集成电路工艺设备的UT表和UM表？

(1)集成电路前工艺设备根据其工艺性质，主要有以下几种。外延炉：用于外延材料生长。氧化扩散设备：用于制取氧化层和实现掺杂。制膜设备：主要有电子束蒸发台、磁控溅射台、等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备。离子注入机：用于高精度掺杂，根据注入能量、束流大小和硅片尺寸不同有多种规格。 腐蚀、刻蚀设备：主要AD7890BN-4有化学湿法腐蚀和等离子体化学干法刻蚀设备，干法刻蚀具有良好的选择性和定向性。光刻设备：有匀胶机、曝光机、显影设备、坚膜烘焙机等设备。纯水制取设备：用于为工艺生产提供纯净无杂质、无细菌的水。环境控制设备：包括水、风、电、气、冷、湿、暖七大类型，主要是为集成电路生产提供洁净的环境，必要的动力和恒定的温度、湿度。在线检测仪器：主要用于检验、测控集成电路制造过程中的各种工艺参数，主要有膜厚测量仪、结深测量仪、C-V特性测量仪、C-T特性测量仪、薄膜应力测试仪、表面缺陷检查仪、激光椭偏仪、线宽测量仪、电子显微镜、原子力显微镜等，还有各种放大倍率的光学显微镜、晶体管特性图示仪等部分常规仪器。(2)后工艺的主要设备有以下几种。裂片机：主要用于对加定完毕的硅片上的集成电路进行分割，压焊机：包括有超声、金球焊接设备，实现管芯内部引线端与外管壳外引线的电气连接。封装设备：按不同工艺，有储能对象机、平行封焊机、玻璃熔封设备、塑封机以及激光电子束封贴机等。老化筛选设备：有高／低温箱，静／动态老化台，各种测试仪器、仪表、离心、振动等设备。

半导体封装设备目前比较主流的有卓兴半导体、新益昌、ASM等，其中卓兴半导体更符合问题中要求的高精度、高度度和高良率，他们总结并提出的3C固晶法则从Correction校正、Control控制和Continuity连续这三个层面改善和提高了固晶的精度、速度、良率，精度可以达到固晶位置误差＜±10um、角度误差＜0.5°，速度可以达到40K/H，良率可以达到99.99%。

   真空，指某一个容器中不含有任何物质（现实生活中并不存在真正的真空），通常我们把低于正常大气压的容器状态就叫做真空状态。绝大多数半导体工艺设备都需要真空。

  真空度，表示该容器中，气体的稀薄程度，通常用压力值表示。实际应用中，有绝对真空和相对真空两种说法。

  绝对真空，又可以叫做绝对压力，绝压，它是以理论真空为零位，表示比“理论真空”高出多少压力，该值都是正值，值越小，越接近绝对真空，真空度越高；即，值越小，气体越稀薄，真空度越高；通常该值的后面会用abs.作为后缀。 比如：真空度从高到底的顺序是1 mbar abs. >10 mbar abs. >1个 标准大气压。

  相对真空，又可以叫做表压，负压，是以大气压作为零位，表示比该零位低多少，用负值表示。该值越大，真空度越高，比如真空度从高到底依次是 -1000 mbar >-500 mbar >0 mbar (大气压）。

  通常，国内习惯用相对真空来标识真空度，因为相对真空的测量方法简单，测量仪器普遍（一般的真空表都是相对真空表），大家为了表达方便，会把相对真空前面的负号去掉，比如设备的真空度是0.1MPa，实际是-0.1MPa；再比如，如果我们购买真空表时，一般卖家会问，真空度用的是绝压还是表压，这时要考虑我们自己的需求了，一般情况下我们用的是表压，即相对真空。

---