陈涌海是什么人

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2012年1月中央电视台【CCTV-10】《科学之夜》专题片中陈涌海教授自d自唱一曲《将进酒》,豪情满怀,犹如《笑傲江湖曲》般荡气回肠。 陈涌海,湖南人,1967年生,北大物理系86级学生,科学家乐手,中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任、博士生导师,杰出青年基金获得者。 主要从事半导体低维结构材料偏振光学、应变自组装量子点(线)材料和器件、半导体自旋电子学等研究,主持了国家973、自然科学基金等多项研究课题。在Phys. Rev. B,Appl. Phys. Lett.等刊物发表论文80余篇。 研究量子、纳米之余,d琴复长啸,纵情民谣中。在校期间,与许秋汉、杨一等同道中人组建未名湖乐队。 取得的主要学术成绩:用偏振反射差分光谱(RDS)研究了GaAs/Al(Ga)As、InGaAs/GaAs、InGaAs/InP等(001)面量子阱的平面内光学各向异性,得到了一系列国际上尚无报道的新结果,证实了该技术很适合用于表征半导体异质材料界面有序结构、原子偏析、界面化学键组成等界面性质;利用连续介质模型计算了应变自组装量子线周围的应力场,很好地解释了量子线斜对准现象;利用图形化柔性层、低温生长柔性层以及注氢柔性层等技术获得了柔性衬底材料,并探讨了柔性衬底在缓解应变方面的物理机制;近十年在国际学术刊物上发表了四十余篇论文。 完成/在研主要项目 国家自然科学基金重大项目课题“新型半导体量子结构的设计、制备和表征”(2003-2006); 973项目课题“大失配异质结构材料生长动力学与柔性衬底”(2001-2005); 863项目“光泵浦、光通信用自组装量子点激光器”(2002-2005); 国家自然科学基金重大规划项目“磁性半导体异质结构材料和自旋极化半导体激光器”(2003-2005); 国家自然科学基金面上项目“半导体材料平面光学各向异性研究”(2000-2002)。 代表性论著: Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature GaAs, Phys. Rev. B, vol.55, pp. R7379-R, 1997. Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs, Appl. Phys. Lett. Vol. 72, pp.1866-, 1998. Y. H. Chen and Z. Yang , Theory of linear electro-optic effect near the E1 and the E1 + D1 energies , Appl. Phys. Lett. Vol. 73(12), pp.1667-, 1998. Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Quantum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential, Phys. Rev. B, vol. 60(3), pp.1783-, 1999. Y. H. Chen, Z. G. Wang, et al., Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy, J. Appl. Phys., vol.88(3), pp.1695-1697, 2000. 3362 3039 Xiao-Ling Ye, Y. H. Chen, et al., Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices, Phys. Rev. B, vol. 63, pp.115317-, 2001. Y. H. Chen, X. L. Ye, et al., Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/ AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy, Phys. Rev. B, vol. 66, pp.195321-, 2002. H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, et al., Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots, J. Appl. Phys. Vol. 88(9), pp.5433-, 2000. 3362 3039 Wang Zhan-Guo, Chen Yong-Hai, et al., Self assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J Crystal Growth, vol. 227-228, pp.1132-, 2001.陈涌海是什么人

王守武是我国著名的半导体器件物理学家、微电子学家。1980年当选中国科学院学部委员(院士)。我国第一个半导体研究室、半导体器件工厂、半导体研究所和全国半导体测试中心的创建者。

王守武于1919年3月15日出生于江苏省苏州市。孩童时代常被疟疾纠缠,身体状况不好,智力曾一度受到影响。上学后,经常性的病休,持续不断的自学磨练,使王守武从小就养成了寡言、内向的性格,和善于独立思考的习惯。在他4岁时,父亲赴上海与他人合股开办机械厂,家人也随之迁居。不到两年,工厂倒闭,家里分得不少机械加工工具,这却使王守武在家有条件学会钳工和配钥匙、修理家庭用具、绕制变压器等技艺。王守武后来之所以能在科研工作中动手能力强,均得益于那时的培养和磨练。他喜爱数学的父亲,工作之余,常给子女们讲些趣味数学,或出一些智力测验题让孩子们回答。那时,王守武曾随哥姐们听父亲讲过如何求圆周率π的问题,他虽听不懂,但“π”这个无理数的特性,却一直印在他的脑海之中。

