敏感陶瓷半导体化途径和机理

敏感陶瓷半导体化途径和机理,第1张

途径:陶瓷变温被子。机理:产生导电载流子。

施主能级多数是靠近导带底的,而受主能级多数是靠近价带顶的。即它们的电离能一般比较小,室温下就可以受到热激发产生导电载流子,从而形成半导体。

敏感陶瓷指某些性能随外界条件(温度、电压、湿度、气氛)的变化而发生改变的陶瓷。

种半导化途径是施主掺杂半导化:可通过掺杂不等价离子取代部分主晶相离子,使晶格产生缺陷,形成施主或受主能级,以得到n型或p型的半导体陶瓷。

热交换的基本途径为:传导、对流和辐射。为了有效散热,人们常通过减少热流途径的热阻和加强对流系数来实现,往往忽略了热辐射。LED灯具一般采用自然对流散热,散热器将LED产生的热量快速传递到散热器表面,由于对流系数较低。

扩展资料:

具有高热辐射效率的辐射带,大致是从强共振波长延伸到短波整个二声子组合和频区域,包括部分多声子组合区域,这是多数高辐射陶瓷材料辐射 带的共同特点,可以说,强辐射带主要源于该波段的二声子组合辐射。

一般辐射陶瓷的辐射带集中在大于5m的二声子、三声子区。因此,对于红外辐 射陶瓷而言,1~5m波段的辐射主要来自于自由载流子的带内跃迁或电子从杂质能级到导带的直接跃迁,大于5m波段的辐射主要归于二声子组合辐射。

参考资料来源:百度百科-陶瓷材料

半导体化学的内容可以概括为:①硅、锗、砷化镓等半导体材料的物理化学性质及其提纯精制的化学原理,完整单晶体的制取、完整单晶层的生长以及微量杂质有控制地掺入方法。②半导体器件和集成电路制造技术如清洗、氧化、外延、制版、光刻、腐蚀、扩散等主要工艺过程及化学反应原理。③半导体器件及集成电路制造工艺中所用掺杂材料、化学试剂、高纯气体、高纯水的化学性质、制备原理及纯度标准。④超纯物质分析及结构鉴定方法,如质谱分析、放射化分析、红外光谱分析等。


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