半导体器件课后作业的两道题，那位专家能解答一下~~貌似给出的选项是矛盾的。。。。

两题都是围绕 爱因斯坦方程 D/u = KT/q 展开的D 载流子（电子或空穴）扩散系数，u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数。常温下（20摄氏度293k） KT/q=0.026ev 这个要记住，常用第一题 0.026*1500=39，常温下为39400k下用比例计算最方便，应为扩散系数与温度正比，X/39=400/293，X=53这个53是精确值，题目的52是常温按照300k来计算的，你可以自己试试看哦第二题一个道理，先计算常温时的迁移率，39/X=0.026（又用到了，只要记住，非常方便），X=1500这回迁移率和温度反比，我们用300k来计算，1500/Y=400/300 ，Y=1125通过这两个题我想你一定就掌握爱因斯坦方程的运用了吧~~

这个可以用作图法

用这个公式

在excel里做个图

with respect to the valence band energy level的意思是，根据价带和导带的能级写出费米能级

因为你计算得到的都是费米能级和导带或者禁带的差值，必须用实际的导带或者禁带的值减去或者加上这个差值才是实际的值

1、电容的物理意义是电荷随电压的变化量，对于扩散电容，电压引起的电荷变化主要来自于非平衡少子的注入，与产生复合无关，也就与少子寿命无关。所以选第三项

2、扩散电容充放电的过程即非平衡载流子渡过基区的过程，可见充放电的时间就是渡越时间，选第一项

3、发射结注入效率等于1-发射区方阻除以基区方阻，共射极电流放大倍数等于100，从以上两个条件可以得到基区输运因子0.995，基区输运因子等于1-基区渡越时间除以基区少子寿命，最终计算结果为第三个选项

4、没明白题目到底想问啥。

5、共射极电流放大倍数等于分子（基区输运因子乘以发射结注入效率）除以分母（1-基区输运因子乘以发射结注入效率），计算结果是44，选第一项。

6、根据爱因斯坦关系，由于电子的迁移率大于空穴的迁移率，电子的扩散系数大于空穴的扩散系数。在相同的浓度梯度下（材料掺杂和偏置电压相同），显然电子的扩散电流要大于空穴的扩散电流对于PNP管。发射区的扩散电流是电子扩散电流，可见PNP管的发射结注入效率比NPN管低。扩散系数大的电子在基区的渡越时间比较短，基区输运因子等于1-基区渡越时间除以基区少子寿命，可见NPN管的基区输运因子大于PNP管，选第三项。

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