1934年,王守武父亲退休后举家迁回苏州。王守武也随之转入省立苏州中学学习。高中三年级时,经过对《三角》、《高等代数》的学习,启迪了他的思维,他从反三角函数的级数展开中,得到了π的计算方法,写成“圆周率π的级数展开”一文,发表在苏州中学的校刊上,显露了他在领悟数理理论方面的过人才华。自此,从事自然科学工作,既符合他父亲的希望,也是他酿就的意愿,渴望在著名大学里得到名师的教诲和严格的科学训练。

1934年父亲自北平中央研究院工程研究所退休后返回上海。后又因留恋故乡情,举家又迁回苏州。王守武也随之转入省立苏州中学学习。王守武高中毕业前夕未曾根治的疟疾再次重犯,耽误了学校的年终考试和苏州全区的毕业会考。靠一张肄业证书,难以像他哥姐们那样入清华大学、燕京大学、协和医学院等名牌学府就读,只得听从曾留学美国的大哥王守竟的建议,进上海同济大学德文补习班学习。一年后,他重回苏州中学参加会考,拿到了高中毕业文凭,才正式成为同济大学机电系的学生。

1941年春天,王守武在昆明郊外的同济大学临时校舍里毕业后,就近在昆明入兄长王守竞任总经理的中央机器厂当了公务员。一年后又入中国工合翻砂实验工厂任工务主任。经过实践,讷于言表的王守武自感不适合从事工厂管理工作,便申请重回母校,在已迁往四川李庄的同济大学任教。

1945年10月王守武负笈远行,横渡大洋,入美国印第安那州普渡大学研究生院攻读工程力学,导师R. M. Sturm,翌年6月荣获硕士学位。王守武各门功课优异,尤以数学成绩最好,受到老师和同学们的赞赏。校方为鼓励王守武继续深造,资助他攻读博士学位。这时,正在兴起的量子力学引起了王守武的兴趣,便从工程力学转向对微观粒子运动规律的研究,导师H. M. James。两年后王守武完成了题为《一种计算金属钠的结合能和压缩率的新方法》的论文,获得了博士学位。后经普渡大学工程力学系主任的敦聘,留校执教。这时他与同在普渡大学留学的葛修怀女士组成了温馨的家庭,过着宁静、舒适的生活。

1950年6月25日朝鲜战争爆发。王守武借“回乡侍奉孤寡母亲”为由,向美国当局递交了回国申请。获得批准后,经印度驻美使馆的协助,很快就办完了离美手续。夫妇二人携不满周岁的女儿于同年10月离开美国,回归故里。

1950年底王守武刚刚踏上祖国大地,上级就十分信赖地交给他一项紧急任务:为在抗美援朝前线的志愿军运输队设计一种特殊的车灯和路标,让祖国“最可爱的人”在朝鲜前线既可夜里行车,又不致被敌机发现,免遭轰炸。报国心切的王守武,立即在他任职的应用物理研究所,组织科研人员设计与制作。他依据光线在锥体表面定向反射的原理,使特殊设计的车灯光线在路标上的反射光只能定向地射到司机的眼里,避免了敌机发现的可能性。设计制作完成后,进行了实地试验,圆满完成了任务。

