半导体钽环的制备工艺

半导体钽环的制备工艺,第1张

物理气相沉积(PVD)是半导体芯片生产过程中最关键的工艺之一,其目的是把金 属或金属的化合物以薄膜的形式沉积到硅片或其他的基板上,并随后通过光刻与腐蚀等工 艺的配合,最终形成半导体芯片中复杂的配线结构。物理气相沉积是通过溅射机台来完成 的,溅射钽环件就是用于上述工艺中的一个非常重要的关键耗材。溅射钽环件在半导体工艺中的主要作用有两点 第一约束溅射粒子的运动轨迹,起到聚焦的作用;

第二 吸附溅射过程中产生的大的颗粒物,起到净化的作用。由于溅射钽环件的特殊使用环境,其技术指标要求主要有 第一材料晶粒度在100— 300微米的范围内;

第二 表面滚花为8 OTPI凸出的菱形,既在一英寸范围内有8 O道花纹,滚花均匀, 表面无可视点;

第三凹型槽成型和环件组装满足图纸要求; 第四焊接依据AMS 2681A标准焊接,符合客户要求。第五酸洗、清洗符合应用材料提出的标准。由于上述技术要求导致溅射钽环件的加工难度增加。

1、PVD(Physical Vapor Deposition)是物理气相沉积:指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上,使得母体具有更好的性能。

2、PVD(Programmable Voltage Detector),即可编程电压监测器。应用于STM32ARM芯片中,作用是监视供电电压,在供电电压下降到给定的阀值以下时,产生一个中断,通知软件做紧急处理。当供电电压又恢复到给定的阀值以上时,也会产生一个中断,通知软件供电恢复。

扩展资料

物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。

随着高科技及新兴工业发展,物理气相沉积技术出现了不少新的先进的亮点,如多弧离子镀与磁控溅射兼容技术,大型矩形长弧靶和溅射靶,非平衡磁控溅射靶,孪生靶技术,带状泡沫多弧沉积卷绕镀层技术,条状纤维织物卷绕镀层技术等,使用的镀层成套设备,向计算机全自动,大型化工业规模方向发展。

参考资料来源:百度百科-PVD(物理)

参考资料来源:百度百科-PVD(计算机)

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD:物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材(金靶,铜靶,Al,Cr.....),金属原子脱离靶材,落在wafer表明,形成薄膜。CVD:化学气相沉积。这个是通过化学反应,在晶圆表面张氧化薄膜。


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