什么是双层制冷片

双层制冷片 书写传奇，更新思想 新型双层制冷片投放市场 本公司在在半导体制冷片基础上，自行创新，于09年上半年研发出一款新型制冷片---双层制冷片，此产品突破了常规制冷片的瓶颈，把原有制冷片的最大温差68度扩大到90度，100度，满足产品能够达到更高的要求，可以达到零下50度，可用于航空航天，工业高端设备上。 根据客户应用范围，我们设计了40*40和50*50两种规格尺寸，客户可以根据要求的制冷面积来选择考虑到在配置电源时的成本问题，我们专设计了片子的最大电压是15.2伏，一般接12伏即可工作，这样为客户解决了一大难题；电流规格可以为：5安，6安，7安，8安，9安，10安 六种可供客户选择。 一。双层制冷片并非一些人认为的简单的把两片制冷片经过一定工艺叠加在一块的，双层制冷片是由三片陶瓷片组合，夹在中间的一片陶瓷片是双面都经过了特殊工艺，使之能够在其两面焊接导流片 二。双层制冷片是采用了底层片对上层片吸热的原理制作成的，所以为了更好的使上层的冷面有一个最低的温度，上下两层是采用了不等的粒子对，我司主要是采用127-031这种粒子对分布模式

半导体冰箱的工作原理

半导体冰箱的工作原理，冰箱已经是家里不能缺少的电器了，可以说一年四季都经常用到冰箱，现在市场上的冰箱的类型越来越多了，半导体冰箱就是其中一种，下面了解半导体冰箱的工作原理。

半导体冰箱的工作原理1

半导体冰箱是一种在制冷原理上与普通冰箱完全的产品，它以一块40毫米见方、4毫米厚的半导体芯片通过高效环形双层热管散热及传导技术和自动变压变流控制技术实现制冷，被喻为世界最小的“压缩机”。由于半导体制冷器属电子物理制冷，根本用制冷工质和机械运动部件，从而彻底解决了介质污染和机械振动等机械制冷冰箱所无法解决的应用问题，并在小容量低温冷藏箱方面具有更加显著的节能特性，极具开发推广价值。

所以，“半导体电子制冷”的效果就主要取决于电荷载体运动的两种材料的能级差，即热电势差。纯金属的导电导热性能好，但制冷效率极低（不到1%）。半导体材料具有极高的热电势，可以成功的用来做小型的热电制冷器。

使用半导体冰箱的注意事项

1、半导体冰箱只能制冷或制热，不能制冰，不能用来存放冰激凌等冷冻食品，不具备像压缩机冰箱一样的制冷效果。

2、半导体冰箱只能降到比环境温度低20摄氏度-25摄氏度的`温度，最低能制冷到5摄氏度，但并不是说环境温度为10摄氏度时，箱内能降低到-10摄氏度。

3、请保持半导体冰箱通风口与散热孔的畅通，注意及时清理风扇或防尘罩上的灰尘。

4、切勿将物品塞入半导体冰箱散热孔和进风口孔处、半导体冰箱使用时应远离热源。

5、当加热功能和制冷功能进行转换时，必须关掉电源，等待5分钟后再启动冰箱。

6、清洁半导体冰箱时，请关掉所有电源、请不要使用硬物和强力清洁剂清理冰箱。

7、确定半导体冰箱的变化温度和环境温度，这些将提供给你可期望的半导体冰箱能达到温度方面的粗略指导，制冷温度标示通常为：可达到低于环境温度20度以下。

半导体冰箱的工作原理2

冰箱的工作原理

1、压缩式电冰箱：该种电冰箱由电动机提供机械能，通过压缩机对制冷系统作功。制冷系统利用低沸点的制冷剂，蒸发汽化时吸收热量的原理制成的。其优点是寿命长，使用方便，目前世界上91～95%的电冰箱属于这一类。目前常用的电冰箱利用了一种叫做R600a的制冷剂作为热的“搬运工”，把冰箱里的“热” “搬运”到冰箱的外面。

