半导体有源区是什么

半导体有源区是什么,第1张

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。(就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术,隔离开的区域)。有源区主要针对MOS而言,不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区(掺杂类型相同)在进行互联之前,两个有源区没有差别。另外,业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区了。

减少硅料消耗

对于以硅片为基底的光伏电池来说,晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果,截口损失主要和切割线直径有关,是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。

半导体器件中iso区是浅沟道隔离。能实现高密度的隔离,深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。在器件制作之前进行,热预算小,STI技术工艺步骤类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化。工艺复杂,要回刻或者CMP。

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺,它包括两个区域,即n-MOS和p-MOS 有源区,分别对应p阱和N阱,在进行阱注入时,产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性,即首先采用高能量、大剂量的离子注入,注入的深度约为 1um,注入区域与阱相同,随后通过大幅降低注入能量及剂量,控制注入深度和掺杂剖面。阱的注入掺杂不仅可以调节晶体管的阈值电压,也可以解决CMOS 电路常见的一些问题,如闩锁效应和其他可靠性问题。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/9149481.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-25
下一篇 2023-04-25

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存