用各种计算浓度的方法,计算半导体载流子的浓度

半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。

在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。

载流子浓度单位是个／每立方米，或者写成／m³,（其中m³可以换成立方厘米）。

定义：

单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。

处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度称为平衡载流子浓度。

平衡电子浓度和空穴浓度，在非简并情况下，它们的乘积满足n0p0=ni2。

载流子

在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。

在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。

金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。

如半导体中的自由电子与空穴，导体中的自由电子，电解液中的正、负离子，放电气体中的离子等。

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