2、半导体电冰箱：它是利用对PN型半导体，通以直流电，在结点上产生珀尔帖效应的原理来实现制冷的电冰箱。

3、化学冰箱：它是利用某些化学物质溶解于水时强烈吸热而获得制冷效果的冰箱。

4、电磁振动式冰箱：它是用电磁振动机作本动力来驱动压缩机的冰箱。其原理、结构与压缩式电冰箱基本相同。

5、太阳能电冰箱：它是利用太阳能作为制冷能源的电冰箱。

6、绝热去磁制冷电冰箱。

7、辐射制冷电冰箱。

8、固体制冷电冰箱。

使用方法

1、冰箱温度补偿开关使用方法 家用冰箱是根据我国南北地区温差较大的特点而设计的宽气候带电冰箱，在环境温度较低情况下（10摄氏度以下、，请你打开温度补偿开关以便正常使用。当环境温度较低时，如果不打开温度补偿开关使用，压缩机的工作次数会明显减少或者不工作，开机时间短，停机时间长，造成冷冻室温度偏高，冷冻食品不能完全冻结，因此必须打开温度补偿开关使用。（其原理是当环境温度低于10摄氏度时，需要你打开该开关，为冰箱冷藏室加温，使冰箱被动工作，以便于冷冻室温度保持低温结冰状态。、打开温度补偿开关并不影响冰箱的使用寿命。当冬季过去，环境温度升高，环境温度高于15摄氏度时，请你将温度补偿开关关闭，这样，可以避免压缩机频繁启动，节约用电。

2、冰箱温控器使用方法 冰箱在使用过程中，其工作时间和耗电受环境温度影响很大，因此需要我们在不同的季节要选择不同的档位使用，冰箱温控器夏季应开低挡冬季开高档。夏季环境温度高时，应打在弱挡2、3档使用，冬季环境温度低时，应打在强挡4、5 使用，原因：在夏季，环境温度较高（达30摄氏度、，冷冻室内温度若打在强挡（4、5、，达-18摄氏度以下，内外温度差大，因此箱内温度每下降1摄氏度都很困难，再则，通过箱体保温层和门封冷气散失也会加快，这样开机时间很长而停机时间很短，会导致压缩机在高温下长时间运转，既耗电又易损坏压缩机。若此时改在弱挡（2、3档、，就会发现开机时间明显变短，又减少了压缩机磨损，延长了使用寿命。所以夏季高温时就将温控调至弱挡。当冬季环境温度较低时，若仍将温控器调至弱挡，因此时内外温差小，将会出现压缩机不易启动，单制冷系统的冰箱还可能出现冷冻室化冻的现象。

3、冰箱冷藏室正确的设置温度设定为5-7度，即可以保证食品的保鲜效果，也避免的温度设置过低造成资源浪费。

对于冰箱的工作原理，大家应该也有了认识了吧，冰箱工作的原理也是很简单的，多了解一些冰箱的原理，在我们购买冰箱的时候也能够起到一些作用，同时大家要多了解一些冰箱的使用方法，争取延长自己家冰箱的使用寿命。

半导体冰箱的工作原理3

无霜冰箱的缺点和原理

无霜冰箱的缺点

无霜冰箱干净清爽，蒸发器与食品分离，食品不会与蒸发器粘在一起，无霜冰箱的冷风系统带走了冰箱内多余的水分，无水自然无霜，食物之间也不会冻结在一起。无霜冰箱不断循环的冷风，经过除臭系统的过滤，使冰箱内的气味持久保持清新，大大减少食物之间互相串味的现象。

当然风冷冰箱也不是完美无缺的，食物容易风干缺水，因为其内部会有冷空气不断循环，进而会使冰箱内的空气湿度变低，一些食物如果没有使用保鲜膜或保鲜盒隔离，很容易缺水，进而被吹干。所以目前很多风冷冰箱都会设计有一些较小的储物盒，除了方便食物归纳外，很大程度上也是为了减慢食物的风干速度。价格较贵噪音稍大，无霜冰箱耗电量大，风冷冰箱内部结构相比直冷冰箱更复杂，因此产品的制造成本更高，所以同容积同品牌的风冷冰箱一般都比直冷冰箱贵一些。另外，风冷冰箱需要风扇不断地将冷气吹到冰箱内的各个角落，所以相对来说，噪音也会比直冷冰箱大一点。

