中国的晶圆的纯度是多少

中国的晶圆的纯度是99.999999999%。

硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。

晶圆信息：

8英寸晶圆产业链的上中下游都呈现出满载状态。有限的供给和旺盛的多元化需求，大大提高行业的价值链变化，让市场开始重新审视8英寸晶圆线的投资与价值。

随着5G、电动车等新应用兴起，第三代化合物半导体材料逐渐成为市场焦点，看好碳化硅（SiC)等功率半导体元件，在相关市场的优势与成长性，许多IDM、硅晶圆与晶圆代工厂，均争相扩大布局。

即便近来市场遭遇新冠肺炎等不确定因素袭击，业者仍积极投入，盼能抢在爆发性商机来临前，先站稳脚步。

（1）

硅的主要来源是石英砂（二氧化硅），硅元素和氧元素通过共价键连接在一起。因此需要将氧元素从二氧化硅中分离出来，换句话说就是要将硅还原出来，采用的方法是将二氧化硅和碳元素（可以用煤、焦炭和木屑等）一起在电弧炉中加热至2100°C左右，这时碳就会将硅还原出来。化学反应方程式为：SiO2 (s) + 2C (s) = Si (s) + 2CO (g)（吸热）

（2）

上一步骤中得到的硅中仍有大约2%的杂质，称为冶金级硅，其纯度与半导体工业要求的相差甚远，因此还需要进一步提纯。方法则是在流化床反应器中混合冶金级硅和氯化氢气体，最后得到沸点仅有31°C的三氯化硅。化学反应方程式为：Si (s) + 3HCl (g) = SiHCl3 (g) + H2 (g)（放热）

(3）

随后将三氯化硅和氢气的混合物蒸馏后再和加热到1100°C的硅棒一起通过气相沉积反应炉中，从而除去氢气，同时析出固态的硅，击碎后便成为块状多晶硅。这样就可以得到纯度为99.9999999%的硅，换句话说，也就是平均十亿个硅原子中才有一个杂质原子。

（4）

进行到目前为止，半导体硅晶体对于芯片制造来说还是太小，因此需要把块状多晶硅放入坩埚内加热到1440°C以再次熔化 。为了防止硅在高温下被氧化，坩埚会被抽成真空并注入惰性气体氩气。之后用纯度99.7%的钨丝悬挂硅晶种探入熔融硅中，晶体成长时，以2~20转/分钟的转速及3~10毫米/分钟的速率缓慢从熔液中拉出：

探入晶体“种子”

长出了所谓的“肩部”

长出了所谓的“身体”

这样一段时间之后就会得到一根纯度极高的硅晶棒，理论上最大直径可达45厘米，最大长度为3米。

以上所简述的硅晶棒制造方法被称为切克劳斯法（Czochralski process，也称为柴氏长晶法），此种方法因成本较低而被广泛采用，除此之外，还有V-布里奇曼法（Vertikalern Bridgman process）和浮动区法（floating zone process）都可以用来制造单晶硅。

半导体硅片是制造芯片的载体，因原材料为硅，又称为硅晶片。

1、半导体硅晶片是专业术语，，是通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZMethod）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭。

2、然而经过晶体定向、外圆滚磨、加工主、副参考面、切片、倒角、热处理、研磨、化学腐蚀、抛光、清洗、检测、装等工序形成的硅片。

---