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静电敏感元器件有90%产生软击穿,而10%左右被完全破坏静电敏感元器件有90%产生软击穿,而10%左右被完全破坏易被静电损坏的电子器件称为静电敏感器件(Static Sensitive Device简称SSD)。由于科技时代的需要,小体积、多功能、快速度的集成电路已是目前电子工业的基本要求。增厚氧化膜,提高其耐压性,显然是行不通的,因此在器件的集成度越来越高的趋势下,通常将器件氧化膜的膜厚做得越来越薄使其尺寸减少,器件的耐压也随之降低。半导体器件,特别是IC,根据其种类不同受静电破坏的程度也不一样,弱至100V的静电也会造成破坏,具体数据见表l。 表l各种半导体器受静电破坏的水平 元件的种类 遭受破坏的电压范围(V) 元器件典型范例 VMOS器件 30~1800IRF640、SPP11N60S5、BSN304 MOS场效应器件 100~200 TDA4605、TDA16846 坤化镓场效应器件 100~300 EPROM 100 M24C08、AT24C16 结型场效应器件 140~7000 K30A 表面滤波器150~500A号板的CF6264 运算放大器190~2500 V号板LM3580 CMOS器件 250~3000 S、V号板AT27C010(L) 肖特基二极管300~2500 高清上网板1N5817 薄膜电阻 300~3000 双极型晶体管 380~7000 C1815、A1015 可控硅680~1000V号板SFORIB4一级。tft防静电等级为一级。tft抗ESD能力至少100V,并要求设计防静电措施。tft屏(TFT-LCD),即薄膜场效应晶体管LCD,是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。
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