1951年5月西藏和平解放后,当地政府发现藏民生活用燃料奇缺,能源不足,但高原阳光充足,便向中国科学院提出了为之设计制造太阳灶的请求。受命主持此项设计任务的王守武,考虑到制造一个大面积的抛物形反射镜加工有困难,决定改用多个窄圆锥形反射面组成的反射系统,用调整每个圆锥面斜度的方法,使平行于主轴方向的光线,都反射到太阳灶的中心。设计制作成功后,用它可以在15分钟内把一壶水烧开。这种太阳灶,在青藏高原长时期地发挥过它的作用。

1953年春中国科学院派员赴苏联考察,了解苏联科学研究工作的进展情况。访苏代表团回国后,报告了苏联在半导体科学技术上的巨大成就,以及飞速进展的情况。这一信息,使我国的科学工作者,特别是物理学工作者,进一步认识到半导体科学技术在社会主义建设事业中的重要性,应当大力推动这方面的工作。为此中国物理学会常务理事会决定,在1955年1月底召开一次全国性的半导体物理学讨论会。

1954年作为讨论会筹备组成员的王守武为了推动中国电子技术跟上时代的发展,他与同期归国的黄昆、洪朝生、汤定元等专家一起合作翻译了苏联半导体权威学者A.F. 约飞写的《近代物理学中的半导体》一书,于1955年由科学出版社出版。1955年黄昆在北京大学物理系开设了《半导体物理学》的课程,这一新兴课程也由他们四人合作讲授。1956年1月这四位专家与后期回国的专家一起在物理学会年会上对“半导体”做了多方面的介绍,希望引起有关方面的重视。王守武的报告题目是:《半导体整流器》与《半导体的电子生伏打效应的理论》。

这期间作为半导体科学的开拓工作,王守武开展了硒与氧化亚铜整流器的制作条件与性能研究,并从理论上分析了有关半导体整流器的一些性能。其研究成果相继在中国《物理学报》上发表。

1956年,是王守武科学研究工作中的一个关键的转折点。因为在这一年,王守武应邀到京西宾馆参加由周恩来总理主持的“全国十二年科学技术发展远景规划”的讨论和制订工作。在所确定的57项重大科技项目中,半导体科学技术的发展,被列为四大紧急措施之一。为了落实这项紧急任务,中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者,分别在培养人才和从事开拓性研究两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性,毅然中断了其他科研项目,全身心地投入到半导体的研究工作中来,组成了中国科学院应用物理所中中国第一个半导体研究室。

根据当时国外文献的报道,锗是制作晶体管最现实的材料。目标明确之后,在他与同事吴锡九研究员的组织领导下,集中了二机部华北无线电元件研究所、南京工学院等单位的40余名科学工作者,开始了半导体锗材料的研究工作。他一面抓锗材料的提纯,一面亲自领导设计制造了我国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉,并于1957年底拉制成功了我国第一根锗单晶;1958年8月,负责器件组工作的王守觉副研究员从苏联学习归来,引来了合金扩散工艺,加速了我国第一批锗高频合金扩散晶体管的成功研制。作为研究室主任的王守武,在参与研制锗高频合金扩散管的同时,又参与了拉制硅单晶的组织领导工作,并具体解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的跳硅难题。

1957年林兰英回国,王守武亲自到她所住的宾馆去动员她来半导体工作组工作,任材料研究组组长,具体实施了硅单晶的拉制方案。经王守武与林兰英的共同努力,使得我国第一根硅单晶于1958年7月问世。为了促进我国第二代(晶体管型)电子计算机的研究,在王守武与有关同志的组织领导下,于1958年创建了我国最早的一家生产晶体管的工厂——中国科学院109工厂,从事锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下,组织全厂人员奋战,到1959年底,为研制109乙型计算机提供了12个品种、14.5万多只锗晶体管,完成了该机所需的器件生产

