掺杂半导体费米能级的计算

先用自掺杂原理：N,P型杂质先自己中和，然后再产生掺杂载流子。

N(Al)+N(Ga)-N(As) = N

把N 代入相应的P/N 掺杂费米能级计算公式。

Ei - Ef =kTln(NA/ni) P型

Ef - Ei =kTln(ND/ni) N型

其中Ei是本征能级。

硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为：

多数载流子（电子）n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3

少数载流子（空穴）p=ni^2/n=0.45cm-3

---