P型半导体带正电,N型半导体带负电。 对错

P型半导体带正电,N型半导体带负电。 对错,第1张

这种说法是错的。

不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性。区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,N型自由电子浓度远大于空穴浓度。

扩展资料:

1、半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

2、“N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如,含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

3、“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如,含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

参考资料:N型半导体_百度百科P型半导体_百度百科

P型半导体又叫空穴型半导体,在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼、铝),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。由于硼或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。 N型半导体又称为电子型半导体,在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。由于磷原子周围有5个价电子,与周围4价硅原子配位共价键外还有一个多余电子,形成自由电子。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。 在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。 在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子,空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子,自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区。由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区形成了内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,阻止扩散。 PN结存在结电容,因此PN结的单向导电性有个允许的最高工作频率。结电容越小,允许的工作频率越高。


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