为什么，在室温附近，温度升高，杂质半导体中少数载流子浓度升高

我以N型半导体给你举一个例子：单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4（万分之一），则杂质原子浓度为10^18cm^-3。在常温下，杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中，其浓度也为10^17cm^-3。而常温下硅的本征载流子浓度只有10^10cm^-3的量级。可见N型半导体中多数载流子是电子，而少数载流子是本征载流子（电子空穴对）。可见，在室温附近，许多元素半导体本征载流子为数极少，所以本征半导体电阻仍很高。而在同一温度下，掺杂半导体的导电能力为本征半导体的数百倍及其以上。

低掺杂半导体：由于所有杂质完全电离,温度升高时多子浓度基本不变.

高掺杂半导体：杂质只有部分电离,温度升高导致未电离的杂质原子电离,多子浓度升高明显.

中等掺杂：介于二者之间.

低掺杂半导体：由于所有杂质完全电离，温度升高时多子浓度基本不变。

高掺杂半导体：杂质只有部分电离，温度升高导致未电离的杂质原子电离，多子浓度升高明显。

中等掺杂：介于二者之间。

---