海力士半导体制造技术员 tech是什么意思？做什么工作的？

部门 岗位 岗位说明

工程管理

事务职 班长 管理 *** 作工；提高设备生产效率；工程师与 *** 作工之间沟通及命令下达

Eng'r *** 作文件的提高说明；减少和解决生产中的事故与问题；改良产品质量，提高良率

工程管理 Opr Operator *** 作检查和分析的机器；提高设备的生产效率；报告生产中的事故和问题

工程技术 DIFF Eng'r 估算生产能力；确立/计算投资成本；产品选择/产品评估/质量提高；提高质量指标及生产效率；减少/防止工程事故/工程问题

工程技术 Etch Eng'r 制造半导体工程中Process Set-up；管理装备；提高工程质量；降低成本；提高生产率

工程技术 Photo Eng'r 生产线监控，提高产能，提高良率，编写Scanner, Track, Overlay,CD-SEM的Job File,提高光刻工艺宽容度，解决工艺问题

Tech 管理光刻reticle和光刻胶，向装备输入程序recipe，解决简单工艺问题

工程技术C&C Eng'r 对产品问题和缺陷进行分析，找到产生缺陷原因，并决定消除缺陷和改善产品质量应该采取的措施，以提高产品良率。

工程技术T/F Eng'r 制作产品说明和规格文档；提高工程质量，最优化工程以提高产量

人事 社规管理/福利厚生 为了有效运营人力资源,制定各项制度及改善,并支援福利

人事评价/职务/晋升 员工的人事评价(业绩,能力评价),实施定期晋升, 职责任命

劳务管理/奖惩/苦衷 劳资情报的收集/维护劳资双方的平衡,监督职的任命, 奖励/惩戒的有效运营,提高员工的工作积极性及强化员工的基本遵守

ER Manager 中方人员的人事管理总负责 (劳务管理,奖励,惩戒,评价,出勤,工资等)

教育/评价管理 负责员工入门、技术、在职培训及其他预言培训，树立每年培训计划及预算及进行等

自动化 Eng'r Eng'r Infra System, 软件应用和AMHS系统的开发与性能分析

自动化 Tech Tech Infra System, 软件应用和AMHS系统的维护

装备技术 DIFF Tech TPM活动；提高设备的工作速度；设备安装及重置；贯彻执行FDC以及自动化生产 *** 作体系

Eng'r 确立/计算投资成本；设备安装及重置；提高设备的工作速度；最大化设备的性能和效率

装备技术 Photo Eng'r 管理并维护装备良好状态，管理Spare Part，PM计划安排，编写PM Sheet及技术规范，联系设备制造商并参加trouble分析会议，排除装备故障

Tech 执行周期性PM，常规装备故障排除，更换Spare Part，记录PM sheet

装备技术C&C 技能职 需要掌握设备组装和拆卸技能，维护设备正常运行，解除设备故障，提高产品良率

Eng'r 及时发现设备故障原因并找到解除故障方法，维护及改造设备提高其性能，提高产品良率

装备技术Etch 技能职 保养及预防活动；新旧设备的安装，设置；装备性能的提升和改善

装备技术T/F Tech 排除故障；提高机器可运作时间

Eng'r 提高工具可运作时间；降低制造成本；维护改造设备以提高其性能

制造 班长 女性,倒班，有半导体工作经验1年以上，最好是前道工艺,如光刻（Photo、黄光）、干湿腐蚀（Etch、蚀刻)、扩散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（溅射）、CMP等，有班组长经验者优先。负责带班管理区域内 *** 作员工，完成生产任务。

教育担当 女性,有半导体工作经验1年以上，最好是前道工艺,如光刻（Photo、黄光）、干湿腐蚀（Etch、蚀刻)、扩散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（溅射）、CMP等，有班组长经验者，有多种 *** 作证者优先，有半导体作业教育经验者、懂韩语者优先,能够倒班。负责新进作业员的教育培训和作业员的技能训练的计划、组织和实施。

资材及HOT 资材，正常班，男女不限，熟悉半导体前道生产用小工夹具，能吃苦，懂英语或韩语，负责净化间内生产用工夹具，防尘服等管理；HOT ，女，倒班，跟踪优先批流通并保证进度完成,熟练使用EXCEL软件。

Operator 女性,倒班，能吃苦，懂简单的英语和计算机知识，有半导体工作经验者优先，最好是前道工艺,如光刻（Photo、黄光）、干湿腐蚀（Etch、蚀刻)、扩散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（溅射）、CMP等。负责 *** 作机器，服从分派，完成生产任务。

Part长/先任班长 Part长:正常班，有5英寸以上半导体前道工艺工作经验5年以上，有生产主管工作经验或同等管理经验。熟练使用英语，和办公软件，负责区域内各班次生产管理，管理Supervisor和shift leader；shift leader :倒班，负责整条生产线的生产平衡和调配管理，管理supervisorSupervisor:,倒班，有半导体工作经验2年以上，最好是前道工艺,如光刻（Photo、黄光）、干湿腐蚀（Etch、蚀刻)、扩散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（溅射）、CMP等，有班组长经验者优先,负责管理各区域内生产事项，管理班长。

