半导体光刻工艺之刻蚀——干法刻蚀

湿法腐蚀的优点在于可以控制腐蚀液的化学成分，使得腐蚀液对特定薄膜材料的腐蚀速率远远大于其他材料的腐蚀速率，从而提高腐蚀的选择性。但是，由于湿法腐蚀的化学反应是各向同性的，因而位于光刻胶边缘下边的薄膜材料就不可避免的遭到腐蚀，这就使得湿法腐蚀无法满足ULSI工艺对加工精细线条的要求。所以相对于各向同性的湿法腐蚀，各向异性的干法刻蚀就成为了当前集成电路技术中刻蚀工艺的主流。 一、干法刻蚀的原理 干法刻蚀是指利用等离子体激活的化学反应或者是利用高能离子束轰击去除物质的方法。因为在刻蚀中并不使用溶液，所以称之为干法刻蚀。干法刻蚀因其原理不同可分为两种，一种是利用辉光放电产生的活性粒子与需要刻蚀的材料发生化学反应形成挥发性产物完成刻蚀，也称为等离子体刻蚀。第二种是通过高能离子轰击需要刻蚀的材料表面，使材料表面产生损伤并去除损伤的物理过程完成刻蚀，这种刻蚀是通过溅射过程完成的，也称为溅射刻蚀。上述两种方法的结合就产生了第三种刻蚀方法，称为反应离子刻蚀（简称RIE）。 在干法刻蚀中，纵向上的刻蚀速率远大于横向的刻蚀速率。这样，位于光刻胶边缘下边的材料，由于受到光刻胶的保护就不会被刻蚀。不过，在干法刻蚀的过程中，离子会对硅片上的光刻胶和无保护的薄膜同时进行轰击刻蚀，其刻蚀的选择性就比湿法刻蚀差（所谓的选择性是指刻蚀工艺对刻蚀薄膜和其他材料的刻蚀速率的比值，选择性越高，表示刻蚀主要是在需要刻蚀的材料上进行）。 在等离子体中存在有离子、电子和游离基（游离态的原子、分子或原子团）等，这些游离态的原子、分子或原子团等活性粒子，具有很强的化学活性，如果在这种等离子体中放入硅片，位于硅片表面上的薄膜材料原子就会与等离子体中的激发态游离基发生化学反应，生成挥发性的物质，从而使薄膜材料受到刻蚀，这就是等离子体刻蚀的原理和过程。因为等离子体刻蚀主要是通过化学反应完成的，所以具有比较好的选择性，但是各向异性就相对较差。 在溅射刻蚀过程中，等离子体的高能离子射到硅片表面上的薄膜表面时，通过碰撞，高能离子与被碰撞的原子之间就会发生能量和动量的转移，从而使被撞原子受到扰动。如果轰击离子传递给被撞原子的能量比原来的结合能（从几个eV到几十个eV）还要大，就会使被撞原子脱离原来的位置飞溅出来，产生溅射现象。例如，辉光放电中产生的氩离子，其能量高达500eV以上，这种高能离子束轰击硅片上的薄膜表面就会形成溅射刻蚀。溅射刻蚀的优点是各向异性刻蚀，而且效果很好，但是对刻蚀的选择性相对较差。 反应离子刻蚀是一种介于溅射刻蚀与等离子体刻蚀之间的干法刻蚀技术。在反应离子刻蚀中，同时利用了物理溅射和化学反应的刻蚀机制。反应离子刻蚀与溅射刻蚀的主要区别是，反应离子刻蚀使用的不是惰性气体，而是与等离子体刻蚀所使用的气体相同。由于在反应离子刻蚀中化学和物理作用都有助于实现刻蚀，因此就可以灵活的工作条件以求获得最佳的刻蚀效果。举例来说，如果某种气体的等离子体只与Si起化学反应，由于化学反应阻挡层SiO2的存在，就可以得到良好的Si/SiO2刻蚀速率比，从而保证刻蚀选择性的要求。反应离子刻蚀的缺点在于刻蚀重点难以检测。 综上所述，等离子体刻蚀和溅射刻蚀之间并没有明显的界限，一般来说，在刻蚀中物理作用和化学反应都可以发生。我们分析反应离子刻蚀、等离子体刻蚀和溅射刻蚀之间的关系可以看到：在反应离子刻蚀中，物理和化学作用都特别重要；在等离子体刻蚀中，物理效应很弱，主要是化学反应；而在溅射刻蚀中，几乎是纯物理作用。比较这三种刻蚀技术我们还可以发现，它们都是利用低压状态下（约0.01—133Pa）气体放电来形成等离子体作为干法刻蚀的基础，其区别是放电条件、使用气体的类型和所用反应系统的不同。刻蚀反应的模式取决于刻蚀系统的压力、温度、气流、功率和相关的可控参数。目前，在集成电路工艺过程中广泛使用的是反应离子技术。下面简要介绍采用干法刻蚀对集成电路制造中常用材料的刻蚀情况。 二、二氧化硅和硅的干法刻蚀 二氧化硅在集成电路工艺中的应用非常广泛，它可以作为隔离MOSFET的场氧化层，或者是MOSFET的栅氧化层，也可以作为金属间的介电材料，直至作为器件的最后保护层。因此，在集成电路工艺中对SiO2的刻蚀是最为频繁的。在ULSI工艺中对二氧化硅的刻蚀通常是在含有氟化碳的等离子体中进行。早期刻蚀使用的气体为四氟化碳（CF4），现在使用比较广泛的气体主要有CHF3、C2F4、SF4，其目的都是用来提供碳原子核和氟原子与SO2进行反应。以CF4为例，当CF4与高能量电子（约10eV以上）碰撞时，就会产生各种离子、原子团、原子和游离基。其中产生氟游离基和CF3分子的电离反应。氟游离基可以与SiO, 和Si 发生化学反应。反应将生成具挥发性的四氟化硅（SiF4)。 