中国的半导体技术发展水平如何?

只能说起步阶段吧，目前只是在有限的几个领域里有所建树，但即便是这些领域也是仿照国外产品，原创的太少。从产业结构来看，目前在半导体领域的前沿研发基本都被欧美和日韩的企业以及院校所包揽。大陆的现状基本是有着大量的中小型设计公司，具有满足绝大多数普通应用场景的设计能力。但是在尖端技术上还是无法在国际上竞争，本国内高端产品基本依赖进口。

大陆半导体技术的发展前景和不足

1底层制造中国有很大的发展空间。

半导体技术的底层制造业（也常叫「微电子制造加工业」）是个纯粹的制造业。中国大陆近年来的代工制造一直处于上升阶段，很多传统领域的代工技术已然世界领先，下一步在微电子制造业上也达到尖端是可以期待的，业界也普遍看好。这是劳动力资源的优势所决定的。曾经日本、韩国、新加坡等地该行业很兴旺，但现在普遍因为劳动力资源的紧缺和涨价而大幅衰弱，台湾也略有衰退之胜，中国大陆正在快速上升期。

2欣欣向荣的是封装测试领域。

大陆各种大型的封装测试工厂遍地开花，有外资的也有民营的。由于封测产业对于技术要求相对较低，但是对于成本控制相当敏感，所以在劳动力相对低廉的大陆获得了较大的发展。

3中国由于财力和技术积累的不足，在规模最大、利润最高的几块市场，比如CPU，FPGA或者存储器上，大陆基本还处于弱势地位。

4高端设备和原材料的供应商极缺，所有重要设备和材料几乎完全进口。

引言：梁骏吾院士逝世，老先生为我国半导体材料领域做出了最大的贡献就是为我国研究出如何制备硅单晶体这一个重要的难题，因为在当时，在国外已经做出世界上第一块集成电路的时候，半导体技术在国外已经非常领先了，并且他们在这个领域也发明了很多的创新技术，但是新中国还没有掌握集成电路所需要的最关键的一个材料，那就是硅单晶体。

于是在1960年，老先生选择从苏联回到祖国，当时我国正处于半导体刚成立的时候，于是老先生带领着他自己的团队日夜攻坚，寻求能够解决中国所缺少的硅单晶体材料的这一个重要的难题，老先生在没有任何基础之上攻坚克难，最终为中国研究出了这一个关键材料，从而对中国半导体事业和半导体的领域做出了巨大大的推进。

老先生不仅仅为中国解决了硅单晶体这一个重要的难题，而且在集成电路以及其他的半导体领域方面都做出了很大的创新和改进。因为自然界中的硅还有很多杂志，所以说老先生将硅进行进一步提纯重安，保证了拥有较高的电阻率。同时老先生也在我国许创新领域和科研领域上面都做出了很大的贡献，不仅仅对于我们的祖国的科研具有很大的推进作用，而且对于我国的许多创新性领域也提出了许多自己的想法，他还培养了许多优秀的学生，给中国这个半导体领域创造了更多的创新型人才和研究型人才，所以说老先生对于中国半导体料的贡献和这个领域上面的促进是前所未有的。

让我们一起为老先生致敬，一起为老先生送行，相信老先生在江后来看到我们祖国日益昌盛，日益繁荣的时候，一定会更加安心。

林兰英，福建莆田人，伟大的科学家，中国半导体材料之母、中国太空材料之母。1940年毕业于福建协和大学（福建师范大学前身）物理系；1955年获美国宾夕法尼亚大学博士学位；原中国科学院院士、中国科协副主席。长期从事半导体材料科学研究工作，是我国半导体科学事业开拓者之一。先后负责研制成我国第一根硅单晶、第一根无错位硅单晶、第一台高压单晶炉、第一片单异质结SOI外延材料、第一根GAP半晶、第一片双异质结SOI外延材料，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础；负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。她先后四次获中科院科技进步奖一等奖，两次获国家科学技术进步奖二、三等奖，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖，并受到中央三代领导人的关怀和接见。[

1957年，林兰英和同事们拉制成功了中国第一根锗单晶；1958年初，中国的半导体收音机诞生了；那年国庆前夕，又研制成功了中国第一根硅单晶；1962年，拉制成功砷化镓单晶；1964年，砷化镓二级管激光器问世；1987年，林兰英和同事们又异想天开，利用卫星拉制成功了两块太空砷化镓单晶，这一“国际领先”的科研成果，受到全世界科学家的关注，林兰英赢得了“太空材料之母”的桂冠。她创造了一个又一个高精尖科技成果，鲜艳的五星红旗一次又一次在国际科技“奥运会”上升起，林兰英为祖国和人民赢得了殊荣。中央电视台“东方之子”栏目专题报道了她，报刊、电台也不断介绍她光彩照人的事迹和杰出的贡献。她受到了三代中央领导人的关怀和接见，受到了全国人民包括莆田父老乡亲们的爱戴。

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