动态RAM为什么要刷新？这里的刷新是什么概念？

RAM中，半导体晶体管中的电荷每1.2微秒会消失，数据也会消失。所以为了保存数据，每1微秒会重新通一次电即刷新一次。

在动态RAM芯片内部，每个内存单元保存一位信息。单元由下面两部分组成：一个晶体管和一个电容器。当然这些部件都非常地小，因此一个内存芯片内可以包含数百万个。电容器保存信息位--0或1（有关位的信息，请参见位和字节）。晶体管起到了开关的作用，能让内存芯片上的控制线路读取电容上的数据，或改变其状态。 

电容器就像一个储存电子的小桶。在存储单元中写入1，小桶内就充满电子；写入0，小桶就被清空。这只"桶"的问题在于：它会泄漏。只需大约几毫秒的时间，一个充满电子的小桶就会漏得一干二净。因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由CPU或是由内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前保持"1"值。为此，内存控制器会先行读取存储器中的数据，再把数据写回去。这种刷新 *** 作每秒钟会自动进行数千次。 

DRAM就是动态随机存取存储器，动态随机存取存储器需要刷新是因为DRAM存储信息的特殊性。

DRAM是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。

扩展资料：

DRAM是靠其内部电容电位来记录其逻辑值的，但是电容因各方面的技术困难无可避免的有显著的漏电现象（放电现象）而使电位下降，于是需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定，这就是刷新。动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。 有的Dram也支持每个bank刷新的命令，每次同时刷新一个bank的多个行，在一个rank刷新的时候允许bank-level 并行。

参考资料来源：百度百科-DRAM

半导体存储器中动态ram的特点是信息在存储介质中移动。根据查询相关公开资料得知动态RAM的特点是都靠电容存储电荷的原理来寄存信息，电容上的电荷一般只能维持1到2ms。因此即使电源不掉电，信息也会自动消失，所以必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，称为刷新，刷新是一行一行进行的。

---