Technician 日常监控、确认，dummy wafer管理，日常小故障的处理

制造企划 事务职 制造企划投资管理

采购 部品采购 设备零件需给及维修

原材料采购 原材管理安定化(交货期管理及请购)

设施采购 辅资材需给及实物管理

总务 福利厚生(食堂) 餐厅管理

接待担当 来访人员的行程管理、及计划管理

接待担当者 来访人员具体接待工作的实施

通信/广播担当者 通信交换机服务器，VOICEMAIL， PAGING STSTEM （软硬件）维护，广播系统，专业英语流利（听说读写），管理通信Maint，通信Operator和广播Maint，会管理及评估通信工程．

通信Maint 通信线路维护、检修及正常运行

通信Ope'r 接线员，内外电话查询、转接等

设施维护 厂房基础设施（地板、照明、水、等）的日常维护及保养

Show-room担当 展厅的管理，及公司介绍

舍监 宿舍管理

设备Eng'r 空调Part 要求工厂空调设备运维经验(冰水主机Chiller，中央空气处理系统，热锅炉，泵，风机等) 优先： 净化间设备运维（ 超净间空气处理单元，洗气塔，过程冷却用水，超纯水）

排管/UT Part 工厂排管设备施工(水系统，压缩气体系统，超纯水系统)

电气Part 通过厂内电气设备的运行管理及维护活动 以及新增,补加电气设备施工计划的实施，维持电力供应的稳定性，支援生产活动的圆满成功

设备Tech 空调Part 机械装备的点检及维护.有机械设备的相关知识及经验.

排管/UT Part 热输送网的点检及维护.有配管设备的相关知识及经验.

电气Part 进行电气机器的点检,配电机,电气控制,装备的运行,电气设备的安装,调整,修理 .有电气的知识

财务会计 成本 成本核算、成本分析、熟悉ERP系统

会计总体业务 提供公司各种报表及数据，并定期提出相关分析报告

国税/地税 税务及出口退税流程、纳税申报及其相关的会计核算、和税务相关部门联系

财务 应收/应付/固定资产 相关业务

资材 化学品管理 原材管理安定化 (交货期管理及请购）

SPARE PART 设备零件需给及维修

副材料管理 辅资材需给及实物管理

进出口通关 原材料通关 及时、无障碍得完成料件的清关，确保资财的库存量

设施再通关 Managing the whole progress involved with Local flow of Imported &Exported Goods；1. Clear the imported goods through the customs and CIQ 2. Prearrangement for Import and export

ESH 保健 职员健康检查, 职业病预防.管理, 运营附属医院, 作业环境检测/改善管理, 促进健康活动，

安全消防 气体安全管理, 有害危险器材管理, QUAL/安全改善活动, CMS室/建立急救应急小组, 消防设施.危险品管理， MSDS管理, 消防/安全施工管理/监督，灾害调查/统计分析

ESH企划 ESH 确立战略, ESH 运行经营系统, ESH 教育/公关业务, ESH 投资/预算管理,部门人力企画/管理，法定许可证总括

ESH技术 净 · 废水厂的施工管理/监督，危险物/节约用水，预防环境事故，废弃物的管理，大气污染源管理/改善活动，毒性/土壤/噪音管理，环境范围许可证

IT 程序开发 GW/EMAIL的日常维护管理

OA 运营/PC 保安 PC/Printer/NB等电算设备日常维护及PC保安管理

SAP 开发 SAP二次开发

SAP 运营 SAP维护管理

System 运营 Server维护管理

MI 事务职 班长 监测设备的温度、压力等状况，属于 *** 作工的一种.

MI Eng'r Engineer 检测工艺生产过程的颗粒、缺陷；测量厚度，电阻和应力等； 分析工艺上产生该问题的原因； 采取措施及时弥补并解决问题。

Technician 采取措施来维护装备性能对设备的精确性和可靠性进行维护。

QC Supervisor 1.支持协助质量工程师执行质量程序和政策 2.报告FAB的质量状况 3.鉴别检查的缺陷并在质量报告中做出指示算机 *** 作能力，懂英语或韩语 4.收集缺陷样品并向相关部门报告 5.协助质量经理监管质量 *** 作工 6.要有良好的沟通能力和计

Operator 职责：1.负责产品检验和完成质量纪录 2. 收集和保存质量检测数据 3.维护及控制在线的所有检验文件及纪录

要求：1. 由显微镜 *** 作经验 2. 有产品检验工作经验 3. 有净化室工作经验者尤佳

企划 企划 整体协调公司各部门业务，处理跨部门协作综合事项；制定公司经营计划。

对外关系 与政府机关部门建立并维持良好关系，争取政府机关对公司的各方面协作与支持。

法务 组织各部门合同审查，收集并转交专业意见；公司合同整理归档、保管。

宣传 收集新闻，部门采访，设计并制作公司社刊，对外宣传。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产1

据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。

该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。

去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。

外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产2

SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。

据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。

此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。

SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产3

7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。

美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。

韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的.NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。

据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。

SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好

NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。

而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。

不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。

美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。

而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

200层的野心

目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。

今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。

现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。

而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

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