半导体激光器受激辐射的激发方式主要有哪几种

半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器.

这要看看是什么类型的半导体，基本上分为两种，就拿光敏电阻来说，有一种光敏电阻受到光照射激发自由电子，电子-空穴对增加，导电能力增强，还有一种光敏电阻受到光敏电阻照射，整个P-N结内部的电子和空穴往相反的方向移动，形成反向电场，结果整个PN结都像绝缘体一样，电阻超级大！

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