介质损耗因数

介质损耗因数,第1张

介质损耗(dielectric loss )指的是绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。介质损耗因数(dielectric loss factor)指的是衡量介质损耗程度的参数。介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ的余角δ)。 简称介损角。介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。 测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损的同时,也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。 4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。 5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。通过比对电流相位差测量tgδ,通过出比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。接线也十分烦琐。 6、高压介质损耗测量仪 简称介损仪,是指采用电桥原理,应用数字测量技术,对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。 AI-6000利用变频抗干扰原理,采用傅立叶变化数字波形分析技术,对标准电流和试品电流进行计算,抑制干扰能力强,测量结果准确稳定。

介电常数计算公式是ε=4πKdC/S,相关知识介绍如下:

1、简介:介电常数是反映压电智能材料电介质在静电场作用下介电性质或极化性质的主要参数,通常用ε来表示。不同用途的压电元件对压电智能材料的介电常数要求不同。当压电智能材料的形状、尺寸一定时,介电常数ε通过测量压电智能材料的固有电容CP来确定。

2、性质:根据物质的介电常数可以判别高分子材料的极性大小。通常,相对介电常数大于3.6的物质为极性物质。相对介电常数在2.8到3.6范围内的物质为弱极性物质,相对介电常数小于2.8为非极性物质。介电性能是指在电场作用下,表现出对静电能的储蓄和损耗的性质,该词通常用介电常数和介质损耗来表示。

3、应用:近十年来,半导体工业界对低介电常数材料的研究日益增多,材料的种类也五花八门。然而这些低介电常数材料能够在集成电路生产工艺中应用的速度却远没有人们想象的那么快。其主要原因是许多低介电常数材料并不能满足集成电路工艺应用的要求。

损耗率计算公式是:损耗率=(损耗量/净用量)×100%。

损耗率计算公式:

第一种:

损耗率=(实际耗用总量-成品)/实际耗用总量。

第二种:

损耗率=(1-计划量/总用量)x100%。

总用量=计划量+损耗量。

第三种:

损耗率=(损耗量/总用量)×100%。

总用量=计划量+损耗量。

损耗率通常不应超过5%为宜。

损耗率=(损耗量/净用量)×100%,用消耗量表示为:消耗量=净用量×(1+损耗率)。是用于确定材料消耗定额的公式。其中的净用量指直接用于建筑和安装工程的材料,损耗量为不可避免的施工废料和材料损耗。

物料损耗率计算公式?

物料损耗率=(损耗量/总用量)×100%。损耗率通常不应超过5%为宜。成品损耗率=(投入总量-产成品数量*单耗)/投入总量。

原材料由于在分割、化整为零、自然损耗等原因形成的亏损。因此,原材料损耗要分自然损耗、加工损耗。自然损耗对象包括易风干、破碎等原材料加工损耗包括化整为零、分割等原材料。

损耗率可以根据一定量原材料记录测试前后期的数据对比进行确定——即记录下测定时的总量,经过一定时间、过程以后,再测定余量,之间的差和参加测定的总量的比值,就是损耗率。为了科学、准确,应多选几组,取平均值。


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