CF4+e——CF3 十F(游离基）＋e SiO2+4F——SiF4(气）＋02 Si+4F——SiF4(气） 在ULSI工艺中对SiO2 的干法刻蚀主要是用于刻蚀接触窗口，以MOSFET的接触窗口刻蚀为例。在MOSFET的上方覆盖有SiO2 层（通常是硼磷硅玻璃，简称BPSG), 为了实现金属层与 MOSFET的源／漏极之间的接触，需要刻蚀掉位于 MOSFET源／漏极上方的SiO2。为了使金属与 MOSFET源／漏极能够充分接触，源／漏极上方的SiQ2必须彻底清除。但是在使用CF4等离子体对SiO2进行刻蚀时，等离子体在刻蚀完 SiO2之后，会继续对硅进行刻蚀。因此，在刻蚀硅上的二氧化硅时，必须认真考虑刻蚀的选择性问题。 为了解决这一问题，在CF4 等离子体中通常加人一些附加的气体成份，这些附加的气体成份可以影响刻蚀速度、刻蚀的选择性、均匀性和刻蚀后图形边缘的剖面效果。 在使用CF4对硅和二氧化硅进行等离子刻蚀时，如果在CF4的等离子体中加人适量的氧气，氧气也同样被电离。其中，氧原子将与CF4反应生成CO和CO2 , 以及少量的COF2 ,另一方面，氟原子在与SiO2反应的同时，还与CF4原子团（x≤3)结合而消耗掉。在纯CF4等离子体中，由于存在使氟原子消耗的反应，造成氟原子的稳态浓度比较低，所以刻蚀的速度也比较慢。如果加入氧，则氧可与CFx原子团形成COF2 , CO和CO2, 造成CF, 原子团耗尽，从而减少了氟原子的消耗，进而使得CFx等离子体内的氟原子数对碳原子数的比例上升，其结果是氟原子的浓度增加，从而加快SiO2 的刻蚀速度。 对于CF, 刻蚀Si薄膜，也有相同的情况。在CF4刻蚀二氧化硅的过程中，氧的组分大约占20%时刻蚀的速度达到最大值。而使用CF4刻蚀硅，刻蚀速度最大时氧的组分大约占12% 。继续增加氧的组分，刻蚀速度将会下降，而且硅刻蚀速度的下降程度比刻蚀二氧化硅快。对于刻蚀 SiO2而言，氧的组分达到23%之前，刻蚀速度都是增加的，在达到氧组分临界值之后，由于氟原子浓度被氧冲淡，刻蚀速度开始下降。另一方面，由干于反应是在薄膜表面进行的，在刻蚀硅的情况下，氧原子倾向于吸附在Si的表面上，这样就部分地阻挡了氟原子加人反应。随着更多氧的吸附，对Si的刻蚀影响进一步增加。而在刻蚀二氧化硅时就不存在类似的效应。因为等效地看，SiO2的表面一开始就被氧原子所包围。因此，对硅的刻蚀速度最大时，其氧气的组分要小于刻蚀 SiO2的情况。 如果在CF4等离子体中加人氢，情况就会完全不同。在反应离子刻蚀二氧化硅的过程中，在相当低的气压下加大氢的组分，二氧化硅的刻蚀速度随氢的组分的增加而缓慢减小，这种情况可以持续到氢的组分大约占40%.而对于硅的刻蚀来说，刻蚀速度随氢组分的增加快速下降，当氢的组分大于40%时，对Si的刻蚀将停止。在CF4等离子体中加人氢对刻蚀的影响情况。 我们可以通过CF4等离子体刻蚀Si和SiO2的化学反应机制来解释这一现象。在刻蚀Si的过程中，氟原子与氢原子发生反应，从而使氢原子的浓度下降，这样等离子体中碳的含量升高，刻蚀反应就会被生成高分子聚合物的反应所代替，这就减小了对Si的刻蚀速度。另一方面，CFx(x≤3)原子团也可以与Si反应，生成挥发性的 SiF, 但是反应剩余的碳原子会吸附在Si的表面上，这些碳原子就会妨碍后续反应的进行。对于刻蚀SiO2的情况，氟原子也会与氢原子发生反应，氢原子的浓度下降也使SiO2的刻蚀速度减缓。面与刻蚀Si的情况不同的是，在CFx(x≤3)原子团与SiO2反应生成挥发性的SiF4的同时，CFx(X<3)原子团中的碳原子可以与二氧化硅中的氧原子结合，生成CO, CO2以及COF2气体，因此SiO2刻蚀速度的减缓程度要小于刻蚀Si的情况。在氢浓度超过40%以后，由于大量的氟原子与氢反应，CF4等离子体中的碳浓度开始上升，这也会在二氧化硅的表面形成高分个聚合物，从而使SiO2的刻蚀速度下降。 总的来看，在CF4等离子体中添加其他气体成份可影响等离子体内氟原子与碳原予的比例，简称F/C比。如果F/C比比较高（在CF4等离子体中添加氧气）， 其影响倾向于加快刻蚀。反之，如果F/C比比较低（在CF4等离子体中添加氢气）， 刻蚀过程倾向于形成高分子聚合物薄膜。 根据上述研究，可以通过在CF4等离子体中加人其他气体成份的方法，来解决选择性刻蚀 SiO2/Si的问题。如果CF4等离子体中O2的含量增加，刻蚀 Si 和刻蚀 SiO2的速度都加快，并且Si刻蚀速度的加快程度要大于刻蚀 SiO2的情况。因此，在CF4等离子体中加人O2将导致 SiO2/Si 刻蚀的选择性变差。在CF4等离子体中加人氢气对 SiO2的刻蚀影响不大，但是可以减小对Si的刻蚀速度。这说明在CF4等离子体中加人适量的氢气，将可以加强SiO2/Si刻蚀的选择性。 