半导体专业英语翻译2（翻译软件勿入）

半导体设备技术的革新历来都与缩减设备尺寸以及引进新材料新技术相挂钩，从而使设备更优化，生产成本也随之减少。这样的趋势一定意义上促进了设备结构的更加复杂化。在许多实例中，一些新材料，诸如硅锗，高-k 介质，以及其他一些“外来”材料[1]-[3]开始用于传统硅基础技术改造。这些改造方法在对进一步对未来缩小技术节点的最新特征尺寸时能被允许，起源于90纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）的技术节点下降到最合理的16纳米以后。另一种能够改善性能的方法，就是新的如鳍状场效应晶体管（FETs）[3]一类的设备的引入，分离设备的引进也为推广FETs提供可能，从而形成CMOS波纹或垂直通道等。以上所有模式引领了决定这些设备性质的3-D效应。这也逐步使得拥有这样一套具有良好设置的模拟工具集而使研究者能够不断探索更有效方式以及推广新想法变得十分重要。

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