有限公司副总经理
任 江 1999年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机应用技术专业，获硕士学位．现为北京长城宽带网络服务有限公司副总经理。
唐小我 现为四川省教育厅副厅长
张 浩 长沙浩博实业有限公司董事长,电子精密机械专业,第四届中国十大杰出青年农民；湖南省第十届人民代表大会代表；长沙现代农业科技示范基地总裁
陈 可 1985年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）激光技术专业，获学士学位．现为上海晓通网络技术有限公司华东区销售总监。
季宗棠 现为上海校友会会长。
徐伟国 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电真空器件专业，获学士学位．现为上海菲力克斯电子有限公司董事长。
白建川 1984年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电视专业，获学士学位．现为南京熊猫集团总工程师。
胡波 1984年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电视专业，获学士学位．现为美国安科特纳公司上海办事处总经理。
李开芹 1969年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位．现为武汉校友会会长。
朱世平 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子仪器及测量技术专业，获学士学位．现为长沙市委组织部副部长。
同伟 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）物理电子技术专业，获学士学位．现为西安新浪数码有限公司总经理。
燕林豹 1988年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电设备结构设计专业，获学士学位．现为陕西黄河集团有限公司副总经理。
智勇 现为贵州华城实业（集团）执行总裁、贵州华城楼宇科技董事长、贵州华城大酒店总经理。
胡爱民 现为中国电子科技集团公司第26所所长。
廖建新 廖建新:1965年生于四川宜宾。1996年在电子科技大学获工学博士学位。东信北邮信息技术有限公司董事、总裁，北京邮电大学网络智能研究中心主任、教授、博士生导师。
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