前20号良好的半导体

X、Y、Z、W为周期表中前20号元素中的四种，原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是次外层电子数的3倍，原子只能有2个电子层，最外层电子数为6，故X为O元素；Y、Z位于同周期，Z单质是一种良好的半导体，则Z为Si；W、Y为金属元素，结合原子序数可知，W为K、Ca中的一种，Y为Na、Mg、Al中的一种，Y、Z原子的最外层电子数之和与X、W原子的最外层电子数之和相等，则Y、W原子最外层电子数之差为6-4=2，故Y为Al、W为K．

A．X为O，Z为Si，非金属性O>Si，故氢化物稳定性H 2 O>SiH 4 ，故A错误；

B．同周期自左而右原子半径减小，同主族自上而下原子半径增大，故原子半径K>Al>Si>O，故B正确；

C．Y为Al、W为K，金属性K>Al，故碱性KOH>Al（OH） 3 ，故C错误；

D．Y最高价氧化物能为氧化铝，属于两性氧化物，而Z的氧化物为二氧化硅，属于酸性氧化物，故D错误，

故选B．

在元素周期表中金属和非金属的分界处,可以找到半导体材料,如硅、锗、镓等

另外还有半导体的特性：

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：

（1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系.温度升高,半导体的电阻率会明显变小.例如纯锗（Ge）,温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半.

（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感,无光照时,不易导电；受到光照时,就变的容易导电了.例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧.半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”.利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等.

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能.目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管.

另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源.

（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化.例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米.因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件.

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