MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌(或尖峰电流)流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后,只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后,还必须计算传导损耗。 在实际情况下,MOS晶体管不是理想的器件,因为在传导过程中会损失电能,这称为传导损耗。
扩展资料MOS晶体管“导通”时,就像可变电阻一样,由器件的RDS(ON)决定,并随温度而显着变化。 器件的功耗可通过Iload2×RDS(ON)计算得出。
由于导通电阻随温度变化,因此功耗也会成比例地变化。 施加到MOS晶体管的电压VGS越高,RDS(ON)越小; 否则RDS(ON)越高。 请注意,RDS(ON)电阻会随着电流而略有上升。
参考资料来源:百度百科-mos管
SOA半导体光放大器(Semiconductor Optical Amplifer)
光放大器的一种,光放大器分为光纤放大器和半导体光放大器。
一般有行波放大和谐振放大两种,行波SOA的材料和一般半导体激光器相同,光纤通讯领域多为InP材料,放大波段1550nm附近,可以简单的理解为一个没有反馈腔的激光器,一般端面反射率小于千分之五。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)