1956年是王守武科学研究工作中的一个转折点,人生旅途中的一个关键时代。因为在这一年,王守武应邀参加了“全国十二年科学技术发展远景规划”讨论会。在所确定的57项重大科技项目中,半导体科学技术的发展被列为四大紧急措施之一,是抓紧实施的重点。为了落实这项紧急任务,中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者,分别在培养人才和从事开拓性研究工作两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性,毅然中断了其他科研项目,全身心地投入到“半导体”的研究工作中来。刚过而立之年的王守武,在团中央礼堂,在北京图书馆广场,在天津,在上海,在大江南北……,搞演讲,举办报告会,大力普及半导体科学知识,热情宣传“半导体”科学的广阔未来。

在应用物理研究所王守武以电学研究组成员为主要对象,举办了半导体专业培训班,继而组建了中国第一个半导体研究室,担当了研究室的主任。

根据当时国外文献的报道,锗是当时制作晶体管最为现实的材料。目标明确之后,在他与后来回国的吴锡九研究员的组织领导下,集中了二机部华北无线电元件研究所、南京大学、武汉大学等单位的40余名科学工作者,开始了半导体锗材料与锗晶体管的研究工作。他一面抓锗材料的提纯,一面亲自领导设计制造了中国第一台单晶炉,并于1957年底拉制成功了中国第一根锗单晶;同年11月底到次年初王守武与同事合作,研制成功了中国第一批锗合金结晶体管,并掌握了锗单晶中的掺杂技术,能控制锗单晶的导电类型、电阻率及少数载流子寿命等电学指标,达到了能自主生产不同器件的要求。

1958年8月领导器件组工作的王守觉从苏联学习归来,引来了半导体“合金”加“扩散”的双重工艺,促使晶体管的研制在提高工作频率方面产生飞跃,加速了中国第一批锗高频合金扩散晶体管的研制。

作为研究室主任的王守武在参与研制锗高频合金扩散晶体管的同时,又参与了拉制硅单晶的组织领导工作,并亲自解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的“跳硅”难题。

1957年春林兰英教授自美国归来,被任命为半导体研究室材料研究组组长。在她的领导下,重新设计制作拉制硅单晶的炉子。经王守武与林兰英的共同努力,采用林兰英从国外带回的硅单晶做籽晶引向,1958年7月中国第一根硅单晶问世。

为了促进我国由电子管型转向晶体管型的第二代电子计算机的研究,在王守武与有关同志的组织领导下,于1958年创建了中国最早的生产晶体管的工厂——中国科学院109厂。工厂刚一成立,立即开展锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下,他组织全厂人员奋战,到1959年底为研制109乙型计算机的计算技术研究所提供了12个品种、14万5千多只锗高频合金扩散晶体管,完成了该机所需的半导体器件的生产任务,及时为两d一星任务提供了技术保证。

1960年4月王守武受命筹建中国科学院半导体研究所,任筹委会副主任。1960年9月6日,在原应用物理研究所半导体研究室的基础上半导体研究所正式成立,王守武被任命为首任业务副所长,负责全所的科研业务管理和开拓分支学科的组建工作。1962年王守武依据国家科委的决定,在半导体所筹建全国半导体测试中心,并兼任该中心主任。

1960年2月王守武加入了中国共产党。

科学在不断发展,半导体学科的分支也在不断地拓展,1962年美国宣布用砷化镓半导体材料制成第一只半导体激光器,在世界上产生了很大的影响。这类器件在体积、重量和发光效率等方面,均比其它激光器优越,其应用前景也广泛得多。远见卓识的王守武,便于1963年组建了激光器研究室,并兼任该研究室主任。当时半导体所的材料研究室在林兰英研究员的领导下,研制成功了砷化镓单晶材料,故可着手从事半导体砷化镓激光器的研制。在当时实验室的条件下,用X射线来对单晶体进行定向比较困难,王守武创新了一种光学定向的新方法,大大加快了研制工作的进程,提高了各项工艺的成品率。在王守武的领导下,研究室于1964年元旦前夕研制成功了中国第一只半导体激光器。

