什么是PN结的偏置？正向偏置？反向偏置？

一个PN结就是二级管，正向偏置就是万用表测两次，其中一次电阻较小的是正向偏置，反之就是反向偏置。

1、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

2、与正向偏置相比，交换电源的正、负极位置，即P区接电源负极，N区接电源正极，就构成了PN结的反向偏置。

扩展资料：

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。

使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。

简单来说就是P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置，N端所加电压比P端高，在保证不击穿的情况下为反向偏置，单向导电为只有正向偏置的时候导通。

参考资料来源：

百度百科-正向偏置

百度百科-反向偏置

百度百科-PN结

在二极管的电极两端加一定大小的电压，其中p区接正极，n区接负极，使二极管正向导通，叫做二极管的正向偏置。反之，则叫做反向偏置。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流

当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

扩展资料：

在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。

随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。

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正向偏置

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。目录

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正向偏置

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当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置[1]。

中文名

正向偏置

外文名

forward-bias

原理

PN结正偏

本质

半导体器件特性

定义

半导体器件特性之一，把电源的电压的正极与P区引出端相连，负极与N极引出端相连时，称PN结正向偏置，简称PN结正偏。相电压是各个相与地的电压。线电压是相与相的电压，就三相四线制的380伏、相电压是220伏 通俗点火线之间的电压是380 火线与零线是220（相电压）

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