在当前集成电路工艺的干法刻蚀中，通常使用CHF3等离子体来进行SiO2的刻蚀。有时在刻蚀的过程中还要加人少量的氧气来提高刻蚀的速度。此外，SF6和NF3可以用来做为提供氟原子的气体。因为SF6和NF3中不含碳原子，所以不会在Si的表面形成高分子聚合物薄膜。 三、Si3N4的干法刻蚀 在ULSI工艺中，Si3N4的用途主要有两种：一种是在二氧化硅层上通过LPCVD 淀积Si3N4薄膜，然后经过光刻和干法刻蚀形成图形，做为接下来氧化或扩散的掩蔽层，但是并不成为器件的组成部分。这类Si3N4薄膜可以使用CF4, CF4(加O2, SF6和NF3)的等离子体刻蚀。另一种是通过 PECVD 淀积Si3N4做为器件保护层，这层 Si3N4 在经过光刻和干法刻蚀之后，氮化硅下面的金属化层露了出来，就形成了器件的压焊点，然后就可以进行测试和封装了。对于这种Si3N4薄膜，使用CF4-O2等离子体或其他含有F原子的气体等离子体进行刻蚀就可以满足要求。 实际上用于刻蚀SiO2的方法，都可以用来刻蚀 Si3N4.由于Si-N键的结合能介于Si-0键与 Si-Si键之间，所以氮化硅的刻蚀速度在刻蚀 SiO2和刻蚀Si之间。这样，如果对Si3N4/SiO, 的刻蚀中使用 CF4或是其他含氟原子的气体等离子体，对Si3N4/SiO2的刻蚀选择性将会比较差。如果使用 CHF3等离子体来进行刻蚀，对SiO2/Si的刻蚀选择性可以在10以上，而对Si3N4/Si的选择性则只有3~5左右，对 Si3N4/SiO2的选择性只有2~4左右。 刻蚀速率R是干法刻蚀的主要参数，刻蚀速率低，易于控制，但不适合实际生产要求。对于ULSI制造工艺，要有足够的刻蚀速率，且能重复、稳定的运用于生产中。这一节讨论几个影响刻蚀速率的主要因素。 四、离子能量和入射角 因为溅射刻蚀是利用物理溅射现象来完成的，所以，刻蚀速率由溅射率、离子束人射角和入射流密度决定，溅射率S定义为一个人射离子所能溅射出来的原子数。离子能量达到某一阈值能量以后（大约20 eV), 才能产生溅射，要想得到实用的溅射刻蚀速率，离子能量必须比阙值能量大得多（达几百eV以上）。在刻蚀工艺中离子的能量一般≤2keV, 在这 个能量范围内，大多数材料的溅射率随离子能量的增加单调上升，当离子能量达到一定程度之后，刻蚀速率随能量的增加是缓慢的。对于·ULSI所用的材料，Ar+离子能量为500eV 时，溅射率的典型值为0. 5~1. 5. 离子人射角表示离子射向衬底表面的角度（垂直于表面人射时，), 它是溅射率的敏感函数。当人射角大于零并增大时，衬底原子脱离表面飞出的几率增大，但是当人射角超过某一值时，在表面反射的离子增多，溅射率下降。人射角从零逐渐增加，S值也逐渐增大，在某一角度0-0max时，溅射率达到最大值，随后又逐渐减小，当0=90时，溅射率减小到零，即S=0. 在等离子体刻蚀和反应离子刻蚀中，溅射对刻蚀速率的贡献很小，更重要的是离子与材料表面之间的化学反应。但实验证明，由等离子体产生的中性粒子与固体表面之间的作用将加速反应，这种离子加速反应在许多干法蚀工艺中都起着重要作用。图8. 32是离子加速刻蚀的例子，图中分别给出Ar+和XeF2离子束射向硅表面的情况，每种离子束单独人射时，刻蚀速率都相当低。Ar+离子束是物理溅射刻蚀，XeF2解离为Xe 和两个F原子，然后，F原子自发地和硅反应形成挥发性氟化硅。当450 eV的Ar+离子束和XeF2气体同时人射时，刻蚀速率非常高，大约为两种离子束单独刻蚀速率总和的8倍。 图8. 33 表示的是离子加速反应的另一个例子，图中给出的是有Ar+存在时，CI2与硅的反应。与F原子不同，Cl2不能自发地刻蚀硅，当用450eV的Ar+离子束和Cl2同时射向表面时，硅被刻蚀，而且刻蚀速率比 Ar +溅射的刻蚀速率高得多。由图中可以看到，约轰击220秒时加人CI2气，刻蚀速率发生跃变，这是由于大量氯的存在所引起的。有几种可以解释离子加速反应的机理。① 离子轰击将在衬底表面产生损伤或缺陷，加速了化学反应过程；②离子轰击可直接离解反应剂分子（例如XeF2或Cl2)③离子轰击可以清除表面不挥发的残余物质。对这些机理及它们的相对重要性的研究仍旧是一个重要课题，并有所争论。 在上述的第一种情况中（XeF2十Si), 没有离子轰击时，离解的F原子可自发地刻蚀硅，但刻蚀速率低，在高能离子轰击下，提高了总刻蚀速率；在第二种情况下，没有高能离子轰击，（Cl2+Si)是不发生反应的。我们称前者为离子增强刻蚀；后一种情况称为离子感应刻蚀。 这两个例子说明，离子束刻蚀情况是与物过程有关的，并不是惰性气体离子的化学反应的贡献。在（XeF2十Si)和（Cl2+Si)的加速反应中，若离子能量为1keV时，Ar+, Ne+和He+离子的加速作用依次为Ar+>Ne+>He+。