此后,为了把这些科研成果迅速推广到实际应用中去,王守武除了继续从事研制新品种激光器外,还亲自指导并参与了激光通讯机和激光测距仪的研制工作。事隔不久,中国第一台激光通讯机就诞生了,它可以在无连线的情况下,保密通话达3公里以上。为了提高激光测距仪的可测距离,王守武提出并设计了从噪声中提取信号的电路,装上这个电路后,可以使激光测距仪的测距能力提高一倍以上。这些研究成果,填补了国内空白,有力地支援了国家现代化建设和国民经济建设。

正当王守武为发展我国半导体科学事业大显身手、全力以赴地奉献自己的聪明才智时,“文化大革命”开始了。王守武虽然处于被监督劳动的屈辱境地,但他对所从事的科学事业毫不忘情。在解除了领导职务的情况下,他留在研究室帮助改革工具,修理仪器。为了弥补激光器件研究室缺少分析激光特性手段的缺陷,他设计研制成功了激光发散角分布测试仪。

1968年春当时的科委领导点名要王守武紧急完成一项从越南战场运回的武器解剖任务。王守武毫不犹豫地登上了前往西安的航程。“文革”后期周恩来总理提出“要重视基础理论研究”的号召。王守武面对半导体所的基础理论研究队伍已受到“文革”严重摧残的困难局面,积极行动起来,着手基础理论的研究工作,开展了对新发现的耿氏器件中畴的雪崩弛豫振荡的深入研究。依据这项工作写成的论文,1975年在美国物理学会年会上宣读后,得到国外同行的好评,并在当年的《中国科学》杂志上发表。在这基础上他开始用计算机模拟技术,对耿氏器件中高场畴的动力学进行分析研究,取得了系列成果,发表了多篇论文。

1978年10月中国科学院主要领导同志将王守武请到办公室,要他出马,改变现状,全面负责4千位的MOS随机存储器这一大规模集成电路的研究。

王守武从稳定工艺入手,跟着片子的流程,对工艺线的每道工序进行认真细致的检查,详尽地订出各自的 *** 作规程。他先从研制难度不大的256位中规模集成电路入手,以检验工艺流程的稳定性和可靠性。当其成品率达到97%以上时,王守武才让投片试制4千位动态随机存储器。1979年9月28日,这种集成电路的批量成品率达20%以上,最高的达40%,为当时国内大规模集成电路研制中前所未有的最高水平。这一研制成果获得了中科院1979年科研成果一等奖。1980~1981年在王守武和林兰英的亲自指导下,又研制成功了16千位的大规模集成电路。这一重要成果荣获中科院1981年科研成果一等奖。

1973年起,领导研究半导体激光器中的高场畴动力学和畴雪崩现象。1978年起领导研制半导体大规模集成电路及其工艺研究。

1979年底他荣获全国劳动模范的光荣称号。

1980年刚刚过完春节,上级要王守武去中国科学院109厂兼任厂长职务,开展4千位大规模集成电路的推广工作,从事提高成品率、降低成本的集成电路大生产实验。王守武一到109厂,就高标准地修改了厂房扩建工程的设计方案,用很少的资金、不太长的时间,就将老厂房改造成洁净度达1000至10000级并有一定湿控、温控的高净化标准厂房。中科院109厂的这条年产上百万块中、大规模集成电路的生产线,就这样在王守武的精心 *** 持下宣布建成,其产品亦随之进入市场,并接受了众多用户的考验。1985年国内上百名专家齐集一堂,对王守武主持设计并建成的集成电路大生产实验线及其成果进行了技术鉴定。这一成果于1985年获中科院科技进步二等奖。

在用原有国产设备进行大生产实验的同时,王守武还领导并参与了另一条引进现代化集成电路中试生产线的建设。1988年这条生产线通过了国家计委、国家科委、电子工业部、北京市、中国科学院等有关部门的领导和国内著名专家的验收,并于1990年获中科院科技进步二等奖。

在王守武的倡议下,1986年1月上级将半导体所从事大规模集成电路研究的全套人马合并到109厂,组建中科院“微电子中心”。年事已高的王守武被任命为该中心的终身名誉主任。王守武自此离开现职,专事于学术研究工作。

