半导体被击穿后导致不能使用，是为什么

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的最基本结构是PN结，以及硅绝缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物理损伤，微观上是硅晶体结构局部烧毁，所以无法恢复。

比如二极管的击穿，正常是正向导通，反向截止，一旦击穿，就失去这样的特性，特性变为电阻性的，严重的直接短路。

1.首先是环氧树脂的粘接强度不够，可以让你的供应商提高环氧树脂的粘接强度，不过一般供应商一般都会向你推荐更高端更贵的型号，选择愿意配合你的供应商吧

2.框架严重氧化，框架氧化后环氧树脂与框架的粘接强度降低，尽量在前道工序保证你的框架不被氧化，氧化后一般能从颜色看得出来，对比一下前后的变化就知道了

3.适当加大注射（转进）压力

4.适当降低框架预热温度，也是为了防止氧化，一般要低于150度，当然还要兼顾你的模具的匹配性

5.适当调整注射速度（看实验的结果，也要靠经验了）

解决了以上问题分层基本上可以消除

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