大量的研究结果表明，这些离子的加速作用与动量转移有关。但是，在CF4及其有关气体的等离子体刻蚀中，情况又不一样，这里离子本身就含有反应剂（例如CF3+）。在用XeF2刻蚀Si，并同时进行离子轰击的情况下，若用CF3+代替Ar+进行轰击，其刻蚀速率基本上不发生变化。因此，高能离子通过物理过程可以增强反应过程，与离子的化学反应无关。 对于反应离子刻蚀，等离子体中产生的主要是中性反应物，这些中性反应物先吸附于固体表面，再与表面原子反应，形成的反应物再解析成挥发性物质，整个反应可有等离子体中的高能离子诱发并加速。当然，高能离子提高反应速率的程度取决于所用的气体，材料和工艺参数的选取。 五、气体成份气体成份在等离子体刻蚀或反应离子到蚀中是影响刻蚀速率和选择性的关键因素，表8、1是VLSI制造中常用材料的一些代表性刻蚀气体。由表8.1可见，除了去除光削胶和刻蚀有机质之外，VLSI中主要使用卤素气体。选择气体的主要依据是，在等离子刻蚀温度(室温附近)下，它们是否能和剥蚀材料形成挥发性或准挥发性卤化物，由于含卤气体能相当容易地剂蚀VLSI所用的无机材料，而且工艺危害也很小，所以，卤化毒气体占有主要优势。 在反应刻蚀中，经常使用的是含多种成份的混合气体，这些混合气体由一种主要气体加入一种或几种添加剂组成，添加剂的作用是改善刻蚀速率、选择性、均匀性和刻蚀剖面。例如，在刻蚀Si和SiO2时，使用CF4为主的混合气体， 六、气体流速 气体流速决定反应剂的有效供给程度。反应剂的实际需要取决于有效反应物质产生与消耗之间的平衡过程，刻蚀剂损失的主要机制是漂移、扩散、复合以及附着和输运。 在一般工作条件中，气体流速射到蚀邃率R的影响不大，在极端情况下，可以观察到气体液邃的影响，例如，诙邃很小，刻蚀速率受反应剂供给量的限制1相反，当流邃很大时，输运成为反应剂损失的主要原因。是否发生输出损失取决于泵速、气体和反应器内的材料，在一般情况下，活性反应剂的寿命根短，流速的影响不必考虑}当活性剂的寿命较长(例如F原子)时，流速对刻蚀速率R产生影响，由图8.34可见，R-1是流速的线性函数，这与反应剂滞留时间与流速的关系一致，说明在所示的条件下，活性剂的寿命由输运损失决定。 七、温度在反应剥蚀中，M度对刻蚀速率的影响主要是通过化学反应j直率体现的。为获得均匀、重复的刻蚀速率，必须认真控制衬底温度，等离子体加热是衬底温度上升的主要原因；此外，刻蚀过程的放热效应也不可忽视。 八、压力、功率密度和频率 压力、功率密度和频率都是独立的工艺参数，但在实际中，它们各自对刻蚀工艺的影响是难以预计的。压力和频率较低，而功率密度较高，可以提高电子能量和人射离子的能量，增加功率也可提高等离子体中活性剂和离子的密度。因此，在离子加速反应刻蚀中，降低压力或频率，或增加功率密度，可以获得更好的各向异性刻蚀。 一般刻蚀速率单调地随功率而增加。由于外加功率几乎都要转变为热量，因此，在功率密度板高时，样品温度升高，需要考虑衬底散热，否则，会造成有害的影响。 系统压力对到蚀速率的影响，随刻蚀材料及气体的不同而有明显的差异。随着系统压力増加，刻蚀速率增大，选择合适的刻蚀条件可以获得最大的刻恤速率。 频率主要是通过离子能量面影响到蚀速率。放电的工作电压障频率的降低而增加，因而离子的轰击能量在低频下将比高频下的高，又因为刻蚀速率与您轰击能量成正比，所以，在低频下能获得比较高的划蚀速率。 九、负载效应 在反应刻蚀的过程中，刻蚀的速率往往隲刻蚀面积的增大而减小，这种现象称为负载效应。当反应剂与剥蚀材料的反应迅速时，容易产生负戦效应。如果刻蚀是反应剂的主要损失机制，则刻蚀材料的表面积越大，反应剂的消耗速率就越快。活性物质的产生率由工艺参数(例如压力、功率、频率等)决定，与到蚀材料的多少无关、这样，反应刑的平衡浓度可由产生率和损失率之差决定，在反应离子刻蚀的过程中，刻蚀速率只与被刻蚀的面积成反比，刻蚀的速率R随被刻蚀的面积的増大而减小。这说明在一次刻蚀的过程中，需要刻蚀的硅片数目越多，由于反应原子和原子团的消耗，整体的刻蚀速率就越慢。若等离子体中反应刑的寿命很短，负载效应很小就可以忽略，反应剂的损失机构主要由刻蚀消耗所决定。 在集成电路工艺中，负载效应的出现，将影响图形尺寸的精确控制，因为，随着刻蚀到达终点，被腐材料的表面积迅速减小，此时的刻蚀速率就会比正常划蚀速率高得多，不但进行过刻蚀，而且也加速了倒向刻蚀，给条宽的控制造成困难。 从某种意义上说，负载效应是一种宏观过程，反应室中某个硅片的存在将影响另一硅片的刻蚀速率，这就意味着等离子体中反应剂的输运过程非常迅速，以致等离子体中的反应剂并不存在多大的浓度梯度。当然，被多打虫图形的尺寸和密度不同，也会影响刻蚀速率，这可能是由于反应速率不同，引起反应剂的局部浓度梯度而造成的。