中科院院士

黄昆(1919.9.2-2005.7.6)固体物理、半导体物理学家。浙江嘉兴人,生于北京。1941年毕业于燕京大学。1948年获英国布里斯托黄昆

尔大学博士学位。1955年选聘为中国科学院院士(学部委员)。1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士。1985年当选为第三世界科学院院士。中国科学院半导体研究所研究员、名誉所长。是国际著名的中国物理学家、教育家、中国固体物理学先驱、中国半导体技术奠基人。 主要从事固体物理理论、半导体物理学等方面的研究并取得多项国际水平的成果,是中国半导体物理学研究的开创者之一。 50 年代与合作者首先提出多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论即“黄-佩卡尔理论”;首先提出晶体中声子与电磁波的耦合振动模式及有关的基本方程(被誉为黄方程)。40年代首次提出固体中杂质缺陷导致 X光漫散射的理论(被誉为黄散射)。证明了无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论的等价性,澄清了这方面的一些根本性问题。获2001年度国家最高科学技术奖。

人物介绍

黄昆(1919年9月2日-2005年7月6日)。 国际著名的中国物理学家、教育家、中国固体物理学先驱、中国半导体技术奠基人。 黄昆1919年9月出生于北京,1941年毕业于燕京大学,1944年毕业于西南联合大学的北京大学理科研究所,获硕士学位,1947年在英国布里斯托大学获得博士学位。 黄昆获得博士学位后曾在英国爱丁堡大学物理系、利物浦大学理论物理系从事研究工作。 1951年,黄昆回到北京大学任物理系教授,1977年后任中国科学院半导体研究所所长直到退休。 黄昆早年在爱丁堡大学与著名物理学家、诺贝尔奖得主玻恩教授一起从事研究工作,合著了在固体物理学界享有声誉的《晶格动力学》一书。1956年,黄昆在北京大学物理系任教授期间,参与创建了中国第一个半导体物理专业,为中国信息产业培养了第一批人材。在北京大学任教期间,黄昆还主持本科生教学体系的创建工作,并著有《固体物理学》教材,享有盛誉。 1977年后,在邓小平的过问下,黄昆出任中国科学院半导体研究所所长。2001年,黄昆与其北大校友王选一同获得了该年度国家最高科学技术奖。 2005年7月6日,16时18分,黄昆在北京逝世,享年86岁。 黄昆的主要荣誉包括1955年中国科学院第一批学部委员(今中国科学院院士)、2001年国家最高科学技术奖、瑞典皇家科学院外籍院士、第三世界科学院院士、全国“五一”劳动奖章获得者和1995年度何梁何利基金科学与技术成就奖获得者。黄昆还是中国人民政治协商会议全国委员会第五、六、七、八届常务委员。黄昆是中国共产党党员、九三学社社员。

黄昆的一生

黄昆的一生和诺贝尔奖大师紧密相连,从英国布里斯托大学到爱丁堡大学,再到利物浦大学,从诺贝尔奖获得者莫特教授到玻恩教授,黄昆的第一个“黄金时代”到来了。物理学大师玻恩是量子力学的创始人,也是晶体原子运动系统理论的开创者,早在第二次世界大战期间,玻恩就打算从量子学青年黄昆

最一般原理出发,写一部关于晶格动力学的专著,但战后因忙于他事且年事已高,此事一度搁置。1947年5月中旬,黄昆来到了爱丁堡大学玻恩教授处短期工作,工作中玻恩发现黄昆熟悉这门学科,且有深邃见解,便将完成用量子力学阐述晶格动力学理论的《晶格动力学》专著的重任交给了黄昆,同时交给他的还有玻恩的一些残缺不全的旧手稿…… 黄昆从1948年开始,在4年时间内不仅以严谨的论述和非常清晰的物理图像对这个固体物理学中的最基本领域进行了系统的总结,而且还以一系列创造性的工作发展和完善了这个领域。“有一段时间,我同玻恩教授还发生了争论……”谁也没想到,黄昆当初写进的内容在1960年激光发现以后,一一被实验证实。由此,奠定了他在固体物理学领域的权威地位。玻恩这位诺贝尔奖获得者也伸出了大拇指,他在给爱因斯坦的信中说:“书稿内容现在已经完全超越了我的理论……”

