金属和半导体的功函数是如何定义的？半导体的功函数与哪些因素有关

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work function)又称功函、逸出功，在固体物理中被定义成：把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。 真空能级：电子达到该能级时完全自由而不受核的作用。 功函数：真空能级与费米能级之差。

硒化锡（tin selenide），化学式SnSe，为灰色正交晶系晶体，具半导体性。密度为6.18（g/㎝,25/4℃），熔点为861℃，但溶于硝酸和王水中。该物质对水中有机物有剧毒和危害。在常规的制法中，加热温度要高于化合物的熔点，达到900~950℃，才能制得高纯SnSe。为半导体材料。半导体的功函数的定义是:半导体的费米能级Ef与真空中静止电子所处能级E0之差，其物理意义是:半导体中处于费米能级的电子跃迁到真空中所需要的最小能量。

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