半导体的特性曲线

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。

结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。

五极管（又称场效应晶体管，FET）和三极管是两种不同的半导体器件，它们的接法和特性曲线也有很大的差异。

1.接法

五极管一般有三个引脚，即源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。标准接法是将源极接地，漏极接负载电阻，栅极接输入信号。当在栅极施加电压时，栅极和源极之间形成的电场会影响漏极和源极之间的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流流动。

三极管一般有三个引脚，即发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。标准接法是将发射极接地，集电极接负载电阻，基极接输入信号。当在基极施加电压时，基极和发射极之间的电阻会发生变化，从而控制集电极和发射极之间的电流流动。

2.特性曲线

五极管的特性曲线通常是一个二次曲线，其形状取决于栅极和源极之间的电压和电流。在零偏压下，源极和栅极之间形成的电场会形成一个双曲线，称为倒式双曲线（ID-VG curve），它描述了栅极电压对源极电流的影响。在恒流源极下，栅极电压和源极电流之间的关系可以通过漏极电压和漏极电流之间的关系来描述，即转移特性曲线（ID-VD curve）。

三极管的特性曲线通常是一个非线性的曲线，其形状取决于基极和发射极之间的电压和电流。在零偏压下，集电极和基极之间的电阻很大，三极管处于截止状态。随着基极电压的增加，集电极和发射极之间的电流逐渐增大，直到达到饱和状态。因此，三极管的特性曲线通常是一个非线性的 S 形曲线，称为输出特性曲线（IC-VC curve）。

总之，五极管和三极管的接法和特性曲线存在很大的差异，因此在实际应用中需要根据具体情况选择合适的器件。

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