黄昆被选为2002年度感动中国十大人物

颁奖辞:他一生都在科学的世界里探求真谛,一生都在默默地传递着知识的薪火,面对名利的起落,他处之淡然。他不仅以自己严谨和勤奋的科学态度在科学的领域里为人类的进步做出卓越的贡献,更以淡泊名利和率真的人生态度诠释了一个科学家的人格本质。

从蒙养园到燕京大学

黄昆于1919年9月2日诞生在北京,祖藉为浙江嘉兴。父亲当时是中国银行高级职员。母亲贺延祉,籍贯湖南,毕业于北京女子师范大学,也在银行工作。黄昆是家中最小的孩子,他的大姐名黄宣,大哥黄燕,二哥黄宛(我国著名心脏内科专家),姐弟四人年龄依次相差一岁,手足情深而又互相影响。他们的名字都取自于北京的地名,黄昆的“昆”来自于“昆明湖”,黄宛的“宛”来自于“宛平城”,黄燕的“燕”来自于“燕山”,黄宣的“宣”来自于“宣武”。家庭较高的文化素养和毫无拘束的气氛,特别母亲为人严肃认真,对黄昆少年时期成长影响很大。 一般而言,许多著名科学家在少年,甚至童年就显示出其天赋。然而,黄昆却自认为他属于智力发育滞后的类型。在谈及现在中小学生的负担太重问题时,黄昆以切身经历为例,认为,小学学习不必要求太高,但中学打的基础却会影响一个人的一辈子。 黄昆先后在北京蒙养园、北京师大附小、上海光华小学(在静安寺附近一条弄堂里,黄昆在那里呆了一年多)上学。他回忆自己小学阶段,除去很早就识字,在小学时期常读小说和学会加减乘除之外,似乎没有学更多的知识。他还记得,他小学期间最出色的一次表现,是在三年级北京史地课考试得第5名。他带回给母亲的奖品,是一份北京城的油印讲义。为此,他始终为能熟练说出北京城所有内外城门名而感到自豪。

中学打基础

关于中学打基础影响一辈子,黄昆有正反两方面的经历。 黄昆在上海光华小学五年级没读完,随家搬迁回到了北京。黄昆的伯父黄子通当时在燕京大学哲学系任教授,黄昆暂住在伯父家中,并插班就读于燕京大学附中初中。他在这里只学习了半年,就转学到通县潞河中学。但是,这短短的半年,对黄昆以后的发展却有长远的影响。黄昆的伯父偶然看见黄昆课后很空闲,就询问他原因。黄昆回答说,老师交待的数学作业都已完成。他伯父说,那怎么行,数学课本上的题全都要作。自此,黄昆就这样做了。从此他的数学课一直学得很好,并发生了浓厚兴趣。转入到潞河中学后,这习惯不仅仍延续下来,并带动了其它学科的学习。黄昆后来回顾,这一偶然情况有深远影响。由于他下课就忙于自己作题,很少去看书上的例题,反而使他没有训练出“照猫画虎”的习惯。

治学要点

黄昆治学一个重要特点,“从第一原理出发”,其习惯也许就是在中学开始培养的。 潞河中学前身可以追溯到1867年由美国一个牧师创办的通州男塾。1889年,它演黄昆文集