高一化学方程式

一、 碱金属：

1. 新切的钠有银白色光泽，但很快发暗；方程式：4Na+O2=2Na2O；该产物不稳定。钠在空气中燃烧时，发出黄色的火焰；同时生成淡黄色的固体，方程式：2Na+O2点燃==== Na2O2。锂燃烧方程式：4Li+O2点燃==== 2Li2O；钾燃烧方程式：K+O2点燃==== KO2。

2. 钠与氧气在不点火时平稳反应，硫的化学性质不如氧气活泼，将钠粒与硫粉混合时爆炸，方程式：2Na+S=Na2S

3. 钠与水剧烈反应后滴有酚酞的水变成红色，方程式：2Na+2H2O=2NaOH+H2↑；钾与水反应更剧烈，甚至爆炸，为了安全，常在小烧杯上盖一块小玻璃片。

4. 过氧化钠粉末用脱脂棉包住，①滴几滴水，脱脂棉燃烧；方程式：2Na2O2+2H2O=4NaOH+O2↑；②用玻璃管吹气，脱脂棉也燃烧；有关的方程式：2Na2O2+2CO2=2Na2CO3+O2↑；这两个反应都是放热反应，使脱脂棉达到着火点。在过氧化钠与水或CO2反应生成O2的两个反应中，为生成1mol O2，需要的Na2O2的物质的量都为2mol，同时需要的H2O或CO2的物质的量都为2mol。

5. 纯碱的化学式是Na2CO3 ，它不带结晶水，又俗名苏打。碳酸钠晶体化学式是Na2CO3?10H2O，在空气中不稳定，容易失去结晶水，风化，最后的产物是粉末状，叫无水碳酸钠。钠、氧化钠、过氧化钠、氢氧化钠等在空气中露置的最后产物都是无水碳酸钠。

6. 碳酸钠和碳酸氢钠两种固体物质都可以与盐酸反应放出气体，有关离子方程式分别为：CO32－＋2H＋＝H2O＋CO2↑；HCO3－＋H＋＝H2O＋CO2↑；其中，以碳酸氢钠与盐酸的反应速度更快；如果碳酸钠和碳酸氢钠的质量相同，当它们完全反应时消耗的盐酸以碳酸钠为多。

