梁骏吾院士逝世，老先生为我国半导体材料领域做出过哪些重大贡献？

引言：梁骏吾院士逝世，老先生为我国半导体材料领域做出了最大的贡献就是为我国研究出如何制备硅单晶体这一个重要的难题，因为在当时，在国外已经做出世界上第一块集成电路的时候，半导体技术在国外已经非常领先了，并且他们在这个领域也发明了很多的创新技术，但是新中国还没有掌握集成电路所需要的最关键的一个材料，那就是硅单晶体。

于是在1960年，老先生选择从苏联回到祖国，当时我国正处于半导体刚成立的时候，于是老先生带领着他自己的团队日夜攻坚，寻求能够解决中国所缺少的硅单晶体材料的这一个重要的难题，老先生在没有任何基础之上攻坚克难，最终为中国研究出了这一个关键材料，从而对中国半导体事业和半导体的领域做出了巨大大的推进。

老先生不仅仅为中国解决了硅单晶体这一个重要的难题，而且在集成电路以及其他的半导体领域方面都做出了很大的创新和改进。因为自然界中的硅还有很多杂志，所以说老先生将硅进行进一步提纯重安，保证了拥有较高的电阻率。同时老先生也在我国许创新领域和科研领域上面都做出了很大的贡献，不仅仅对于我们的祖国的科研具有很大的推进作用，而且对于我国的许多创新性领域也提出了许多自己的想法，他还培养了许多优秀的学生，给中国这个半导体领域创造了更多的创新型人才和研究型人才，所以说老先生对于中国半导体料的贡献和这个领域上面的促进是前所未有的。

让我们一起为老先生致敬，一起为老先生送行，相信老先生在江后来看到我们祖国日益昌盛，日益繁荣的时候，一定会更加安心。

信息时代的迅速发展，让科学成为了国家竞争之间的重要主导因素。然而，从无到有，将一个陌生的物体从自然界中寻找或创造出来，不是那么容易的。有时候，一项研究和成果要经过几个时代的跨越，几代科学家的共同努力才有可能面世。

因此，科学家不是那么容易当的，他们不仅要吸收海量的知识和训练出过人的逻辑能力，还要独自一人面临成功路上的一次又一次的失败经历。而且，科学人最重要的就是要有一颗孤独且强大的内心，这样他们才不会被枯燥乏味的实验磨尽热情。

中科院作为中国科学人的最高追求，是无数科学人的最终梦想。然而，我国女科学家李爱珍4次申请中科院院士身份失败，最后却被美国国家科学院录取，这其中是否有什么误会。

1936年，李爱珍出生在福建省石狮市永宁镇港边村。她自小成绩优异，身上永远带着一股科学人不服输的精神，什么事都力求做到最好。当同龄人还在迷惑未来干什么的时候，她已经有了一个明确的目标。1954年7月，李爱珍考入上海复旦大学化学系学习。为了掌握更多的知识，她每天不是在实验室、图书馆就是在老师办公室。四年以后她以优秀毕业生的身份进入上海冶金所，正式开始半导体材料的研发之路。经过不懈努力，她将中国半导体材料研究成果推向了一个更高的平台。

1980年8月，李爱珍被公派到美国卡内基.梅隆大学电子工程系学习。在这里，李爱珍第一次感受到了中国科学界与美国科学界之间的巨大差距。为了学到更多的知识，缩小中美科学界的差距。李爱珍不再是那个为中国科学界做出巨大贡献的科学家了，她重新做回了学生，谦虚有礼地向美国学者提出疑问、做好笔记，有时候还来一两场学术上的切磋交流。就在她在美国潜心学习技术的时候，社会上有不少的声音说：李爱珍在被中国培养以后，跑到美国效力去了，她不会回来了。对此李爱珍没有做出任何解释，而是在两年学习期结束以后，直接回到中国打破了这一谣言。

回国以后，她用所学技术为中国科学事业立下显赫功绩。在学术上，60多年的科研生涯中她发表256篇科研论文。她将中国半导体材料研推上了国际平台，申请了21个国家科研发明专利，获得国际发明奖银奖一个。俗话说，授之以鱼不如授之以渔。从美国回来以后，李爱珍先后创建了上海冶金研究所分子束外延半导体微结构材料和器件实验室和固态源分子束外延实验室、气态源分子束外延实验室。为中国科研研究提供了一个更高的实验平台。除此以外，李爱珍还为我国培养了大批优秀的科学人才。

首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项专利申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时，接受国家财政援助，在武汉新新的基础上建立长江仓储。

其次是中国半导体产业发展迅速，芯片领域的各种技术、设备、材料遍地开花。许多企业进入半导体行业，为中国半导体行业的发展做出了贡献。科技部缩减人才数量，3000名半导体精英回国报效祖国。虽然中国对芯片的需求供不应求，这是中国半导体行业的一个显著问题，但随着中国研究人员对EUV的进一步研发，中国芯片最终将走向全球市场。

再者是长江存储做了一个疯狂的决定，跳过96层直接挑战128层，与东芝、三星等大厂角力，正式挑战市场。好在长江存储再次证明了国内R&D人员的决心，全球首款128层3D NAND闪存研发成功。国产闪存芯片凭借业内最大内存存储和最快传输速度的优势，也让不少国外科技公司惊叹不已。

要知道的是中国存储行业追赶速度更快，但中美关系持续恶化，层层制裁和人才短缺仍是制约中国发展的关键因素。评价一下长江存储的NAND芯片，用于国内销售的部分iPhone。美国商务部工业与安全局(BIS)宣布修改出口管理条例，旨在进一步阻止中国发展其存储芯片能力和相关军事能力。

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