如何能够准确测量氧空位

可以使用XPS可以测量！首先将样品在CO2气氛中预处理，那么样品中的氧空位会吸附CO2形成碳酸根，通过XPS表征样品中吸附氧的数量，就间接的测出了氧空位的数量。

对于金属氧化物，如果在特定外界环境下（比如高温），会造成晶格中的氧脱离，导致氧缺失，形成氧空位，缺陷方程可以表示为O=1/2O2+Vo.对于金属氧化物，其氧空位是缺陷的一种。

由于在氧化物中相对于氧，其他元素的电负性一般小于氧，所以当失去氧时，相当于取走一个氧原子加上两个带正电的电子-空穴，如果这两个电子-空穴被束缚在氧空位上，说明氧空位一般带正电。

对于金属氧化物，如果在特定外界环境下（比如高温），会造成 晶格中的 氧脱离，导致氧缺失，形成 氧空位，缺陷方程可以表示为O=1/2O2+Vo.对于金属氧化物，其氧空位是缺陷的一种。

由于在氧化物中相对于氧，其他元素的 电负性一般小于氧，所以当失去氧时，相当于取走一个氧原子加上两个带正电的电子-空穴，如果这两个电子-空穴被束缚在氧空位上，说明氧空位一般带正电。

个人感觉：三价元素替代四价元素会形成p型半导体,在替代的过程中造成了电荷的不平衡（即空穴增多）,而氧空位（n型导电特性）可以补偿p型半导体,从而造成氧空位比正常情况下偏多.而五价元素替代四价元素恰好与上述情况相反.

个人感觉：三价元素替代四价元素会形成p型半导体,在替代的过程中造成了电荷的不平衡（即空穴增多）,而氧空位（n型导电特性）可以补偿p型半导体,从而造成氧空位比正常情况下偏多.而五价元素替代四价元素恰好与上述情况相反.

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