半导体的光电发射效应 谁能帮我解释一下 尽量详细一点？？

光电发射效应半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。外光电效应的两个基本定律：1．光电发射第一定律——斯托列托夫定律：当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时，饱和光电流（即单位时间内发射的光电子数目）与入射光强度成正比： 2. 光电发射第二定律——爱因斯坦定律光电子的最大动能与入射光的频率成正比，而与入射光强度无关： Emax=(1/2)mυ2max=hν- hν0=hν- W光电发射大致可分三个过程：1) 金属的电子吸收光子能量，从基态跃迁到能量高于真空能级的激发态。 2) 受激电子从受激地点出发，在向表面运动过程中免不了要同其它电子或晶格发生碰撞，而失去一部分能量。 3) 达到表面的电子，如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对电子的束缚（即逸出功）时，即可从表面逸出。 注意：在光电效应里面：包括内电光与外电光效应，都存在着一个阀值波长问题

爱因斯坦他发现颠覆物理学界的微观规律.由此,人们开始了现代化的发明创造.

1905年，不仅对于当时年仅26岁的爱因斯坦个人来说，而且对于整个物理学史来说，都是一个奇迹年。这一年，爱因斯坦提出了三项都具有划时代意义的理论——光量子假说（他因此而获得1921年诺贝尔奖）、狭义相对论、布朗运动的统计性解释（由此引出的验证性实验的结果使得当时并不相信原子是真实的几位大科学家都转而相信了）。

此后11年，爱因斯坦主要是在向他的更高目标——广义相对论发起进攻，终于在他37岁时给出了广义相对论的基本框架。此后多年他都在完善它的这个理论，作具体的计算（广义相对论的非线性的偏微分方程组极其难解，直至今日，仍有不少物理学家乃至数学家在研究它的求解问题），将它应用于整个宇宙。现代意义上的宇宙学是爱因斯坦开创的。

毫不夸张地说，根据爱因斯坦创立的科学理论而衍生出的发明创造，几乎涵盖了现代文明的每一个角落。电脑游戏、公共汽车、数码照相机……我们衣食住行的每个细节都闪现着爱因斯坦的影子。

烟雾探测器

这里用一个假设的“你”做比喻。早晨当你从下榻的宾馆起来，走出房间准备晨练时，请注意你头上的烟雾探测器。它利用放射性物质镅-241释放出能量，产生一小束带电粒子。一旦发生意外，从火焰里冒出来的烟雾与粒子束发生反应，触动警报器自动拉响。

由于镅的原子核不稳定，一旦裂开，质量似乎就消失了一些，因为碎片的质量比原来的原子核小

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