bgbm工艺全称

半导体bgbm。

1、BG：是背面减薄(BacksideGridding)，采用In-Feed削磨的方式，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能，减小封装体积，及划片加工量。

2、BM：是背面金属化(BacksideMetallization)，使用电子束产生高温蒸发金属，使金属原子在真空中直线运动，沉积在晶圆上，实现晶圆背面金属化。

Bumping, 一般是指倒装LED芯片（flip chip）工艺中，在wafer晶圆表面做出的铜锡或金凸点（英文就是bumping），芯片倒过来贴到PCB板上后，bumping凸点与PCB上的导电焊盘连接，用于加电驱动LED，从intel早起的CPU到现在苹果的AP处理器，都是先做bumping再和其他芯片一起做到PCB基板上成模块的。

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