bgbm工艺全称

半导体bgbm。

1、BG：是背面减薄(BacksideGridding)，采用In-Feed削磨的方式，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能，减小封装体积，及划片加工量。

2、BM：是背面金属化(BacksideMetallization)，使用电子束产生高温蒸发金属，使金属原子在真空中直线运动，沉积在晶圆上，实现晶圆背面金属化。

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。

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