半导体制冷片发热不制冷

1、可能是因为散热不足导致。制冷片的的制冷效果与热面的散热效果有很大关系，如果热面的散热效果不好的话，冷面温度就难以下降。 这也会导致半导体制冷片的温度越来越高，半导体制冷片出现只发热，不制冷的现象，所以必须进行散热。2、除了散热不足的原因外，也可能是因为半导体制冷片的正负极装反了。建议解决方法：1、半导体制冷片在使用过程中，要注意进行散热。一般来说，功率在60W以上的半导体制冷片的热面可以借助外部力量，使用CPU散热器散热，但如果在功率更高的情况下，则需要更大、更强大的散热系统。除了使用CPU散热器进行散热外，我们也可以采用超大型铝合金或铜制散热器，也可以水冷。 2、想要测试是否是因为半导体制冷片的正负极装反导致的发热不制冷可以用一节单三干电池进行冷热面的测试，因为在最大电压的驱动下，可以使制冷片正常工作。这样就能感受到制冷片的冷热面。 如果是极性相反的话，冷热面也会根据极性切换，所以设置时注意将冷热面的线头重新调换就行。

①热处理温度要求：650±5℃；

②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；

1、热处理后电阻率会有什么变化

由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低会产生氧沉淀。一般而言，氧浓度越高，氧沉淀越易成核生长，形成的氧沉淀也就越多。反之，氧沉淀就越少。尤其是当氧浓度小于一定值时（＜5×1017个/厘米3），几乎就观察不到氧沉淀的形成。

2、热处理的几个温度区间概念：

热施主：350-550℃，代表温度450℃.

450℃热处理后（或同等效果，如单晶在炉子里的冷却），可观察到N型样品的电阻率下降而P型样品的电阻率增高，有如引入一定数量的施主现象一样。这是由于在此温度下，溶解的氧原子迅速形成络合物（SiO4）所引起的热生施主，其电阻率与硅中氧含量的四次方成反比。

新施主：550-800℃，代表温度650℃.

650℃热处理，在迅速冷却的条件下（即迅速跨过450℃），可消除热生施主。即我们可观察到N型样品电阻率恢复高；P型样品电阻率恢复低。

沉淀：800-1200℃，代表温度1050℃

1050℃热处理，会带来氧沉淀，且因沉淀诱生层错等缺陷。

还原：＞1200℃

＞1200℃热处理，氧恢复到间隙态。

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