小米自研芯片被骂贴牌，官方实锤来了

华为有性能爆表、功耗优秀且自主研发而来的麒麟芯片；

vivo 有服务于专业影像计算系统的 V1 影像芯片；

临近发布的 OPPO FIND X5 会带来其首款自研的 NPU 芯片 —— 马里亚纳 MariSilicon X

至于小米，为了实现手机上的 120W 单电芯 技术，自主研发了澎湃 P1 充电芯片。

这对于小米来说本来是一件值得骄傲的事，但最近却 “出事” 了。

前不久，有一名微博用户发布推文，写着澎湃 P1 配上一个微笑的表情，配文下方是一张澎湃 P1 芯片与南芯半导体芯片的晶圆丝印对比，从图中可以看到，两者几乎一模一样。

官方表示，小米澎湃 P1 芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号 SC8561）。这款芯片具备超高压 4:1 充电架构，实现了 120W 单电芯充电。

支持 1：1、2：1 和 4：1 的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线 120W、无线 50W、无线反充等多种充电功能。

小米自研的澎湃 P1 芯片与南芯 SC8571 在拓扑结构上完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。

简单点来说就是澎湃 P1 由小米自主研发设计，南芯负责代工。这就好比苹果 A15 是由台积电负责代工，高通骁龙 8 Gen 1 芯片由三星代工，是一个道理。

其次，充电芯片不像手机的 SOC，需要集成通信基带、GPU 图形处理器、ISP 图像处理器、NPU 神经网络处理器等等，难度相较而言没有那么大。

而小米作为一家市值接近 4000 亿港元（之前突破了 4000 亿但又跌落下来了）的 科技 公司，想做好一个充电芯片也是没有问题的，就算用钱砸也能砸出来。

所以关于自研芯片这件事，小米没必要搬起石头砸自己的脚，给自己留下不必要的信任危机和把柄。

我们再来说说充电芯片这件事，其实 120W 目前已经见怪不怪了，也不是小米独有。

和小米合作代工的南芯半导体，就曾在 2021 年 9 月推出代号为 SC8571 的芯片。该芯片为超高压 4：2 充电架构，同样可以实现 120W 双电芯充电。

但是，小米这颗澎湃 P1 芯片还是要更胜一筹的。它是行业首次实现 “120W 单电芯” 充电技术。而之前都是采用的串联双电芯。

小米表示，过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路。

大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到 120W 高功率快充。

驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃 P1。它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流。

澎湃 P1 作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的 4:1 超高效率架构，谐振拓扑效率高达 97.5%，非谐振拓扑效率为 96.8%，热损耗直线下降 30% 。

澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通。

这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍。

正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高，正向 2:1 模式可兼容更多充电器，正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充，反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电。

澎湃 P1 也是小米充电效率最高的 4:1 充电芯片，可做到 0.83W /mm² 超高功率密度，LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm² RSP。

而澎湃 P1 芯片内部需要用到三种不同耐压的 FLY 电容，每颗电容需要独立的开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵的两倍。

并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升，每片澎湃 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试，远高于传统电荷泵。

虽然说了很多专业术语，但用户只需要明白它的主要优势有这些：

澎湃 P1 充电芯片实现了有线 120W 、无线 50W 的充电速率，同时还支持 10W 无线方向充电。

并且它是单电芯，相比于双电芯，它的空间利用率更高，同等体积下电池容量更大，利用控制机身厚度，温控方面，也能得到进一步降低。

所以作为国产的小米，这点上研发实力非常值得肯定。至此，“小米澎湃 P1 芯片是买来的” 这件事，不攻自破。

事件的最后，发文的博主目前也已经删除微博，网友们在这件事上也纷纷表示支持小米，支持国产自主研发的实力。

果子相信盲目跟风的网友们，大多数只是吃风凑热闹，但有句话说的好 —— 谣言止于智者，盲目跟风只会显得自身无知。

所以面对这类事情，一定要理性看待，不信谣，不传谣。因为有原则有底线的人都不会无事生非。而跟风者，是压死受害者身上的最后一根稻草。

一件事一旦一传十，十传百之后。网友就会从吃瓜群众的角色演变成有利可图的人手中的棋子。

而事情在经过未经证实、不明不白的添油加醋后，原来的真相与本质，就会被深盖淹没。到了最后，事件主角成了最大的受害者，遭受了不可逆的伤害与损失。

前阵子 “刘学州” 网暴自杀事件足以给我们敲响警钟了。

小米虽然是一家 科技 公司，不是单体的个人。

但造谣这种事件，无论是对个人、团体、还是公司，都绝对不可取，因为他们理应得到尊重。

图片及资料来源:

[1] IT 之家：网传小米澎湃 P1 芯片并非自研，南芯半导体回应：消息不实

https://www.ithome.com/0/602/111.htm

集成电路与电子元器件：

1、南芯半导体完成金额为3亿人民币D轮融资，投资方为光速中国,vivo智能手机,龙旗科技。南芯半导体隶属于上海南芯半导体科技有限公司。

2、艾为电子完成金额为32.01亿人民币IPO融资。艾为电子隶属于上海艾为电子技术股份有限公司。

上海南芯半导体科技有限公司是2015-08-04在上海市注册成立的有限责任公司(自然人投资或控股)，注册地址位于中国（上海）自由贸易试验区博霞路22号309室。

上海南芯半导体科技有限公司的统一社会信用代码/注册号是91310110351027504X，企业法人阮晨杰，目前企业处于开业状态。

上海南芯半导体科技有限公司的经营范围是：从事半导体科技、计算机科技、电子科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，集成电路、电子产品、计算机软硬件的研发、设计和销售，电子元器件、通讯产品及辅助设备的销售，企业管理咨询，商务信息咨询，会务服务，展览展示服务，从事货物与技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】。本省范围内，当前企业的注册资本属于一般。

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