半导体薄膜不能用直流磁控溅射制备吗？

可以肯定地回答：不能够。

因为半导体材料导电性不佳，如果用直流磁控溅射的方法，在靶面就会形成很高的电压，很小的电流，很容易产生灭弧，溅射根本不可能延续。所以说半导体薄膜不可能用直流磁控溅射制备。

你可考虑使用中频溅射、射频溅射或蒸发镀的方法。

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。

使用溅射技术可以在半导体表面形成depfilm，溅射技术可以将原料形成液体或气体，然后用高能离子束将其射向半导体表面，形成一层薄膜。另外，还可以使用CVD或PECVD技术，将原料化学气相沉积在半导体表面，从而形成depfilm。

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