如何测量半导体纳米材料的价带与导带

磷杂质是5价原子，它的5个价电子中有4个与硅原子结合成共价键，多出一个电子。 在温度极低时， 这个多出的电子才有可能束缚在磷原子周围。而在一般条件下，绝大多数磷原子的这个多出的电子都是电离了的。 说明激发这个多出的电子到导带所需要的能量 要比激发那些共价键里的电子（就是那些还在价带里的电子）所需的能量少很多很多啊，就是说激发这个电子进入导带容易得多。 所以，磷原子所在的施主能级应该离导带很近才对（而不是离价带近），才符合刚才的现象。 同样的，对应受主杂质的能级，如3价元素碰，应该离价带近，离导带远。不知道我是否说清楚了，有不妥的地方，只因水平有限，所以还请见谅

对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价电子）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程

，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。

价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。

价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。

怎么看电子态密度的上价带和下价带

导带：由自由电子形成的能量空间.

在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带

价带：半导体或绝缘体中,在0K时能被电子占满的最高能带.对半导体而言,此能带中的能级基本上是连续的.全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动.但若该电子受到光照,它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区,从而使价带变成部分充填,此时价带中留下的电子可在固体中自由运动.价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的.

被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）.

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