无霜冰箱的原理

无霜冰箱产生霜层并不是说无霜冰箱在运作是不会产生冰霜，而是无霜冰箱有定时的化霜功能，所以我们在日常生活中并不会发现冰箱霜层。关于无霜冰箱的除霜系统的组成。化霜定时器，累计计算压缩机工作17-24小时后断开压缩机的供电并给蒸发器、接水槽加热丝供电。蒸发器加热丝，蒸发器加热除霜。接水槽加热丝，接水槽加热除霜。化霜温控器，控制化霜时的温度。双金属片或者温度保险，防止化霜温控器失灵的一个保护装置。

工作原理，化霜定时器累计计算压缩机工作17-24小时后停止对压缩机和循环风扇的供电，同时给经过化霜温控器、温度保险给蒸发器、节水槽加热丝供电，当化霜温控器监测达到临界点（化霜温控器所处的温度）时断开给加热丝供电（如果化霜温控器达到临界点还未断开时温度保险就会过热断开）至此一个除霜的过程结束，然后定时器恢复给压缩机供电，并延迟几分钟给循环风扇供电，重新制冷开始。

本发明涉及一种TFT基板及TFT基板的制造方法，特别地，涉及一 种具备作为TFT (薄膜晶体管)的有源层的氧化物半导体(n型氧化物半 导体层)的顶栅型的TFT基板及TFT基板的制造方法。此外，此TFT基 板及TFT基板的制造方法通过利用第二氧化物层(氧化物导电体层)形成 源布线、漏布线、源电极、漏电极及像素电极，就能够削减制造工序，并 能够降低制造成本。

背景技术：

基于显示性能、节约能源等的理由正广泛地利用LCD(液晶显示装置) 和有机EL显示装置。特别是，这些作为携带电话和PDA (个人携带信息 终端)、电脑和膝上型电脑、电视机等显示装置，基本上成为主流。在这 些显示装置中，通常使用TFT基板。例如，液晶显示装置在TFT基板和对置基板之间填充有液晶等的显示 材料。此外，此显示材料对每个像素选择地施加电压。在此，TFT基板是 配置由半导体薄膜(也称为半导体膜)等形成的TFT (薄膜晶体管)的基 板。由于TFT基板通常以阵列状配置TFT，所以也称为「TFT阵列基板J。再有，在液晶显示装置等中使用的TFT基板中，在玻璃基板上纵横地 配设TFT和液晶显示装置的画面的1像素的组(将这称为1单元)。在TFT 基板中，在玻璃基板上，例如在纵向上以等间隔配置栅布线，在横向上以 等间隔配置源布线或漏布线的一个布线。此外，源布线或漏布线的另一个 布线、栅电极、源电极及漏电极分别被设置在构成各像素的上述单元中。<TFT基板的现有制造方法>现在，作为此TFT基板的制造方法，通常已知有使用5片掩模的5 片掩模工艺、和通过半色调曝光技术使用4片掩模的4片掩模工艺等。 当前，在这样的TFT基板的制造法中，由于使用5片或4片的掩模，所以其制造工艺需要很多工序。例如，4片掩模工艺需要超过35步骤(工 序)的工序，5片掩模工艺需要超过40步骤(工序)的工序。像这样，工 序数量增多时，就会担心制造合格率下降。此外，工序数量多时，就会担 心工序变复杂，制造成本增大。 (使用5片掩模的制造方法)图54是用于说明现有例相关的TFT基板的制造方法的示意图，(a) 表示形成有栅电极的剖面图。(b)表示形成蚀刻停止层的剖面图。(c)表 示形成有源电极及漏电极的剖面图。(d)表示形成有层间绝缘膜的剖面 图。(e)表示形成有像素电极的剖面图。在图54 (a)中，在玻璃基板9210上，使用第一掩模(未图示)形成 栅电极9212。即，首先在玻璃基板9210上通过溅射堆积金属(例如Al (铝)等)。接着，使用第一掩模通过光刻法形成抗蚀剂。接着，通过按 规定的形状进行蚀刻，形成栅电极9212，灰化抗蚀剂。接着，如图54 (b)所示，在玻璃基板9210及栅电极9212上依次层 叠由SiN膜(氮化硅膜)形成的栅绝缘膜92B、及a-Si:H(i)膜9214。接 着，堆积作为沟道保护层的SiN膜(氮化硅膜)。接着，使用第二掩模(未 图示)通过光刻法形成抗蚀剂。接着，是用CFH气体以规定的形状干蚀 刻SiN膜，形成蚀刻停止层9215，灰化抗蚀剂。接着，如图54 (c)所

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