电力半导体件IGBT有哪些特点？

IGBT的主要优点有：

1、IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。

2、IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。

3、较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。

4、IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。

6、与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。

IGBT也具有若干重大的的缺点：

1、因为IGBT工作时，其漏极区（p+区）将要向漂移区（n-区）注入少数载流子——空穴，则在漂移区中存储有少数载流子电荷；当IGBT关断（栅极电压降为0）时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长（10～50ms）。

2、所以IGBT的工作频率较低。为了缩短关断时间，可以采用电子辐照等方法来降低少数载流子寿命，但是这将会引起正向压降的增大等弊病。

3、IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。

呵呵

电容器和电动机都需要无功功率，但是他们需要的无功功率正好是方向相反的。所以就可以利用这个反相的特点，在电机需要无功时，正好电容放出无功，反过来，电机放出无功时，又是玷辱吸收无功，这样就可以互补了，电机或电容就不需要从电源那里索取无功功率，就提高了电网的效率，提高了设备的功率因数。

补偿容量的计算，理论上是以负载的无功功率需求为依据。但是实际中因负载时常变化，所以电容柜只好选取最大需求为准，配合自动补偿，达到按负载需要补偿。可到百度贴吧－－”无功补偿互助营“去看看，上面有类似问题

用万能表可以测出电力半导体模块的： 电流，电压，电容，电阻，电波长度，幅度和所有电性功能功率。

但半导体模块的好坏是有专用终测程序来读取参数判断，一般万能表只能知道开短路，无法判断好坏。

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