7. 碳酸钠和碳酸氢钠的热稳定性较差的是碳酸氢钠，其加热时发生分解，方程式是：2NaHCO3=Na2CO3+H2O+CO2↑ 。在这个分解反应中，每42g NaHCO3发生分解就生成标准状况下CO2气体5.6L。在这个分解反应中，一种物质生成了三种物质，

（1）高锰酸钾分解：

2KMnO4△==== K2MnO4+MnO2+O2↑

（2）碳酸铵或碳酸氢铵分解：

(NH4)2CO3△==== 2NH3↑+H2O+CO2↑

8. 除去碳酸钠固体中的少量NaHCO3的方法是加热；除去碳酸氢钠溶液中混有的少量Na2CO3溶液的方法是：

通入足量CO2气体：Na2CO3+CO2+H2O=2NaHCO3 。

9. 从NaOH溶液得到纯净的Na2CO3溶液的方法是把NaOH溶液分为二等份，一份通入足量CO2使之全部成为NaHCO3；然后把另份NaOH溶液加入到此溶液中，摇匀即可。两个方程式分别为：NaOH+CO2=NaHCO3；

NaHCO3＋NaOH=Na2CO3＋H2O

10. 往稀的碳酸钠溶液中加入几滴稀盐酸，离子方程式为H＋＋CO32－＝HCO3－。

11. 碳酸钠和碳酸氢钠分别滴入澄清石灰水中，反应的离子方程式分别为：

CO32－＋Ca2＋＝CaCO3↓；

HCO3－＋Ca2＋＋OH－＝CaCO3↓+H2O 。

两溶液中只有Na2CO3 可以使CaCl2溶液出现白色沉淀，离子方程式为：CO32－＋Ca2＋＝CaCO3↓。

二、 卤素：

12. 氟气是浅黄绿色；氯气是黄绿色；液溴是深红棕色；固态碘是紫黑色。常用的有机萃取剂四氯化碳无色，密度比水大；苯也是无色液体，密度比水小。液溴常用水封存，液溴层是在最下层。

13. 闻未知气体气味，方法是：

用手在瓶口轻轻扇动，仅使极小量的气体飘入鼻孔。

14. 铜丝红热后伸进氯气瓶中：铜丝剧烈燃烧，发红发热，同时生成棕色烟；加少量水，溶液蓝绿色，方程式：Cu＋Cl2点燃==== CuCl2。铁丝红热后也可以在氯气中剧烈燃烧，方程式：2Fe＋3Cl2点燃==== 2FeCl3。高压干燥的大量氯气用钢瓶保存，因为常温下干燥氯气不与铁反应。

15. 氢气与氯气混合后见强光爆炸，但H2也可以在Cl2中安静燃烧，在集气瓶口出现大量酸雾，火焰是苍白色，方程式：H2＋Cl2点燃==== 2HCl。

16. 实验室制取氯气的方程式：MnO2+4HCl(浓) △==== MnCl2＋Cl2↑＋2H2O ；氯气在水中的溶解度（常温常压）是1：2；氯气溶于水后大部分仍以氯分子的形式存在，小部分与水反应：Cl2+H2O=HCl＋HClO；生成的次氯酸不稳定，见光或受热分解：2HClO见光==== 2HCl＋O2↑；所以，久置的氯水其实就是稀盐酸。

17. 实验室常用新制的氯水代替氯气发生很多反应，新制氯水中含有的分子有下列三种Cl2、HClO、H2O；含有的离子主要有下列三种H＋、Cl－、ClO－，另外还有OH－。

18. 氯水显的颜色是由于其中含有氯分子的缘故；氯水可以表现出很强的氧化性，如把碘离子、亚铁离子氧化成碘单质和铁离子，这是由于其中含有Cl2的缘故。氯水可以表现出漂白性，是由于其中含有HClO的缘故。氯水显酸性，是由于其中含有H＋的缘故。往氯水中投入一勺镁粉，有关的两个化学方程式：Mg+2HCl＝MgCl2＋H2↑；Mg+Cl2＝MgCl2。

19. 多余氯气常用NaOH溶液吸收。工业上也常用含水1%的石灰乳吸收氯气制取漂白粉：2Ca(OH)2+2Cl2=CaCl2+Ca(ClO)2+2H2O；所以，漂白粉的主要成份是CaCl2、Ca(ClO)2，有效成分是Ca(ClO)2；漂白粉直接投入水溶液中即可发生漂白作用：Ca(ClO)2＋H2O＋CO2＝CaCO3↓+2HClO 。

20. 制取的氯气中常含有H2O蒸气、HCl气体杂质，为了得到干燥纯净的氯气，常把氯气依次通过盛有饱和食盐水和浓硫酸的两个洗气瓶。

21. 指纹实验有二个方案。（1）用手（要是油腻不够，可以在头发上再磨擦几下）指在白纸上摁按一下，然后将白纸条放在较稀的碘蒸气中1分钟，取出后可以清楚看到白纸上出现指纹。这是因为碘蒸气溶解于指纹里的油脂中的缘故。此实验可以证明碘单质易溶于油脂中。（2）在手指摁按过的白纸上喷撒少量AgNO3溶液（此时现象不明显），然后再把白纸条放在光线下，可以看到黑色的指纹。此中的二个方程式：