变成包括小学、中学、大学和神学院的潞河书院。以后又先后更名为协和书院,华北协和大学。1918年,华北协和大学与汇文大学合并组成燕京大学,而协和大学附设中学部仍保留在通州原址,叫潞河中学。潞河中学虽然是教会学校,但1927年以后,由华人任校长,取消“圣经”必修课。潞河中学的校训为“人格教育”。黄昆是学习上的优等生,除语文课外,他的高中三年学习总成绩始终保持在全年级之首。黄昆兄弟三人都就读于潞河中学。他的大哥因为休学两年,与他同班,数学成绩只有30来分,在黄昆带动下,黄燕的数学成绩也很快就超过了及格线。潞河中学每个礼拜都有全校大会,黄氏三兄弟穿自己家做的布鞋,被校长在全校大会上表扬。 黄昆自己认为,他中学时代反面教训是,中学语文课没有学好。就像大多数中学男生一样,对于老师出的作文题,黄昆觉得,不是一句话就解答了,就是无话好说。后来黄昆回顾自己生涯,认为其后果影响了自己一辈子。例如,1936年黄昆从潞河中学毕业,拟学工科。他报考过清华大学和北洋工学院,但都未被录取,原因就是语文成绩太差的缘故。黄昆在生平自述中写道: “我于1944年参加了当时‘庚子赔款’留美和留英两项考试。留美考试未录取,后来通过别人查分数才知道我的语文考试只得了24分。在留英考试中,我的作文只写了三行就再写不下去了,只好就此交卷。后来得知,我居然被录取。这曾使我大吃一惊。以后有机会看到所有考生的评分,这才知道这位中文考官显然眼界很高,而打分又很讲分寸,很多考生的中文成绩都是40分,再没有比这更低的分数,我当时是其中之一。以后虽然没有再考语文,但是语文这个关远没有过去。顺便可以提到,我的语文基础没有打好,多少年来,在各个时期,各种场合都给我带来不小的牵累(从早年的考试到以后的写作,以至讲话发言)。近年来,不少场合要你讲点话或是让你题词,我只能极力推辞,而主持人则很难谅解。这总使我想起中学语文老师出了题我觉得无话可说的窘况。” 1937年,黄昆通过潞河中学向燕京大学的保送考试,进入燕京大学,并根据自己的优势和兴趣,选定物理为学习专业。

群英荟萃

抗日战争爆发后,中国的三所著名大学:清华、北大、南开迁至云南昆明,1938年春组成国立西南联合大学。在中国人民抗战最艰难困苦的年代,培养出杨振宁、李政道、黄昆、张守廉、李荫远、黄授书、邓稼先、朱光亚等一大批杰出人材。开出中国教育史上最绚丽的一朵奇葩。 西南联大物理系规模虽然不算大,但是人材济济,中国物理学界许多学术造诣很深的知名教授都在这里执教。当时“清华有叶企荪、吴有训、周培源、赵忠尧、王竹溪、霍秉权;北大有饶毓泰、朱物华、吴大猷、郑华炽、马仕俊;南开有张文裕,还有许贞阳。西南联大的数学师资也为当时国内一时之选。 清华有杨武之、郑洞荪、陈省身、华罗庚、许宝马录;北大有江泽涵;南开有姜立夫。在西南联大,物理系每年级只有一班,约三四十人。生活条件十分艰苦,都住在学校泥墙草顶的宿舍里。 1941年秋,黄昆在获得燕京大学学士学位后,经葛庭燧先生介绍,来到西南联大任助教。从北京到昆明,黄昆路经青岛、上海、香港、桂林、贵州,路上整整花了2个多月。系主任饶毓泰先生在第一次接见黄昆时对他说,这里人很多,根本不需要助教。你在这儿就是钻研学问作研究。事实也确是如此。 黄昆的教学任务只是每周带一次普通物理实验。吴大猷让他半做研究生,半做助教,这样他可以得到一些收入。 由于张守廉的缘故,黄昆很快地结识了和张同班的杨振宁。他们三人学习思考风格迥异,但都是绝顶聪明的人。他们一起上吴大猷和其他先生的课,通过课后讨论,他们彼此加深了人品学问的了解。


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