半导体材料的厚度与吸收光谱的关系

半导体材料的厚度与吸收光谱的关系。半导体导带和价带之间存在能隙（energy gap），当入射光的能量等于能隙时，入射光将会被材料大量吸收，因此会在能隙位置出现吸收峰，这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。

半导体导带和价带之间存在能隙（energy

gap），当入射光的能量等于能隙时，入射光将会被材料大量吸收，因此会在能隙位置出现吸收峰，这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。

0.2微米到3微米。

硅的化学性质非常稳定，常与氧元素形成化合物。存在于地表的硅几乎总以含氧化合物的形式存在，尤以包含4个配位键的结构居多，少有例外。每1个硅元素搭配4个氧元素的组合可以单独形成基团，也可以形成链、带、环、层等复杂结构。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。

固态硅单质不太活泼，不易与气体或液体试剂反应；液态硅单质则相反，能与多数金属发生反应。

硅是一种半导体材料，可用于制作半导体器件、太阳能电板、光纤和集成电路。还可以合金的形式使用（如硅铁合金），用于汽车和机械配件。

也与陶瓷材料一起用于金属陶瓷中。还可用于制造玻璃、混凝土、砖、耐火材料、硅氧烷、硅烷。与铁结合，可以成为矽钢，这是一种耐磨的钢件，常用在各种工具上。此外，硅也是不锈钢的主成分之一，用来使不锈钢具有耐磨的特性。

制取方法

实验室里可用镁粉在赤热下还原粉状二氧化硅，用稀酸洗去生成的氧化镁和镁粉，再用氢氟酸洗去未作用的二氧化硅，即得单质硅。这种方法制得的都是不够纯净的无定形硅，为棕黑色粉末。工业上生产硅是在电弧炉中还原硅石（SiO2含量大于99%）。

使用的还原剂为石油焦和木炭等。使用直流电弧炉时，能全部用石油焦代替木炭。

石油焦的灰分低（0.3%～0.8%），采用质量高的硅石（SiO2大于99%），可直接炼出制造硅钢片用的高质量硅。高纯的半导体硅可在1200℃的热硅棒上用氢气还原高纯的三氯氢硅SiHCl3或SiCl4制得。超纯的单晶硅可通过直拉法或区域熔炼法等制备。

用镁还原二氧化硅可得无定形硅。用碳在电炉中还原二氧化硅可得晶体硅。电子工业中用的高纯硅则是用氢气还原三氯氢硅或四氯化硅而制得。

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