Ag+＋Cl－＝AgCl↓；

2AgCl见光==== 2Ag＋Cl2↑。

22. 氟气与氢气在冷暗处混合即爆炸；溴蒸气加热到500℃时也可以与氢气反应。碘要在不断加热的条件下才可以与氢气反应，同时，生成的碘化氢发生分解，这是一个可逆反应，其方程式：H2＋I2 2HI。

23. 卤族元素，按非金属性从强到弱的顺序，可排列为F＞Cl＞Br＞I；它们的单质的氧化性的强弱顺序是F2＞Cl2＞Br2＞I2 ；（1）把氯水分别滴入到溴化钠、碘化钠溶液中，现象是分别出现溴水的橙色和碘水的黄色；有关的两个离子方程式分别为

CI2 ＋2Br－＝2CI－＋Br2；

CI2＋2I－＝2CI－＋I2；

（2）把溴水滴入到碘化钠溶液中，出现碘水的黄色，加入四氯化碳后振荡静置，油层在试管的下层，呈紫红色；（3）卤离子的还原性从强到弱的顺序是I－＞Br－＞CI－＞F－。可见，非金属元素的非金属性越强，则其单质的氧化性越强而其阴离子的还原性越弱。如果已知A－和B－两种阴离子的还原性强弱是A－＞B－，则可推知A、B两元素的非金属性是B＞A。

24. 氯离子、溴离子、碘离子都可与硝酸银溶液反应，形成的三种沉淀的颜色分别是：白色、淡黄色、黄色；这三种沉淀都不溶于稀硝酸。三种卤化银不溶物都有感光性，例如AgBr可作为照相胶卷的底片涂层；AgI常用来人工降雨。溴化银见光分解的方程式：2AgBr见光==== 2Ag+Br2。

三、 元素周期律

25. 钠、镁、铝形成的最高价氧化物水化物中，NaOH是强碱；Mg(OH)2是中强碱，不溶于水；AI(OH)3是两性氢氧化物，也不溶于水。（1）向MgCl2、AICl3两溶液中分别滴入少量NaOH溶液，都出现白色沉淀，两个离子方程式分别为：

Mg2＋＋2OH－＝Mg(OH)2↓；

AI3+＋3OH－＝AI(OH)3↓。（2）在两支白色沉淀中再分别滴入NaOH溶液，一支白色沉淀消失，离子方程式：AI(OH)3+OH－＝AIO2－＋2H2O；。从这里可以看出，在MgCl2 溶液中加入过量NaOH溶液，可以把Mg2＋全部沉淀；但在AICl3 溶液中加入NaOH溶液，无论是少了还是多了，都不能把AI3+全部沉淀。

26. 为把试管中的AI3+全部沉淀，可以在此中加入过量的氨水；反应的离子方程式：

AI3+＋3NH3?H2O＝AI(OH)3↓＋3NH4＋；

AI(OH)3不溶于弱碱，不溶于水，可溶于强酸和强碱。

27. 如果把几滴NaOH溶液滴入到AICl3溶液中，现象是出现白色沉淀；如果把几滴AICl3溶液滴入到NaOH溶液中，现象是出现白色沉淀随即消失；所以，通过不同的加入顺序，可以不用其余试剂，鉴别NaOH和AICl3溶液。

28. 氧化铝是两性氧化物，它与盐酸、氢氧化钠两溶液分别反应的离子方程式为：

AI2O3+6H＋＝2AI3+＋3H2O；

AI2O3+2OH－＝2AIO2－＋H2O。

29. 第三周期形成的最高价含氧酸中酸性最强的是HCIO4；其酸酐是CI2O7。

四、 硫和硫的化合物

30. 氧族元素的元素符号：O、S、Se、Te、Po；前面四种非金属元素形成的单质中，硒是半导体，碲是导体。硫、硒、碲三元素都可以形成两种氧化物，例如，碲形成的两种氧化物的化学式分别为TeO2、TeO3。硒元素形成的两种含氧酸的化学式分别为H2SeO3、H2SeO4。硫形成的两种含氧酸中酸性较弱者的化学式为H2SO3。

31. 铁粉与硫粉混合后加热，立即剧烈反应：Fe+S△==== FeS；产物是黑色；铜丝伸入到硫蒸气中，立即发红发热，剧烈燃烧：2Cu＋S△==== Cu2S；产物是黑色。硫没有把铁、铜氧化成它们的最高价，说明硫的氧化性不是很强。

