现有的daf膜包括第一胶面、第二胶面和中间层高导热树脂层,第一胶面与芯片粘接,第二胶面与基板粘接。在装片过程中手设备、治具等因素的影响,很难控制芯片保持水平。例如:如图1所示,由于吸嘴吸片后,芯片22通过daf膜11粘接在基板33上,在装片过程中,吸嘴与芯片局部接触时施压力f给芯片导致芯片受力不均匀,导致芯片和daf膜之间发生倾斜,影响芯片封装质量。
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现有的daf膜包括第一胶面、第二胶面和中间层高导热树脂层,第一胶面与芯片粘接,第二胶面与基板粘接。在装片过程中手设备、治具等因素的影响,很难控制芯片保持水平。例如:如图1所示,由于吸嘴吸片后,芯片22通过daf膜11粘接在基板33上,在装片过程中,吸嘴与芯片局部接触时施压力f给芯片导致芯片受力不均匀,导致芯片和daf膜之间发生倾斜,影响芯片封装质量。
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