未来3年有望翻10倍的5大半导体黑马，全球缺芯加速国产替代

自3月开始，宝岛台湾，遭遇半个多世纪以来最严重的一次干旱，岛内严重缺水。

那么，台湾缺水将 对全球半导体产业链产生什么影响？

对国内半导体产业链又有哪些机会？

哪些公司又有望受益呢？

本期社长就来和你分析一下，要看到最后[可爱]

要知道，半导体芯片生产的每个环节都离不开大量用水。这对于拥有台积电等半导体巨头，且代工市场占全球65%的台湾而言，可谓重大打击。一旦缺水局面得不到缓解，全球缺芯局面恐将进一步恶化。

但从另一方面来看，缺芯也将倒逼需求端扩产大潮的强劲增长，作为全球半导体产业链重地，中国大陆半导体市场规模约占全球25%，且还在不断上升。

这也就意味着，设备环节和制造环节，都将在国产替代逻辑下充分受益。国内5大半导体潜力龙头，有望迎来黄金发展期。#半导体# #芯片#

总市值：217亿

晶方 科技 成立于2005年，长期专注于传感器领域的封装测试及专业代工业务。是全球第二大CIS晶圆级芯片封测服务商。

2020年净利同比增长252%，这其中，封测业务，毛利率高达80%。 这在全行业都实属难得。

不仅如此，据社长了解，实际上，早在2007年，晶方 科技 就成功研发出拥有自主知识产权的超薄晶圆级芯片封装技术，不仅彻底改变了封装行业，更使高性能，小型化的摄像头模块成为可能。

而 得益于车载摄像头在 汽车 智能化、网联化的趋势下快速兴起，公司将长期受益。

总市值：243亿

从服装巨头，转型锂电龙头，即使是在“神仙”汇集的A股，这样的故事也足够魔幻。而成立于1992年的杉杉股份，正是故事的主角。杉杉股份业务涵盖锂离子电池材料、电池系统集成以及服装、创投等业务。 是国内唯一一家从服装企业成功转型为新能源产业的领军企业。

目前已实现碳硅负极材料量产，其中，正极年产量6万吨，负极年产量8万吨，电解液年产量4万吨，综合产能位列全球第一。

而从杉杉股份先后与澳大利亚锂矿公司Altura以及洛阳钼业签订合作协议来看，社长觉得杉杉股份已不再满足于锂电龙头的地位，它正在尝试以锂电材料为基础，撬动整个新能源产业版图。

总市值：345亿

立昂微成立于2002年，是国内少有的具有硅材料及芯片制造能力的完整产业平台，业务横跨半导体硅片及功率器件两大细分赛道，一体化优势明显。同时，凭借强劲的研发实力，立昂微目前 已切入安森美、中芯国际、华润微等国内外知名企业供应链，盈利水平逐年提升 。

从2016年到2020年前三季度，立昂微营收增速始终保持在30%左右。其中，12英寸半导体硅片相关技术已于2017年通过正式验收，标志着立昂微已走在我国大尺寸半导体硅片生产工艺的前列。

而就在今年3月，立昂微宣布募投52亿扩充12寸硅片产能，加码布局功率景气赛道，从这个角度看，社长认为硅片龙头腾飞，指日可待。

总市值：382亿

士兰微成立于1997年，经过二十多年的发展，已经从一家纯芯片设计公司，发展成为目前国内为数不多的，集设计与制造一体化的综合型半导体厂商。主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED产品等大类。

得益于士兰微，完全走的是自主知识产权的道路，截至2021年1月初已经有部分技术水平领先的国产设备通过工艺验证，比原定验收时间缩短50%。

除此以外，士兰微智能功率模块的技术水平已排进全球前十，在行业需求快速增加、公司自身相对竞争优势明显的背景下，社长预计未来几年，公司IPM模块的营业收入将会持续快速成长。

总市值：1210亿

闻泰 科技 是目前国内最大的手机代工ODM企业，早在2015年，闻泰 科技 的代工产品出货量，就已经成为全球第一。

在这里社长特别要提到一点，目前，全球主流手机品牌厂商，只有vivo和苹果全部采用自研设计，其他的公司，包括三星、华为，都是要和ODM厂合作的，尤其以性价比著称的小米，75%的手机，都由ODM公司代工。

这也是为何闻泰 科技 的业绩能一直保持在较高水平。数据显示，即便是在 全球智能手机市场低迷的过去四年里，闻泰的年均复合增长率高达94.37% 。

而随着闻泰 科技 在2020年对全球领先的 汽车 功率半导体厂商，安世半导体的全资收购，未来有望深度受益于 汽车 电动化的快速发展。

#股票# #A股# #股市分析#

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以上观点仅供参考，不作为你的 *** 作依据！

晶圆是生产集成电路所用的载体。

晶圆（英语：Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，是生产集成电路（integrated circuit，IC）所用的载体。而我们现实中比较常见到的硅晶片就要数电脑CPU和手机芯片。

在半导体行业，尤其是集成电路领域，晶圆的身影随处可见。晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片，而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件构，使之成为有特定电性功能的IC产品。

晶圆制造工艺：

表面清洗：晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。

初次氧化：由热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术。

热CVD：此方法生产性高，梯状敷层性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜）等，故用途极广。

以上内容参考：百度百科-晶圆

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