32. 加热时硫蒸气与氢气混合可反应生成硫化氢，同时生成的硫化氢又可以分解，这是一个可逆反应：H2＋S H2S。

33. 氧气无色无味，臭氧淡蓝色特殊臭味。液态臭氧是深蓝色；固态臭氧是紫黑色。氧气稳定而臭氧可以分解，高温时迅速分解：2O3＝3O2。

34. 臭氧可以用于漂白和消毒。在低空中，大气中的少量臭氧可以使人产生爽快和振奋的感觉；例如雨后天睛，人很舒服，就是因为发生3O2放电===== 2O3 反应生成了少量臭氧。在低空中，臭氧含量稍大，就会对人体和动植物造成危害。人们在复印机、高压电机等工作的地方呆得太久就会感觉不舒服，是因为这些地方生成了较多的臭氧，所以，这类场所要注意通风。但是，在高空，臭氧是地球卫士，因为臭氧可以吸收来自太阳的大部分紫外线。臭氧层容易受到氟氯烃（商品名氟利昂）等气体的破坏。过氧化氢的电子式： 。它是无色粘稠液体。它的水溶液俗称双氧水，呈弱酸性。它广泛用于漂白、消毒，还可用为火箭燃料。把双氧水滴入亚硫酸溶液中：H2O2＋H2SO3＝H2SO4＋H2O，此中过氧化氢表现强氧化性。在双氧水中加入少量MnO2粉末，结果出现大量气泡：

2H2O2MnO2====== 2H2O＋O2↑。

35. 硫化氢是无色气体，剧毒。它的还原性很强，比碘化氢还强。在卤化氢气体中，以碘化氢的还原性为最强；在卤离子中，以碘离子的还原性最强，但是，还原性H2S＞HI、S2－＞I－。例如，在硫化氢的水溶液中滴入碘水，可生成硫沉淀（淡黄或乳白浑浊）：H2S＋I2＝2HI＋S↓；硫化氢的水溶液也可以被空气氧化成硫沉淀：2H2S＋O2＝2H2O＋2S↓。硫化氢气体可以燃烧。

36. SO2无色、刺激、有毒，易液化，常温常压下溶解度为1：40。

（1）其水溶液可以使紫色石蕊试液显示红色，因为H2O+SO2 H2SO3；H2SO3 H＋＋HSO3－；

（2）SO2有漂白性，且其漂白性可逆。它可使品红溶液褪色，褪色后加热时品红溶液又恢复红色。它的漂白原理是SO2与某些有色物质化合生成无色物质，无色物质不稳定，可以分解，恢复原来颜色。

（3）SO2可被催化氧化成SO3：

2SO2＋O2 2SO3 ；

SO2水溶液还原性更强，此水溶液露置即可被空气氧化：2SO2＋2H2O＋O2＝2H2SO4

在SO2水溶液中滴入碘水可生成硫酸：

SO2＋2H2O＋I2＝2HI＋H2SO4 ；

SO2还原性较强，能使用浓硫酸进行干燥。

（4）SO2也有氧化性，方程式：

2H2S＋SO2＝3S↓＋2H2O；

（5）硫可否直接被氧气氧化成SO3？不能。

（6）SO2气体常用NaOH溶液吸收以免污染空气，也可以用蘸有Na2CO3的棉花缠在导气口以吸收SO2，方程式：Na2CO3+SO2=Na2SO3 +CO2。

37. （1）稀硫酸与铜加热也不能反应；（2）浓硫酸与铜不加热也不反应。（3）浓硫酸与铜加热时，铜片表面出现黑色物质，方程式：

Cu+H2SO4(浓) △==== CuO+SO2↑+H2O，

（此中浓硫酸表现出强氧化性）。继续加热，溶液透明，出现蓝绿色；反应完毕后，将试管内液体倒入一盛水的烧杯中，看到试管内残有白色物质和黑色物质，其中白色物质是无水硫酸铜，在此试管中加入少量水后溶液呈蓝色，方程式：

CuO+H2SO4=CuSO4+H2O；（此中硫酸表现出酸性）。

上面两个方程式的总方程式为：

Cu+2H2SO4(浓) △==== CuSO4+SO2↑+2H2O 。

38. 浓硫酸滴入蔗糖中，搅拌，结果蔗糖变黑（表现浓硫酸的脱水性），并且体积膨胀，变成黑色海绵状，发出难闻臭味。写出形成海绵状的有关方程式：

C+2H2SO4(浓) △==== CO2↑+2SO2↑+2H2O 。

39. 把浓硫酸滴入胆矾中，结果蓝色变成白色，这表现浓硫酸吸水性。确认SO42－存在的实验现象是加盐酸后无现象再加BaCl2溶液时出现白色沉淀。

40. NaOH腐蚀玻璃的化学方程式为：

2NaOH+SiO2=Na2SiO3+H2O；

氢氟酸不能使用玻璃瓶盛放的方程式：

4HF＋SiO2=SiF4＋2H2O；

SiO2是酸性氧化物，它可以与碱性氧化物如CaO反应，方程式：

SiO2+CaO高温==== CaSiO3；

SiO2间接制取硅酸的二个方程式：

2NaOH+SiO2=Na2SiO3+H2O；

Na2SiO3+2HCl＝2NaCl＋H2SiO3↓。

工业上以SiO2制取硅的方程式：

SiO2+2C高温==== Si+2CO↑

Si单质可以与氟气反应：Si+2F2＝SiF4；但是，常温下硅既不能与强酸如硝酸、硫酸反应，也不能与强氧化剂如氯气、氧气等反应，只能与氟气、氢氟酸和强碱反应。但加热时硅可以燃烧：

Si＋O2△==== SiO2

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