相比于传统的半导体材料，氮化镓有什么优势？利亚德产品是否包含这种材料？

氮化镓（GaN）为便携式产品提供更小、更轻、更高效的台式AC-DC电源。氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料。当在电源中使用时，GaN比传统的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。传统硅晶体管的损耗有两类，传导损耗和开关损耗。功率晶体管是开关电源功率损耗的主要原因。为了阻止这些损耗，GaN晶体管（取代旧的硅技术）的发展一直受到电力电子行业的关注。

氮化镓在关键领域比硅显示出显著的优势，这使得电源制造商能够显著提高效率。当电流流过晶体管时，开关损耗发生在开关状态的转换过程中。在给定的击穿电压下，GaN提供比硅更小的电阻和随后的开关和传导损耗，因此GaN适配器可以达到95%的效率。

由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度，因此，电源的整体尺寸可能显著减小，可以减少对热管理组件的需求，如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件，以及增加的开关频率，使得电源不仅更轻，而且更紧凑。

氮化镓作为一种全新的半导体材料，它具有热导率高、耐高温、高硬度、高兼容性等一系列的特性。氮化镓充电器的最大优点就是支持体积更小的变压器以及其他电感元件，与此同时，还具有优秀的散热性能。所以，相较于传统充电器，氮化镓充电器能够有效缩小体积、降低发热并提高效率。

---