压电元件材料一般有几类各类的特点是什么?

压电元件材料一般有几类各类的特点是什么?,第1张

据我所知,目前,压电元件材料一般有三大类,即压电晶体、压电半导体和压电陶瓷材料。压电材料中研究得比较早的压电晶体是石英晶体,它的机电性能稳定,没有内耗,它在频率稳定器、扩音器、电话、钟表等领域里都有广泛应用。此外,酒石酸钾钠、磷酸二氢胺、钽酸锂、铌酸锂、碘酸锂等晶体也都是比较好的压电晶体材料。压电半导体材料主要有CdS、CdSe、ZnO、ZnS、ZnTe、CdTe等IIB~VIA族化合物及GaAs、GaSb、InAs、InSb、AIN等Ⅲ~ⅤA族化合物。目前,在微声技术上用得最多的是CdS、CdSe和ZnO。压电陶瓷材料主要有钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)和锆钛酸铅。其中,钛酸钡是第一个被发现可以制成陶瓷的铁电体,钛酸钡单晶的介电常数各向异性显著,沿极化轴方向的介电常数比垂直于极化轴方向小得多,但极化陶瓷的各向异性比单晶小得多,陶瓷的介电常数与晶粒大小和密度有关。钛酸铅是一种典型的钙钛矿结构铁电体,其晶格结构与钛酸钡相似,钛酸铅晶体结构的各向异性大,矫顽电场又高,因此对致密的纯钛酸铅陶瓷很难获得优良的压电性能。钛酸铅陶瓷制备中的改性主要是通过添加物改善其工艺性能,以便获得电阻率较高又不开裂的致密陶瓷体。其中比较成功的途径是加入高价离子置换Pb2+或Ti4+,在晶格中生成A缺位。由于钛酸铅陶瓷介电常数低,机械品质因数高,适于高频和高温下应用。锆钛酸铅压电陶瓷是由锆酸铅和钛酸铅构成的固溶体压电陶瓷材料。锆酸铅(PhZrO3)也是一种具有钙钛矿结构的化合物,但在室温下却是斜方反铁电体。对锆钛酸铅固溶体压电陶瓷的改性主要途径是在化学组成上作适当地变化,即离子置换形成固溶体或添加少量杂质,以获得所要求的电学性能和压电性能。

世界上十大半导体公司分别为:

1、美国英特尔(Intel)公司,以生产CPU芯片闻名于世。

2、韩国的三星(Samsung)电子公司成立于1969年,初期主要生产家用电子产品,如电视机和录像机等。

3、美国的德州仪器(TI)公司是一家全球性的半导体公司,是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商,是推动电子数字化进程的引擎。

4、日本的东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬,家喻户晓。

5、中国台湾的台积电(TSMC)成立于1987年,是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者,TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。

6、意大利和法国的意法半导体会(ST)是全球性的独立半导体制造商。公司设计、生产、销售一系列半导体IC和分立器件,用于远程通讯系统、计算机系统、消费电子产品、汽车和工业自动化控制系统。

7、日本的瑞萨科技(Renesas)在2003 年4 月1 日正式成立,以领先的科技实现人类的梦想。

8、韩国的海力士(Hynix)1983年开始运作,目前已经发展成为世界级电子公司,拥有员工约22,000人,1999年总资产达20万亿。

9、日本的索尼(Sony)半导体分部是索尼电子公司1995年3月在美国加州圣约瑟市建立的一个分部,该分部使索尼公司能够对变幻莫测、竞争激烈的美国半导体市场迅速做出反应,为索尼电子公司发展高附加值的通讯、音频/视频、计算机应用产品提供后备支持。

10、美国的高通(Qualcomm)公司开发、销售一系列高性能FPGA半导体产品和软件开发工具。

扩展资料

半导体

半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。

无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种

参考资料:百度百科-半导体

首先是长江存储在全球拥有10,000多名员工,7000多项专利申请是一家以3D NAND闪存为主,涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业,致力于成为存储技术的领导者。如今,作为三星、东芝这样的高科技企业,长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫,因经济衰退而举步维艰。危急之时,接受国家财政援助,在武汉新新的基础上建立长江仓储。

其次是中国半导体产业发展迅速,芯片领域的各种技术、设备、材料遍地开花。许多企业进入半导体行业,为中国半导体行业的发展做出了贡献。科技部缩减人才数量,3000名半导体精英回国报效祖国。虽然中国对芯片的需求供不应求,这是中国半导体行业的一个显著问题,但随着中国研究人员对EUV的进一步研发,中国芯片最终将走向全球市场。

再者是长江存储做了一个疯狂的决定,跳过96层直接挑战128层,与东芝、三星等大厂角力,正式挑战市场。好在长江存储再次证明了国内R&D人员的决心,全球首款128层3D NAND闪存研发成功。国产闪存芯片凭借业内最大内存存储和最快传输速度的优势,也让不少国外科技公司惊叹不已。

要知道的是中国存储行业追赶速度更快,但中美关系持续恶化,层层制裁和人才短缺仍是制约中国发展的关键因素。评价一下长江存储的NAND芯片,用于国内销售的部分iPhone。美国商务部工业与安全局(BIS)宣布修改出口管理条例,旨在进一步阻止中国发展其存储芯片能力和相关军事能力。


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